一种采用双极工艺设计的过温保护电路

在设计开关电源的时候通常会加入过温保护电路,一旦开关电源内部的温度超过其允许的最高温度时,将停止内部电路的供电,为整个开关电源提供自身的保护,同时也保护了开关电源所供电的整机电路免遭破坏.文章提出了一种基于2μm双极工艺设计的过温保护电路,并通过Cadence Spectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真.结果表明该...     

一种采用双极工艺设计的过流过压保护电路

文章提出了一种基于2μm双极型工艺设计的过流过压保护电路,本电路采用一个带迟滞比较器电路结构思想实现其保护功能的,本电路的结构新颖、电路简洁、性能优良.通过Cadence Soectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真,结果表明该电路功能良好、敏感度高、便于集成.本过流过压保护电路通常用于集成在DC/DC转换器的控制芯...     

双极数字／模拟电路的相容工艺探讨

实验研究了具有代表性的几种双极相容工艺,认为注磷调整法与现行双极工艺相容性好,在3种电路中应用获得成功,本文叙述了这一工艺方法和实验结果。     

一种PN结隔离互补双极工艺

介绍了几种互补双极工艺的结构和特点，详细阐述了一种基于N型外延的PN结隔离互补双极工艺；着重探讨了隔离制作技术和PNP管设计要点，并对实际流片结果进行了讨论。     

一种实用化的互补双极工艺技术

在３μｍ工艺条件下开发了一套实用的互补双极工艺（ＣＢ）。利用此工艺制造出特征频率分别为３．２ＧＨｚ和１．６ＧＨｚ的高性能ＮＰＮ与ＰＮＰ管,并成功地集成在压摆率高达２２００Ｖ／μｓ的高速运算放大器芯片中。     

2μm高速双极工艺的研究

本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电；降低发射极串联电阻等。并列出了典型的工艺参数及器件参数。用本工艺得到环振门延迟为２５０～５００ｐｓ，有的可达２００ｐｓ。     

一种基于双极工艺的大电流高输出电阻恒流源

基于双极工艺,设计了一种同时具备大电流和高输出电阻特性的恒流源电路。该恒流源采用发射极输出的结构,使恒流源的输出电阻对输出电流不敏感,从而在大电流情况下保持较大的输出电阻。该结构适用于需要提供稳定大电流的集成电路,例如功率运算放大器的驱动级前级恒流源有源负载等。     

高性能双极IC工艺新技术

1 引言当代双极IC的发展有以下几种趋势:第一,朝着多功能化发展,包括各种数字逻辑功能,模拟功能,数字模拟兼容功能;第二,朝着高性能发展,包括各种高带宽、高速、高精度功能;第三,朝着功能系统化发展,如各种单片功能部件、单片机和单片系统的发展;第四,朝着功能专用化、高质量高可靠     

CMOS工艺下的温度检测电路的设计

介绍一种在CMOS工艺条件下,温度检测电路的实现方案,对温度检测的原理进行了深入分析,通过具体的电路设计验证了实现方案的可行性。电路在HHNECCZ6H工艺上流片。测试结果表明电路性能稳定可靠,提出的方案切实可行。电路可在-50°C到100°C范围内测温,精度可达正负3°C。     

一种高性能的低温硅双极晶体管

本文设计并研制出在液氮温度下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．６的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平，测量了该器件在７７Ｋ的Ｉｃ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。     

高频互补双极工艺探析

本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极工艺作了一粗略分析。并结合作者在ＣＢ工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平、提出了两种现有技术条件下可以实现的ＣＢ工艺。     

双极晶体管结温分布不均匀性的电学测量方法

用Δ VBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度 ,流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流变化而变化 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得的结温的变化范围小于芯片上实际的最低结温和最高结温之差。根据晶体管测量结温的这一性质可以半定量地判断晶体管结温分布的均匀性。     

通用于GaAs MESFET和HEMT的精确I_(ds)模型

回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。     

SOI全介质隔离与高频互补双极兼容工艺

ＳＯＩ材料的全介质隔离技术与高频互补双极工艺的结合是研制抗辐照能力强、频带宽、速度高的集成运算放大器的理想途径，从实验的角度提出了一种ＳＯＩ材料全介质隔离与高频互补双极工艺兼容的工艺途径。     

低温硅双极晶体管电流增益研究

着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应，导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。     

双极型高精度大负载电流集成电压基准源设计

设计并实现了一种基于双极型工艺的2.5V高精度大负载电流集成基准电压源电路,通过对传统带隙基准电路的改进,设计中增加了电源电压分配电路、电流反馈电路和大电流驱动电路,实现高精度大负载电流的目标.通过Cadence软件平台下的Spectre仿真器对电路的温度系数、负载调整率、噪声、交流电源纹波抑制比、负载电流、启动时间等电参数进行仿真验证,得到了初始精度±0.5%,在-40～85℃范围内温度系数小于6×10-6/℃,负载电流0～50 mA,电源电压4.5～36 V,输出为2.5 V的集成电压基准源电路.该电路采用6 μm/36 VK极型工艺生产制造,芯片面积为1.7 mm×2.1 mm,具有过热保护、过流保护和反接保护功能.