垂直磁化膜微畴结构的SEM观察

本文研究了用扫描电子显微镜(SEM)观察垂直磁化膜微畴结构的方法和观察结果。该方法的步骤是在试样表面制作高质量的干粉纹图,然后用高倍率二次电子象进行观察。由于SEM中的二次电子象具有景深大、分辨率高的特点,这项技术可用来研究磁畴的精细结构特征及其在磁化过程中的变化。     

利用磁力显微镜研究倾斜溅射对TbFe薄膜磁性能的影响

磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具已广泛应用于磁性薄膜的研究TbFe磁致伸缩薄膜在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面，以获得较低的面内饱和场Hs。传统的成膜技术难以实现这一目标，采用倾斜溅射方法制备ThFe薄膜可有效降低面内饱和场Hs。通过测量样品的磁滞回线可以发现，易磁化轴随着溅射角度的增加逐渐偏离样品的法线方向，而取向于平行膜面。本研究工作利用MFM研究了不同溅射角度得到的TbFe薄膜的磁畴结构。发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴，与磁滞回线测量得到的易磁化轴方向发生偏转的结果相吻合。     

超细Co/Cu纳米多层膜磁性研究

利用磁控溅射方法制备了纳米Co/Cu多层膜。利用扫描探针显微镜(SPM)观测了其表面形貌和磁畴结构,并通过振动样品磁强计(VSM)测量了磁性。结果表明,薄膜的微结构和磁性随非磁性层厚度的变化有着非常显著的变化。超细Co颗粒构造的多层膜样品,颗粒尺寸逐渐增大,磁畴尺寸先减小后增大,最后发生明显的聚集。磁性金属和非磁性金属的比例对多层膜之间的交换耦合相互作用有显著影响。平行膜面方向上的饱和场明显小于垂直膜面方向。当体积比约为1∶80时,平行膜面方向饱和场为95.9 kA/m,垂直方向饱和场为328.1 kA/m。此时两个方向上的饱和场、剩磁、矫顽力和磁滞损耗均为最小值。     

用克尔磁光效应对(Sm、Gd、Er)Co5磁畴结构的研究

本文介绍了利用克尔磁光效应观察(Sm Gd Er)Co,的磁畴结构,研究了两个内禀矫顽力相差较大的样品在分级磁化和退磁过程中磁畴结构的变化。结果表明,该材料的矫顽力主要受成核机制的控制。因此,为了提高磁体的性能,就应当抑制早期反磁化核的生成,为此,就要求保持成份精确、均匀,提高磁体的致密度,减少杂质、孔洞等缺陷,使磁畴取向尽可能一致。     

钴铬垂直磁化膜的显微形貌和磁畴结构

用电子束蒸镀和二极直流溅射方法分别制备了钴铬垂直磁化薄膜。1)用VSM及X射线薄膜磁化强度取向摆动曲线的Δθ50等方法做了磁性等测量,结果表明蒸镀和溅射两种方法都能制备出优质钴铬垂直磁化薄膜;2)对Co-Cr垂直磁化薄膜的成分分布及微观形貌用高分辨透射电镜作了晶粒形貌、选区衍射和纳米束斑的能谱分析等研究。其中成分分布结果表明晶界处钴的集聚偏多,而非国际上流行的铬偏多;3)用STM作了晶粒形貌及表面起伏曲线,用AFM、MFM(磁力显微镜)分别做了同一区域晶粒形貌和相应磁畴结构的比较,实验都获得了很好的结果。钴铬固溶体薄膜是典…     

磁性石榴石薄膜的磁力显微镜研究

本文采用磁力显微镜（ＭＦＭ）对磁性石榴石（ＹＧｄＢｉ）３（ＧａＦｅ）５Ｏ１２薄膜的磁畴结构进行了观察研究。实验结果表明，磁性针尖的磁特性进行对石榴石ＭＦＭ图像的影响较大，而且随着针尖与样品间距的增大，磁针尖对石榴石畴结构的影响有所降低。另外，改变针尖的磁化方向，得到的石榴石磁畴结构也有所不同。     

用背散射电子象观察Y-Ba-Cu-O超导区分布初探

许多研究工作1.表明高 TcY-Ba-Cu-O 超导材料属颗粒超导,超导区之间以弱连接的方式相耦合,而目前对超导区的分布和大小尚无直接观察的报导。从应用角度,研究不同工艺条件对超导区分布的影响是十分必要的。我们选用密度约5.5g/cm~3的Y Ba_2Cu_3O_(～7)样品,零电阻温度Tc=92k,在液氮温度下的交流抗磁比为82％,样品编号分别为53-2-3和5C-1A。用改进的观察磁畴的粉纹技术将上述两种试样表面抛光,分别在液氮温度和室温,都在低压氩气氛中对试样表面溅射镀钴(Co),溅射时加一弱磁场。由于样品表面的超导区具有抗磁性,磁性颗粒仅附着于非超导区。在室温下材料处于非超导态,钴在试样上是均匀分布的     

