YCaO(BO3)3晶体电弹常数的测量

首次测量了ＹＣａ（ＢＯ３）３晶体的全部压电应变常数、压电应力常数、弹性柔顺常数、弹性刚度常数以及介电常数。     

YCaO(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了 YCa O(BO3) 3晶体的全部压电应变常数、压电应力常数、弹性柔顺常数、弹性刚度常数以及介电常数。     

GdCa_4O(BO_3)_3晶体电弹常数的测量

首次测量了ＧｄＣａ_４Ｏ（ＢＯ_3）_3晶体的全部介电常数、压电应变常数和部分机电耦合系数。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

GdCa4O(BO3)3晶体电弹常数的测量

首次测量了GdCa 4O(BO3)3晶体的全部介电常数、压电应变常数和部分机电耦合系数.     

La3Al0.5Ga5Ta0.5O14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Al0.5Ga0.5Ta0.5O14(简称LAGT)单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数,并和La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)作了比较。LAGT的介电常数1ε1=22.8,3ε3=72.4;压电应变常数d11=7.6 pC/N,d14=-4.37 pC/N;弹性柔顺常数s1E1=9.45 pm2/N,s3E3=5.59 pm2/N,s1E2=-2.95 pm2/N,s1E3=-2.20 pm2/N,s1E4=-2.58 pm2/N,s4E4=21.43 pm2/N,s6E6=24.80 pm2/N。     

RbTiOAsO4晶体弹性常数的测量

测量了RbTiOAsO     

RbTiOAsO_4晶体弹性常数的测量

测量了ＲｂＴｉＯＡｓＯ４（ＲＴＡ）晶体的弹性常数,即弹性柔顺常数,弹性刚度常数。     

ZnCd(SCN)4晶体的电学性能和电光性能

测量了 Zn Cd(SCN) 4晶体的介电常数和直流电导率 ,结果为 :介电常数 εa=6 .9,εc=7.4。直流电导率ρa=4 .6× 10 1 0 Ω· cm,ρc=1.4× 10 1 1 Ω· cm。并用干涉法测量了该晶体的全部压电应变常数和电光系数 ,其结果为 :压电应变常数 d31 =1.5 p C/N,d36 =9.5 p C/N ,d1 4=1.6 p C/N,d1 5=15 .3p C/N;电光系数γ1 3=0 .0 4 pm /V ,γ6 3=9.4 pm /V,γ4 1 =1.3pm /V ,γ51 =1.7pm/V。     

大尺寸高密度压电陶瓷的制备与研究

该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损耗小于2%;采用干压加冷等静压成型,并优化烧结工艺,制备出该压电材料密度达到理论密度值的99%,尺寸为?170mm×15mm的大尺寸压电陶瓷块体,为大口径变形镜用玻璃基压电陶瓷薄膜的研制奠定了基础。     

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

PZT压电陶瓷的总剂量辐照效应实验研究

采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料,并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验,对辐照前后PZT材料的介电和压电性能参数进行了测试和比较。实验结果表明,PZT材料平行平板电容器的压电性能抗总剂量水平可达2×108rad(Si),领先国际水平。     

1-3-2型压电复合材料的研制

基于Newnhm复合材料串、并联理论,推导了计算1-3-2型压电复合材料的介电常数和压电常数的公式。经反复试验,研制了两批1-3-2型压电复合材料样品。测试结果表明,1-3-2型压电复合材料性能参数的理论计算值与实测结果相符．