LiNbO_3:Fe晶体全息写入中的光感应光散射

研究了两种典型的光束几何配置下 ,Li Nb O3:Fe晶体的光感应光散射。实验表明 ,晶体散射图样的几何结构相同 ,强度分布和偏振状态不同。在双光束作用下 ,以双光束为公共母线、以其交点为顶点形成四个散射光锥 ,各向异性散射出现在 c轴方向。入射光束偏振平面平行于光轴时比垂直于光轴时更易产生光感应光散射。讨论了光生伏打电流以及衍射效率与入射光的角度关系对光感应光散射空间分布和时间特性的影响。结果表明 ,光感应光散射不仅与光生伏打电流的方向有关 ,而且还受初始散射光分布及衍射效率随光束夹角变化的影响     

Mg:Mn:Fe:LiNbO3晶体抗光致散射性能

用提拉法从熔体生长出6mol%Mg,0.1%Mn,0.03?-LiNbO3(Mg:Mn:Fe:LN)晶体.切割后,分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理.对晶体的抗光致散射能力和衍射效率进行测试,结果表明,晶体抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用.     

高浓度LiNbO_3：Fe晶体中写入平面光波导的实验

利用衍射光场辐照高浓度LiNbO3：Fe晶体,通过光折变效应在晶体中写入平面波导。研究了各种实验参数对写入波导特性的影响并测量了平面光波导的横向折射率和周期。实验结果证明,使用辐照法在LiNbO3：Fe晶体中写入平面波导是简便可行的,并且具有允许低功率写入、存储时间较长,光折变灵敏度高的特点。     

Mg∶Mn∶Fe∶LiNbO_3晶体抗光致散射性能

用提拉法从熔体生长出6mol%Mg,0.1%Mn,0.03?-LiNbO3(Mg∶Mn∶Fe∶LN)晶体.切割后,分别对其中两块晶体进行氧化和还原处理.对晶体的抗光致散射能力和衍射效率进行测试,结果表明,晶体抗光致散射能力和衍射效率与氧化、还原处理条件有密切关系,其对晶体进行大容量体全息存储起重要作用.     

Ce：Fe：LiNbO3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了Ce:Fe:LiNbO3晶体,研究了Ce:Fe:LiNbO3晶体在633nm波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的Ce:Fe:LiNbO3晶体和Fe:LiNbO3晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较。实验表明,Ce:Fe:LiNbO3晶体晶体对红光的灵敏度优于Fe:LiNbO3晶体,它是一种优良的体全息记录材料。     

掺杂LiNbO3光折变晶体的高阶衍射效应

观察到掺杂ＬｉＮｂＯ３光折变晶体中的高阶衍射效应，并基于衍射光干涉的理论分析了实验结果。     

Ce:BaTiO_3晶体中的各向异性圆锥型散射的初步研究

在掺Ce浓度为10×10~(-6)的Ce:BaTiO_3晶体中同时观察到了两种在e光入射下的各向异性圆锥型散射,其中一种是很少见报道的分成4瓣的散射光锥.假设其中一种光锥的进一步散射产生了另一种光锥,分别用光折变三波耦合理论以及光生伏特效应理论进行了解释.两种散射光锥的张角的理论计算值与实验测量值符合得非常好,证明了用这两种理论进行解释的正确性同时也证明这两种散射可同时存在于一种晶体之中,而且它们之间还可能存在着一定的联系     

Ce∶Fe∶LiNbO3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了Ce∶Fe∶LiNbO3晶体．研究了Ce∶Fe∶LiNbO3晶体在633 nm波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的Ce∶Fe∶LiNbO3和Fe∶LiNbO3晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较．实验表明,Ce∶Fe∶LiNbO3晶体对红光的灵敏度优于Fe∶LiNbO3晶体,它是一种优良的体全息记录材料．     

Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．研究了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体在 ６３３ｎｍ波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较．实验表明,Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体对红光的灵敏度优于Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,它是一种优良的体全息记录材料．     

Fe:LiNbO_3晶体生长及其光谱特性

叙述了用提拉法从熔体中生长了不同掺量的Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ_３晶体，并进行了氧化处理，对晶体进行吸收光谱测试表明，晶体的光谱特性与掺量、氧化处理条件有密切联系，是一种比较优良的大容量体全息记录介质材料．     

Fe3+离子在LiNbO3:Fe3+体系中的占位研究

本文作者采用对角化三角场中d^5组态离子的完全能量矩阵的方法,研究了fE^3＋离子在LiNbO3：Fe^3＋体系中不同占位时的局域结构与EPR参量的关系。结果表明：在LiNbO3：Fe^3＋体系中,Fe^3＋取代了Nb^5＋,而不是Li^＋,并与发射谱研究结果相一致。     

化学计量比和铜离子对Fe:LiNbO3晶体光学性能的影响

以K2O作助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.测试了晶体的红外光谱,吸收光谱和抗光损伤能力.由红外光谱OH-吸收峰位置,确定Cu:Fe:LiN-bO3晶体是近化学计量比.吸收光谱显示出Cu:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.其抗光损伤能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级.对红外光谱OH-吸收峰移动机理,吸收光谱吸收边移动机理和抗光损伤增强机理进行讨论.通过二波耦合光路测试并计算了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间、灵敏度和动态范围.近化学计量比掺杂LiN-bO3晶体的光学性能优于Fe:LiNbO3晶体.     

Er：LiNbO3晶体生长及光损伤性能的研究

在LiNbO3晶体中掺入Er2O3,利用提拉法生长了Er：LiNbO3,晶体类型分别为Er（1 mol）：LiNbO3,Er（2 mol）：LiNbO3,Er（3 mol）：LiNbO3,晶体Li/Nb=0.94.通过测试晶体的吸收光谱,确定晶体的吸收边发生红移.测试了Er：LiNbO3晶体的荧光光谱,用Er3＋团位束缺陷中心解释了Er3＋的荧光发射性能随Er3＋掺杂浓度的增加而提高的机理.测试了Er：LiNbO3晶体的光损伤阈值,Er（3 mol）：LiNbO3晶体的光损伤阈值相对于其它两种晶体有显著的提高.