一种基于倍频技术的低相噪X波段频率源设计

为得到低相噪的X波段微波信号,运用微波倍频技术的原理设计了一种频率源。分别针对双极晶体管和场效应管倍频电路进行了具体分析和工程调试。最终完成的频率源实现了低相噪性能,相噪指标为-87 dBc@100 Hz,-102 dBc@1 kHz,-110 dBc@10 kHz。测试结果表明倍频电路除损失理论上的相位噪声外,基本不附加噪声。     

一种低相位噪声采样时钟源的设计

分析了锁相环频率合成器与数字直接频率合成器的原理,阐述了二者性能的优劣。并在此基础上设计了一款低相位噪声的采样时钟源。该频率源结合锁相环和直接数字频率合成器的优势,在75 MHz时相位噪声可达-119 dBc@1 kHz、-116 dBc@100 kHz。     

X波段LFMCW雷达频率源的设计与实现

设计并实现了一种X波段LFMCW雷达的频率源,通过使用DDS直接去激励PLL的技术,以AD9956和ADF4002为核心芯片,充分使用ADF4360-X等系列频率合成芯片,采用仿真设计软件ADS和ADIsimPLL完成了电路参数的设计,并讨论和分析了整个系统的相位噪声以及所需要考虑的一些问题。最后经过实验验证得到了本项目需要的频率为9.2~9.4GHz、频率步进25kHz、调制周期2.4ms、相位噪声-85dBc@100kHz的三角波调频信号。     

一种基于PLL的P波段可控频率源

介绍了一种P波段可控频率源的设计方案和相关理论,采用PLL即锁相技术实现P波段的频率产生,具有相位噪声低,杂散低的特点。利用单片机作为数据处理核心对锁相环的鉴相器进行置数和控制,实现了480~540MHz、步进为1MHz的可控频率输出。该频率源的主要性能指标为：输出频率480~540MHz,频率步进为1MHz,相位噪声优于-82dBc@1kHz,杂散抑制优于-60dBc,锁相环直接输出功率为0.6~1.1dBm。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/164388.htm     

低相位噪声微波频率源的研究

通过对微波频率源相位噪声的分析,针对一个C波段微波频率源低相位噪声的要求,对比分析了直接倍频、数字锁相以及高频鉴相之后再倍频三种方案之间的相位噪声差别。最终得出采用直接在超高频(UHF)波段对输入信号进行模拟鉴相并锁定之后再倍频才能达到所要求的相位噪声指标。对制成的样品进行了测试,取得了预期的相位噪声指标。该C波段微波频率源的相位噪声可以达到:≤-120 dBc/Hz@1 kHz,≤-125 dBc/Hz@10 kHz,≤-130dBc/Hz@100kHz,≤-140 dBc/Hz@1 MHz。直接在UHF波段进行高频鉴相的技术,通过提高鉴相频率大幅降低了微波锁相频率源的相位噪声。     

基于锁相环的L波段频率源设计与实现

介绍了一种L波段的频率合成源的设计与实现方法,采用电荷泵锁相环来实现.该法设计的频率源具有低相位噪声、低杂散和高频率稳定度等特点,经过测量所做实物表明:相位噪声为-80.4dBc/Hz@1kHz;杂散抑制优于-55dBc;输出功率大于6dBm.满足项目的指标要求,并且,电路结构简单,体积小巧,性能优良,能够用于实际电路...     

P波段频率源的设计

文中介绍了一种P波段频率源的设计和实现方法及相关理论,采用锁相技术实现的该P波段频率源具有相位噪声低,杂散低等特点,已经用于某通信设备中。其主要技术指标如下:输出频率为800MHz,在10kHz处的相位噪声优于-90dBc/Hz,杂散抑制优于65dBc,由最后的测试结果可知,采用该方法设计的频率源能保证低杂散的指标要求同时又能显著地改善相位噪声水平,可广泛用于通信设备和测试系统中。     

一种X波段小型化频率综合器的设计

介绍了一种低杂散的小型化X波段频率综合器。基于SMT工艺,采用间接频率合成技术,使用锁相环、压控振荡器芯片、3阶无源环路滤波器和前置分频器实现频率综合。介绍了小型化的设计思路。仿真和测试结果表明,设计的频率综合器输出频率为9.2GHz,相位噪声优于-87dBc/Hz@10kHz,杂散优于-87.5dBc。该电路具有相噪低、杂散低、结构简单等优点,可广泛应用于通信、雷达等领域。     

高频谱纯度小步进频率合成器的设计与实现

讨论了一种杂散抑制高,频率步进小及相位噪声低的频率合成器的设计方法。设计采用混合式频率合成技术,研制实现了S波段频率合成器,实验结果表明,该频率合成器输出信号频率步进100 Hz,相位噪声优于-115dBc/Hz@10kHz,杂散抑制大于80dBc,跳频时间140μs。     

X波段低相噪细步进频率合成器的研制

采用多种频率合成技术,包括DDS技术、PLL技术等,设计了一种带宽200 MHz、全频带相位噪声小于-115dBc/Hz@5kHz、步进频率小于0.1Hz的X波段频率合成器。混频锁相模块中的偏移频率跟随输出频率跳变,从而实现全频带内相位噪声指标基本一致。设计了动态防失锁电路,以解决偏移频率跳变引起的失锁和错误锁定问题。研制结果验证了方案设计和电路设计的可实现性。此频率合成器特点是在X波段兼顾细步进、低相位噪声和高杂散抑制等各项指标。     

