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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
讨论了金刚石颗粒尺寸、形状、表面状况以及包裹体等结构特征对其强度、热稳定性等性能的影响,并对人造金刚石的品级划分进行了探讨。  相似文献   

2.
采用粉末冶金铁基触媒在六面顶压机上高温高压合成金刚石.使用高性能金相显微镜,扫描电子显微镜和X射线衍射仪对合成之后触媒的组织结构进行系统的表征.试验发现,触媒组织主要由粗大的板条状初生渗碳体和细密的共晶莱氏体构成;金刚石生长效果不好时,触媒组织中夹杂有团絮状石墨.分析认为,初生渗碳体极有可能就是金刚石生长的直接碳源,即高温高压下溶解于触媒熔体的石墨首先与触媒合金形成碳化物,在触媒的催化作用下,碳原子自渗碳体脱溶,沉积到金刚石表面,完成金刚石的生长.  相似文献   

3.
触媒合金渗硼对合成人造金刚石性能的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文研究了触媒合金渗硼对合成人造金刚石性能的影响。结果表明,采用渗硼触媒合成金刚石,可提高金刚石的抗压强度、耐热性和优质粗晶粒百分比,但却使金刚石的单次合成产量降低。  相似文献   

4.
5.
关于人造金刚石热稳定性的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈建亚 《福建分析测试》2003,12(3):1826-1827
本文采用热失重实验对人造金刚石的热稳定性进行检测,对人造金刚石质量检查进行探讨,提出应对人造金刚石热稳定性进行检测才能很好地反映材料的客观使用情况的观念。  相似文献   

6.
金刚石微粉在镀液中易漂浮导致电镀镍困难,为获得金刚石微粉电镀镍工艺,本文研究了镀瓶转速和电镀电流对金刚石微粉电镀镍品质的影响。通过对金刚石微粉颗粒在不同镀瓶转速时运动状态进行理论分析,得到了镀瓶转速调节方法,并通过实验确定了不同电镀电流时镀瓶转速的调节范围。采用单因素实验,研究了电镀电流对镀层增重率、形貌和密度的影响。结果表明:镀瓶转速在1~7 r/min范围内,从小到大逐步提高,同时电镀电流不超过3.0 A条件下,能够实现金刚石微粉电镀镍。电镀电流在0.5 A时镀层失重,出现明显退镀现象,在1.0 A时镀层有少部分漏镀现象,在1.5~2.5 A时镀层包裹完整,基本无漏镀;电镀电流在1.0~2.5 A范围时,随着电镀电流增大,镀层增重率逐渐增大,镀层密度逐渐减小。采用低转速低电流、逐步提高镀瓶转速的方法对金刚石微粉进行电镀镍,镀瓶转速在1~7 r/min,电镀电流在1.5~2.5 A时金刚石微粉电镀镍品质较好。  相似文献   

7.
《中国粉体技术》2017,(3):21-25
为了增强电镀金刚石线锯对金刚石颗粒的把持力,提高金刚石线锯寿命,使金刚石颗粒与电镀金属更好地结合,通过振动辅助的摇摆式样品台将金刚石微粉充分分散,使用磁控溅射方法在粒径为30~40μm的金刚石微粉表面镀附金属镍,利用其制备电镀金刚石线锯,借助光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDX)对制备的镀镍金刚石颗粒和电镀金刚石线锯进行形貌和成分表征,研究不同溅射和电镀条件对实验结果的影响;通过自制切割实验装置对比金属化前后的金刚石微粉制备的金刚石线锯对金刚石的把持力。结果表明:磁控溅射表面镀镍能增强电镀金属与金刚石表面的结合,切割试验后金刚石脱落量相比原始金刚石明显从17.4%减少到4.9%。  相似文献   

8.
在Fe-Ni-C体系中高温高压生长金刚石单晶,通过对触媒和金属包覆膜的物相结构表征、相图分析以及热力学计算等方法探讨金刚石形核长大的碳源供给。研究发现:在金刚石形核的初期,由于石墨的不断熔入,触媒熔体会迅速形成对碳的过饱和溶液,并析出初生渗碳体。金刚石单晶合成之后触媒和金属包覆膜的组织与物相均以渗碳体为主。相图分析发现,金刚石的形核长大伴随有渗碳体的分解。热力学计算表明,在金刚石稳定生长区域,渗碳体向金刚石转变的相变自由能比石墨-金刚石的相变自由能更负。由此说明,Fe-Ni-C体系高温高压生长金刚石单晶的直接碳源并非石墨,而是渗碳体,即金刚石单晶来源于渗碳体高温高压的金刚石化而不是石墨的直接转化。  相似文献   

9.
我国人造金刚石用石墨材料的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
石墨材料是人工合成金刚石的直接原料.回顾我国人造金刚石用石墨材料的发展历程,介绍目前金刚石工业专用石墨材料的种类、制备工艺及其相关性能.同时,概要介绍掺杂石墨和采用其他种类石墨材料合成金刚石的研究进展,并对今后人造金刚石用石墨材料的发展进行了展望.  相似文献   