FePt纳米粒子有序膜结构的SPM研究

采用化学合成方法制备了单分散的FePt磁性纳米粒子，通过对纳米粒子的操纵与排布制得了磁性纳米粒子单层膜和多层膜，并利用扫描探针显微技术(SPM)和X射线粉末衍射(XRD)考察了磁性纳米粒子膜中FePt纳米粒子的形貌、粒度分布和表面聚集状态。研究结果表明在磁性纳米粒子单层膜中，磁性纳米粒子分布均匀、排列紧密，且多层膜在膜累加方向是具有周期结构的有序组合体。     

SmCo非晶垂直磁化膜的TEM研究

由轻稀土Sm和3d过渡族金属Co组成的SmCo非晶垂直磁化膜具有独特的磁、磁光和磁电性能,是制作高密度存贮器件和薄膜传感器的一种很有前途的材料。本文用透射电子显微镜(TEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo非晶磁化膜的显微结构特征及其与成份、温度的依赖关系。讨论了非晶态SmCo磁化膜的形成过程及其结构对磁光特性的影响。实验结果表明:1.SmCo非晶磁化膜的典型结构是由直径约30A的高密度柱状区和一个低密度的网络组成的,如图1所示,图中右上角的电子衍射插图表明该结构是典型的非晶态。2.Sm_xCo_(100-x)(15相似文献   

准晶还是孪晶?

在研究高温合金中μ相、Laves相等拓扑密排相(又称Frank-Kasper相)的微畴结构时,我们观察到10次或5次对称的电子衍射图。这些合金相结构主要是由具有5次对称的反棱柱密排而成。在微畴结构中(微畴的尺寸只有几纳米),各个相的点阵平移对称只局限在这样小的范围内,再加上各个畴的取向不一致,因此平移对称显示不出来。另一方面,在这些相的不同畴中,甚至在不同的拓扑密排相中,5次反棱柱的取向都是一致的,容易     

AlNiCo5与AlNiCo9显微结构与磁性能研究

对比研究了AlNiCo5和AlNiCo9两种磁体的显微结构和磁性能。结果表明:常温下,AlNiCo5磁体易磁化方向的剩磁明显高于AlNiCo9,但矫顽力和最大磁能积较低,AlNiCo9的矫顽力为125.34 kA/m,最大磁能积为77.99 kJ/m~3。利用XRD研究AlNiCo5和AlNiCo9磁体的相结构,发现两者均存在强磁性α_1相和弱磁性α_2相,且均为体心立方结构。利用透射电子显微镜观察发现AlNiCo9磁体中的α_1相均匀分布在α_2相中,且两个α_1相之间Cu、Ni的聚集起到了桥梁的作用。利用磁力显微镜观察两种磁体的磁畴形貌,发现AlNiCo9的磁畴呈现球形的迷宫状,AlNiCo5呈现为长条状。     

GaAs衬底上Mn／Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应

利用超高真空电子束蒸发技术GaAs(100）上生长Mn/Sb多层膜,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律,退火前Mn/Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性,其易磁化轴在膜面内,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成,未能观测到纵向（H//平面）克尔效应,经350℃、20min退火的样品显示了最大饱和磁化强度Ms和最小矫顽力Hc,X射线衍射测量表明膜为MnSb单晶并具有均匀的铁磁特性,能观测到显著的要有向和纵向磁光克尔效应,其随磁场变化表现出相应于磁化强度的磁带行为。     

TiO2超细微粒的有序组装

将水解法制备的ＴｉＯ２超细闰溶胶液滴于水平旋转的高取向热解石墨（ＨＯＰＧ）基底上，可形成一定面积的有序性排列较好的二维结构，基底ＨＯＰＧ具有原子级粗糙度表面。沿液膜铺展方向取点进行原子力显微镜观察，证实了在扩展液膜边缘的ＴｉＯ２超细微粒有序性最好，而且粒径最小；造近落滴位置处，粒子多聚集成一定的畴结构，粒子的粒径也增大。此外，对比观察了落滴于水平云母基底上形成膜的表面形貌，进行了相应的讨论。     

