S波段低噪声放大器研究

本文主要在对低噪声放大器研究现状进行整体论述的基础上,结合S波段低噪声放大器原理对低噪声放大器的设计优化进行分析讨论。     

S波段低噪声放大器的ADS仿真与设计

介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。     

基于ADS的S波段低噪声放大器设计

本文详细研究了低噪声放大器的设计方法,总结了具体流程,并结合电路仿真软件ADS,实现了一款工作于S波段的低噪声放大器。仿真实验表明：该放大器2．4～2．5GH在范围内,稳定系数K〉1,增益Gain〉14dB,噪声系数NF〈0．865,输入输出驻波比分别小于1．786和1.25,结果均达到指标要求。     

S波段低噪声放大器设计

首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.     

射频低噪声放大器设计与仿真

为了提高接收机接收灵敏度及通信距离,设计了一种433 MHz频段两级低噪声放大器。使用了一种在集电极串联感性反馈,使放大管处于绝对稳定状态的方法,采用等噪声圆及等功率圆进行了低噪声放大器的仿真设计,分析了放大管的稳定性、噪声系数、增益等参数。仿真及测试结果表明低噪声放大器在433 MHz频段,噪声系数0.6 dB,输入输出驻波比1.5,增益26 dB,将设计的低噪声放大器应用在433 MHz通信模块中,通信距离有显著提高。     

S波段低噪声放大器CAD设计

介绍了S波段低噪声放大器 (LNA)的设计原理 ,对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。与以往同类文章有很大不同 ,文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响 ,并针对这些因素进行软件仿真计算 ,最后给出工作带宽为 2 .0～ 4.0GHz、增益G >2 2dB、噪声系数NF <0 .7dB的两极低噪声放大器的仿真结果和最终的微带电路     

致冷L波段低噪声HEMT放大器

本文介绍致冷L波段HEMT放大器的设计与测量结果。室温下,放大器的最低噪声温度为34.4K,当致玲到15K时,在1.0到1.5GHz的频带内,放大器的平均噪声温度为2.1K,最低噪声温度为1.5K增益为34.8±0.7dB,反射损耗20log 1/|S_(11)|大于10dB。     

C波段低噪声放大器的仿真设计

基于使LNA在5.5G~6.5G Hz频段内具有优良性能的目的,本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,电路采用二级级联放大的结构形式,利用微带电路实现输入输出和级间匹配,通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终...     

C波段低噪声放大器设计

对低噪声放大器(LNA)匹配电路和偏置电路等与LNA设计相关的问题，尤其针对设计微波LNA主要的难点，即噪声匹配和功率匹配的兼顾以及全频带稳定的实现问题作了简要回顾和介绍。作为应用，借助商用CAD软件设计了三级放大管级联结构的C波段LNA，其每一级均为NE334S01高电子迁移率场效应管(HENT)，仿真结果令人满意。按此设计加工的LNA具有低噪声(常温下典型噪声系数为0.6dB)、小的端口反射(回波损耗好于15dB)、平坦的增益(30dB增益，典型带内波动为0.5dB)以及良好的稳定性。由于测试结果和仿真偏离不大，因此无需任何调试，可重复性好，适于大批量生产。     

基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计研究

低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5～6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电路采用三级级联放大结构形式,并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计,最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB,噪声小于1.5 dB,输入输出驻波比小于2,达到设计指标。     

高性能低噪声放大器的设计

低噪声放大器（LNA,Low Noise Amplifier）能有效放大射频小信号,降低系统的总体噪声,提高接收机的灵敏度。该文介绍了低噪声放大器的主要性能指标和设计方法,该电路选用ATF-54143晶体管,采用两级放大,利用Agilent ADS软件完成一个S波段低噪声放大器的偏置电路以及输入、级间和输m匹配的设计和仿真。本设计中,在源极加入短路微带线形成反馈作用,从而提高稳定性。最后对仿真完的电路进行了加丁测试。经测试,在2.15-2.65GHz的频带内,获得了27-2-28.1dB的增益,增益平坦度小于±0.9dB,噪声系数小于ldB,输入电压驻波比为l.048-1.640,输出电压驻波比为1.120-1.840,在中心频率点2．4GHz上．输出功率ldB压缩点为162dBm。     

基于ADS的X波段低噪声放大器的设计与仿真

主要介绍了低噪声放大器的设计理论及用Agilent公司的ADS仿真软件进行X波段低噪声放大器的设计和仿真。在设计的过程中选择了NEC公司的HEMT管NE3210S01,HEMT管与FET相比较,其噪声系数更低,增益和工作频率更高。进行阻抗匹配采用的拓扑结构是并联导纳式结构,即利用串联微带传输线进行导纳变换,然后并联一个微带分支线,微带线的终端开路(或短路),用其输入导纳作为补偿电纳,以达到电路匹配。最后给出了仿真结果、版图设计及实测结果。     