10.
预氧化时间和温度对聚丙烯腈纤维预氧化的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过在线监测聚丙烯腈(PAN)纤维在预氧化过程中热收缩行为,结合纤维预氧化前后性能变化,考察了时间和温度对预氧化的影响.实验结果表明:温度和时间作用不同,即温度作用不能用时间代替.温度在预氧化过程中起决定性作用,要得到较高的环化度,预氧化温度必须超过240℃.  相似文献   

11.
利用型腔体积可控注塑发泡装置制备微发泡聚丙烯(PP)/粉末橡胶复合材料,通过橡胶粒子的分散性以及复合材料的结晶行为,研究不同橡胶粒子对聚丙烯复合材料发泡行为和力学性能的影响。结果表明:橡胶粒子的加入使微发泡聚丙烯材料的泡孔分布细密而均匀,微发泡聚丙烯/马来酸酐接枝聚丙烯/粉末丁腈胶(PP/PP-MAH/NBR)复合材料的发泡质量较理想,其泡孔密度和尺寸分别为7.64×106个/cm3,29.78μm;综合泡孔结构和力学性能,微发泡聚丙烯/聚丙烯接枝马来酸酐/粉末羧端基丁腈胶(PP/PP-MAH/CNBR)复合材料的力学性能最优,与纯PP比较其冲击强度提升了2.2倍,拉伸强度仅仅降低了26%,是理想的微发泡复合材料。  相似文献   

12.
以甲氧基聚乙二醇、马来酸酐、甲基丙烯磺酸钠等为原料,合成一种聚羧酸系高效减水剂,并与聚乙烯醇和超细SiO2粉体进行搅拌配制成喷雾干燥料液,在离心式喷雾干燥塔中对料液进行干燥,制备一种粉末状聚羧酸系减水剂,探讨干燥温度对粉末状聚羧酸系减水剂性能的影响。结果表明:在雾化盘转速为14 000 r/min,进料速率为80 g/min的条件下,随着干燥温度的升高,粉末状聚羧酸系减水剂的含水率下降,而滤渣率和休止角先下降后升高;干燥温度对粉末状聚羧酸结构没有很大的影响;最佳干燥温度为160~200℃。  相似文献   

13.
目的 利用粉末冶金工艺制备了Fe-Ni-Cu-Cr-Si-C(石墨)材料,并且研究烧结温度对材料显微组织、硬度、致密度、耐磨性的影响.方法 在1050,1100,1150℃烧结温度下烧结2 h后得到了3组样品,并利用光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对样品进行组织结构分析.采用布氏硬度计和电子天平分别对样品进行硬...  相似文献   

14.
系统研究了CVD金刚石薄膜成膜过程中生长温度对薄膜质量、生长率和力学性能的影响。研究结果表明:在典型沉积条件下,生长温度愈高、薄膜的晶体质量愈好;但薄膜的应力状况和附着性能变坏;在800℃时,金刚石薄膜的生长速率最大。讨论了CVD金刚石薄膜作为机械工具涂层的最佳生长温度。  相似文献   

15.
采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理,研究了金刚石薄膜经徐覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程.结果表明,纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时,大大缩短长成连续膜所用的时间;薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成,即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程.经足够长的生长时间后,所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征,特别适合于高致密性自支持薄膜的生长.而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核,便有确定晶面的显露,但却出现明显的二次成核和孪晶,所得薄膜的致密性与表面平整度均不及徐覆处理的好.文中还对结果进行了简要讨论.  相似文献   

16.
纳米粉预处理的CVD金刚石薄膜成核与生长研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了纳米金刚石粉预处理的光滑硅衬底上CVD金刚石薄膜的成核与生长.通过与研磨处理样品相比较,纳米金刚石的预处理极大地提高了成核密度(可达109/cm2)、成核速度与成膜质量,并能方便地进行成核密度的控制,是一种经济实用、简单有效的预处理方法.  相似文献   

17.
人造金刚石在空气中的热稳定性研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文利用含热分析、热腐蚀实验、扫描电镜和抗压强度实验等方法,研究了人造金刚石在空气中的热稳定性,测定了人造金刚石在空气中的氧化温度,分析了金刚石颗粒在空气中的氧化过程与机理.  相似文献   

18.
以化学发泡为主线,在聚丙烯(PP)基体中添加弹性体三元乙丙橡胶(EPDM)制备微发泡聚丙烯复合材料。利用旋转流变仪、差示扫描量热法和扫描电镜等手段,系统地研究EPDM对微发泡PP材料发泡行为的影响。结果表明,EPDM的加入提高了PP材料的熔体强度,对PP材料发泡质量有明显改善;同时使PP复合材料的降温结晶峰向高温移动,能有效抑制泡孔的变形及并泡等恶化现象。当EPDM的质量分数为20%时,泡孔形态较为理想,其泡孔直径和泡孔密度分别为14.43μm,2.49×107cm-3。与未加EPDM的微发泡PP复合材料比较,EPDM的加入能够拓宽发泡PP复合材料的发泡温度窗口,发泡温度范围为180~195℃。  相似文献   

19.
  施智祥  于海梁  宋锦柱 《功能材料》2001,32(1):110-112
研究了电镀工艺对银基金刚石超细微粒复合镀层微结构的影响。研究结果表明,金刚石的粒径越小,浓度越高,越有利于复合共沉积。研究结果给出了一组优化工艺,与常规镀银工艺接近。  相似文献   

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