基于LTCC 技术的Ka 波段频率合成器

本文介绍了把LTCC 技术和频率合成技术结合起来实现的Ka 波段频率合成器,采用带小数分频的双环结构同时实现了低相位噪声和高频率分辨率,并结合LTCC 技术,在表面安装有源器件,无源器件集成在基片内部,这样可以进一步提高系统集成度,实现小型化目标。该频率合成器输出频率为34.8GHz-35.2GHz,步进2MHz, 相位噪声为-5dBc/Hz@1kHz,-80dBc/Hz@10kHz,-90dBc/Hz@100kHz,通过合理布局,该频率合成器面积仅为42mm×49mm,与文献[2]相比面积缩小了37%。     

X波段低相噪频率综合器设计

介绍了一种X波段低相噪频率综合器的实现方法。采用混频环与模拟高次倍频相结合的技术,实现X波段跳频信号的产生。采用该技术实现的频率综合器杂散抑制可达-68 d Bc,相噪优于-99 d Bc/Hz@1 k Hz,-104 d Bc/Hz@10 k Hz,-106 d Bc/Hz@100 k Hz。重点论述了所采用的低相噪阶跃倍频的关键技术,详细分析了重要指标及其实现方法,实测结果证明采用该方法可实现给定指标下的X波段低相噪频率综合器。     

一种高精度低温漂振荡器设计

针对无线通信和微机械传感器系统对时钟相位噪声的要求,设计了一种高精度低温漂的振荡器电路设计。利用Leeson线形相位噪声模型分析相位噪声,降低了主要噪声源,达到优化相位噪声的目的。该电路在华润上华018 μm工艺平台上流片验证。测试结果显示,电源电压在22~36 V变化,温度在-35~85 ℃变化,频率变化为-2％～+05％;相位噪声-116 dBc＠1 kHz;4 000个周期的抖动在-12%～+12%。该电路已成功集成到微机械陀螺仪控制芯片中。     

Low phase noise heterojunction bipolar transistor oscillator

A low phase noise, heterojunction bipolar transistor (HBT) oscillator has been designed and fabricated for operation at X-band. The common emitter oscillator employs a high-Q dielectric resonator as the parallel feedback element between the base and collector terminals. Series capacitive feedback is used in the emitter to enhance the oscillator's negative output impedance. Single-sideband FM noise levels of -76 dBc/Hz and -102 dBc/Hz have been achieved at 1 kHz and 10 kHz frequency offsets, respectively, for an 11.06 GHz carrier frequency. This is one of the lowest phase noise levels ever reported for an X-band solid-state transistor oscillator.<>     

基于HBAR的X波段低相噪频率合成方法

基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的高Q值梳谱信号产生的特性提出了一种低相位噪声频率合成方法。该文根据HBAR的工作原理,采用HBAR与声表滤波器级联的方法共同构成低噪声振荡环路直接产生S波段信号,然后通过四倍频模块输出X波段频率信号。采用HBAR与声表滤波器串联的方式提高了带外频响抑制,输出的2.2GHz信号的相位噪声达-118.9dBc/Hz@1kHz,四倍频后得到的X波段信号8.8GHz的相噪达到-107.4dBc/Hz@1kHz。     

ZnO掺杂对PNN-PZT陶瓷结构及压电性能的影响

通过传统的固相烧结法制备了Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(ZraTib)_(0.5)O_3+x%ZnO(PNN-PZT+x%ZnO,质量分数x=0.2,0.4,0.6,0.8)压电陶瓷,该文研究了不同ZnO含量对PNN-PZT压电陶瓷的微观形貌、相结构及压电性能的影响。通过X线(XRD)表明,过量的ZnO加入使压电陶瓷出现焦绿石相;通过扫描电镜(SEM)分析表明,当x>0.4时,ZnO的加入由于烧结温度的降低,晶界不明显。实验表明,烧结温度为1 190℃保温2h,ZnO的掺杂量x=0.4时,压电材料的综合性能最好:介电常数εr=5 596,介电损耗tanδ=2.12%,压电常数d33=534pC/N,机械耦合系数kp=0.53。     

X波段低相噪合成频率源设计

利用阶跃恢复二极管的强非线性特征和50MHz参考源,设计出一种高效率微波梳状发生器基准信号源,并通过此信号源采用谐波双混频合成法研制出低相噪、高杂散抑制的X波段跳频频率源。主要性能参数实测结果为:输出频率7.6～8.5GHz,频率跳频间隔50MHz,相位相噪≤-105dBc/Hz/1kHz、杂散抑制≤-60dBc。     

Design of 3 mm Band Hopping Frequency Synthesizer

With the combination of the technique of PLL, DDS and multiplier, a 3 mm band hopping frequency synthesizer with high frequency stability and low phase noise has been presented, which is characterized by nice performances. The design includes an X-band hopping frequency source, which is the LO for millimeter-wave harmonic mixing. Once the interim frequency being locked by the phase-locked loop, the corresponding 3 mm hopping frequency would be locked. Measurement result shows that the output frequency is 93.24～93.748 GHz, the bandwidth is 508 MHz, the stepping frequency is 4 MHz, and the phase noise is about -82dBc/Hz at 10 kHz offset.