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采用反应蒸发技术制作不掺杂 In2O3透明导电薄膜,薄膜厚度为 150~200 nm、方块电阻为60~200 、透光率为80%~94%(波长600 nm)。讨论了蒸发过程氧气充入量和蒸发时间对薄膜的光电特性的影响,说明低蒸发速率和限制氧气流量是获得优质薄膜的关键。 相似文献
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CdTe薄膜的红外光学特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用干涉法研究了热蒸发(PVD)方法制备的CdTe薄膜材料的红外光学特性,通过对不同基板温度和不同薄膜厚度CdTe薄膜样品的研究,确定了在薄膜沉积过程中基板温度和膜厚对CdTe薄膜红外光学特性的影响,发现CdTe薄膜具有一定的非均匀性,其折射率随着薄膜厚度的增加而减小,在120-200℃范围内,基板温度对CdTe薄膜红外光学特性的影响不大。 相似文献
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度为550℃,退火时间为200 s时,不同氧气体积流量对ITO薄膜性能及LED芯片光电性能的影响.结果表明:不通氧气时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为33 Ω/口和93.1%,LED芯片出现电流拥挤效应,其电光转换效率只有33.3%;氧气体积流量为1 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为70 Ω/口和95.9%,LED芯片的电流扩展不佳,其正向电压较高,电光转换效率为43.8%;氧气体积流量为0.4 cm3/min时,ITO薄膜的方块电阻和透过率分别为58 Ω/口和95.4%,LED芯片的电流扩展最佳,其亮度最高、正向电压最低,电光转换效率较高,为52.9%. 相似文献
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WZO薄膜生长及氧流量对其特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响。实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,且适当的氧气流量是制备优质WZO薄膜的关键因素。WZO薄膜表面形貌受薄膜结晶质量的影响。当氧气流量为2.08×10-7 m3/s时,WZO薄膜在400~1 500nm透过率达到84.5%,电阻率为4.61×10-3Ω.cm,迁移率为20.5cm2v-1s-1。XPS测试表明WZO薄膜中Zn和W均处于氧化态,其中W元素呈现W6+价态。 相似文献
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以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃~ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃~ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。 相似文献