G1J50M合金磁性能退化预报模型与微观机理

为丰富可靠性工程的基础研究,针对温度加速试验的G1J50M软磁合金进行显微组织与磁性能演化规律分析。G1J50M合金在加速贮存期间饱和磁化强度发生不可逆退化。加速贮存破坏了G1J50M合金畴壁附近磁矩的排列,磁畴形状改变,畴宽分布范围增大,从而使自发磁化场强度逐渐减弱。G1J50M合金饱和磁化强度值在贮存当量20年内退化约4.82%。基于磁畴宽度的磁性能退化预报模型将有助于指导并优化稳定化贮存工艺。     

电气和电子工程用材料科学

1,N04 95040054材料家族中的明珠—功能材料/饶酒进(电子部10助11电讯技术一1995,35(2)一礴5一碍s 文章介绍了目前国内外常用的功能材料的种类、特性、应用范围以及发展前景,可供选材时借鉴.(谢 采用蒸发法制备了C。/A1多层膜,研究了该多层膜的界面效应和维度效应.多层膜的磁饱和弧度Ms因界面效应随C。厚度减小而下降,并存在一个0.68nm的磁性死层.磁性减小时,.Ms随温度下降更快,表现出低于三维的低维磁性特征.图5参12(木)TB43,TN305.3 95040055Ar离子注入YIG单晶薄膜的磁光特性/欧阳嘉,何华辉哗中理工大学固体电子学系)11压电与声光,…     

利用MFM研究薄膜厚度对Co60Fe20820薄膜磁畴结构的影响

本文利用磁力显微镜（MFM）主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化（2．5nm-400nm）对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高。当薄膜厚度小于20nm时，磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大；当薄膜厚度大于20nm时，磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小；厚度在20nm附近时，畴壁尺寸达到一个最小值。     

利用MFM研究薄膜厚度对Co60Fe20B20薄膜磁畴结构的影响

本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm～400nm)对薄膜磁畴结构的影响.在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大.从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高.当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值.     

μ相的平移畴与旋转畴

用JEM200CX电镜研究了GH128合金的析出物—μ相的畴结构,提出了畴界的原子结构模型。图1是沿[110]方向观察的μ相晶体的结构象及计算模拟象。在适当的成象条件下结构象的白点分布构成3~3 4~2网格,与μ相的五角反棱锥体有一一对应关系。图2是在μ相晶体里视察到的平移畴及旋转畴。图中箭头及字母P表示平移畴界,R表示旋转畴。有些平移畴内还出现MgCu_2畴(U处)及孪晶。(1)平移畴:平移畴界有(111)和(221)两种图3a是畴界为(111)的μ相平移畴的结构象。具有相同取向的μ相畴并列连接在一起构成(111)畴界两个平移畴之间的匹配是完整的,无畸变,在畴界形成两侧μ相畴之间的过渡结构。(111)畴界可以看成为与两侧μ相畴连接的4片(Co,Si)_(?) V_2类结构片(图3b)。(221)平移畴界有两种。第一种(221)畴界可以看成为旋转     

高Jc氧体物超导薄膜的XHREM研究

XHREM——横断面HREM技术是研究薄膜,特别是外延膜的结构和膜与衬底晶格间匹配情况以及衬底表面平整性对外延膜影响的有力工具。本文对用了磁控溅射法在SrTiO_3和LaAlO_3两种衬底上制备的高T_c氧化物超导薄膜的界面状态及膜的微观结构等做了晶格象观察。所观察的薄膜是超导临界电流密度(J_c)大于10~6A·cm~(-2)的高质量的YB_aCuO膜和GdBaCuO膜。图a是在SrTiO_3衬底上制备的GdBaCuO膜XHREM象。图中上半部是沿b轴方向投影的GdBaCuO膜的晶格象,晶格间距为11.6A和3.82A。下半部为沿SrTiO_3单晶(100)方向投影的晶格象。晶格间距为2.7A的二维点阵。从图a可知用磁控溅射法在SrTiO_3衬底上制备的高J.GdBaCuO膜基本上是C轴方向垂直膜面的单晶膜。图b是在     

Fe3O4/P(St-AL)磁性微球的制备和复合微相结构

适当修饰磁性氧化铁粒子,并采用种子聚合法将苯乙烯和丙烯醛等单体的共聚控制在磁性氧化铁粒子表面,制备出内核是Fe3O4外壳为聚苯乙烯的复合微球.这种微球是一种既具有磁响应性,表面又含有反应性基团(醛基)的功能性复合微球.如果在其表面连接酶、抗体、亲和素等生物活性物质,即可制得高效、易分离的生物反应器.本文研究了Fe3O4/P(St-AL)磁性复合微球的制备及微相结构,考察了影响该微球粒径、磁响应性和表面特性的有关因素.