利用ADS 仿真设计射频宽带低噪声放大器

主要介绍了运用Agilent 公司的ADS 仿真软件进行宽带低噪声放大器的设计和仿真。选用FUJITSU 公司生产的砷化镓场效应管FHX13X,用ADS 软件进行设计、仿真和优化,实现了在2.5 GHz～3.5 GHz 较宽频带范围内,单级和两级宽带低噪声放大器的设计。     

基于ADS仿真的数字对讲机LNA设计

这里首先简单介绍了低噪声放大器（LNA）电路的设计理论,然后介绍了数字对讲机中LNA的设计指标。基于这些指标,使用了HP公司提供的芯片AT-41511,详细阐述了基于ADS仿真的适用于数字对讲机中LNA的主要设计步骤。最后在ADS仿真软件下通过s参数及谐波平衡仿真得到设计出的LNA的各项性能参数,在400-470MHz频率范围内噪声系数小于0．8dB,带内增益大于15dB。仿真结果表明,该设计的LNA可以完全满足所给的性能指标要求。     

基于ADS的射频低噪声放大器的设计与仿真

应用E-PHEMT器件ATF-58143设计了一款增益约20 dB,噪声系数小于0.5 dB的低噪声放大器。采用负反馈保证系统的稳定性,利用匹配网络保证了低噪声系数和高增益。结合该实例介绍了借助ADS软件进行低噪声放大器的设计方法,给出设计步骤,并对仿真结果进行了分析,对于LNA的研究与设计具有重要意义。     

小型化模块化低噪声放大器设计

为了便于工程化生产与设备维护,采用频率补偿匹配网络的电路结构,设计3种小型化模块化的低噪声放大器,外形尺寸为12.7 mm×12.7 mm×2 mm,工作频段分别为1.1～1.7 GHz、1.7～2.4GHz和2.4～3.0 GHz。基于单个晶体管ATF-54143进行电路直流偏置、输入输出匹配和稳定性等设计,运用EDA工具ADS对放大器进行线性与非线性性能仿真,对印制板进行电磁场与电路的混合仿真及元件参数优化。完成放大器的装配、调试与测量,实测噪声系数〈1.5 dB,增益平坦度〈2.2 dB,满足设计要求。     

X波段低噪声放大器的设计与仿真

文中提出了一种X波段雷达接收机前端低噪声放大器的设计,该放大器选用性价比较高的伪形态高电子迁移率晶体管ATF36077,两级放大器电路分别按照最佳噪声系数和高增益的要求进行网络匹配设计。在设计过程中,引入噪声量度概念对总体电路的指标进行衡量,利用商业软件ADS进行电路的仿真与优化设计。仿真结果表明,该低噪声放大器在9310 MHz~9510 MHz 工作频段内,其噪声系数优于0.51 dB,增益大于20 dB,输出1 dB 压缩点为12.8 dBm。绘制版图,通过合理布局,整体结构紧凑,尺寸仅为42 mm×30 mm,可应用于X波段船舶导航雷达接收机前端中。     

S波段低噪声放大器的分析与设计

介绍了S波段低噪声放大器（LNA）的设计原理和流程。对影响电路稳定性和噪声性能的、易被忽视的因素进行了详细分析。文中重点分析实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响，并针对这些因素进行了软件仿真计算，最后给出了放大器的仿真结果和最终的微带电路。放大器设计为两极结构，采用GaAsFET器件和双电源电路设计形式，达到了预定的技术指标，工作带宽2．0～4．0GHz，增益G〉22dB，噪声系数NF〈0．7dB。     

射频宽带低噪声放大器的设计与仿真

介绍了一种射频宽带低噪声放大器的设计过程,包括稳定性分析、偏置电路设计和匹配电路设计等内容.设计采用E-PHEMT晶体管(ATF-55143)器件模型和其他元件模型.通过采用ADS技术进行电路和电磁仿真,结果表明设计的放大器完全满足性能指标要求.     

双频带低噪声放大器设计

基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款能够在1.8 GHz和2.4 GHz不同频段带独立工作的低噪声放大器.放大器使用噪声性能优良的SiGe HBT,采用Cascode结构减少米勒效应的影响.输入电路采用由两次连续的频率变换和电路转换得到的双频滤波电路,输出端用射随器实现50Ω阻抗匹配.结果表明,该低噪...