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采用射频磁控溅射技术,以WO3陶瓷靶为原料,在透明导电氧化铟锡(ITO)玻璃上沉积了非晶相WO3薄膜,研究了溅射功率对薄膜结构及光学性质的影响,并研究了WO3薄膜的电致变色特性。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射技术(XRD)表征了薄膜的表面形貌和内部结构;利用UV-Vis分光光度计表征了薄膜在变色前后的光学透过性质,利用电化学测试工作站研究了WO3薄膜的电致变色性质,并从原理上分析了WO3薄膜的变色机理。研究结果表明,不同功率下获得的WO3薄膜均为非晶结构,在可见光范围内有较高的透过率。透明的WO3薄膜在负向电压下逐渐转变成深蓝色,且在撤去电压后其颜色不变,当施加正向电压时,薄膜又转换为透明态,表现出良好的电致变色特性。所制备WO3薄膜在550nm处褪色态的透过率为83%,着色态的透过率为29%,使得该薄膜在智能窗方面具有广阔的应用前景。 相似文献
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混合氧化物电致变色器件 总被引:1,自引:0,他引:1
本文考察了WO3:TiO2混合氧化物电致变色的机理及WO3:TiO2厚度不同的器件的电致变色特性。结果表明:WO3:TiO2混合氧化物电致变色的过程符合电化学氧化还原反应,在电场作用下,着色前后离子价态发生可逆变化,着色后膜层处于混合价态离子共存状态。适当的TiO2掺杂量可以改善WO3:TiO2电致变色器件的变色特性、响应时间和器件寿命。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在氧化铟锡(ITO)玻璃上制备三氧化钨(WO3)薄膜,将其在300℃下焙烧2h,再通过电沉积法在表面生长聚苯胺(PANI)薄膜.采用电化学方法、光谱分析法及扫描电镜等测试手段对WO3薄膜、PANI薄膜及PANI/WO3复合膜进行表征,发现复合膜着色态与褪色态透过率差异显著,变色效率(CE)达到57.94 cm2/C,比PANI和WO3薄膜的CE值28.94和10.55 cm2/C分别提高了50%和82%.扫描电镜结果表明,PANI薄膜表面结构疏松,有无序的微孔;而复合膜的结构规整、微孔排列相对有序且表面形貌均匀. 相似文献
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利用离子束溅射结合后退火处理的方法制备了WO3-x(0≤x≤1)薄膜,系统研究了不同退火气氛、退火温度和退火时间等条件对WO3-x薄膜的晶体结构以及电学、光学和电致变色特性的影响。研究发现,当退火温度超过WO3结晶温度后,特别是在湿氧气氛下,退火温度越高、退火时间越长,WO3-x薄膜的结晶度越好,除WO3主晶相显著增强以外,还会陆续出现O29W10、O49W18和WO2等缺氧相;在干氧条件下,更高的退火温度和更长的退火时间都有助于降低WO3-x薄膜的电阻值,也都有助于WO3-x薄膜可见光透过率的提升;WO3-x薄膜电致变色器件在632.8 nm波长处的光学调制值达到了70%左右,表现出良好的电致变色特性。 相似文献
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采用真空热蒸发沉积技术在衬底上沉积了WO3薄膜;以金属W粉为无机原料,溶胶—凝胶技术结合浸渍镀膜方法制备出WO3薄膜,借助SEM、可见光分光光度计、椭偏仪等仪器测量了薄膜的特性。实验表明:热处理使两种方法制得的薄膜致密,折射率增大,WO3颗粒增大;在热处理条件相同的情况下,溶胶—凝胶法制备的WO3薄膜折射率比热蒸镀法制备的WO3薄膜折射率小。 相似文献
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AlN薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点.采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜.利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能.结果表明随着氮气流量的增加,AIN薄膜质量变好,N2流量为8 cma/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm-1处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜.在300~ 900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV. 相似文献