影响集成电路芯片成品率的诸工艺因素(一)

提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人和技术人员长期实践中积累的丰富经验进行了一定的调查研究,在总结我们实践的基础上,本文想就影响电路芯片成品率的各种工艺因素做一分析讨论,以期引起对这个问题更广泛的研究与重视。     

星状结构对集成电路管芯成品率的影响及其控制措施

一、问题的提出 在生产实践中,我们发现,硅单晶衬底经高温工艺(氧化、锑扩散和外延)后,用西尔(Sirtl)腐蚀剂腐蚀,其表面往往呈现出具有星状结构的滑移线(图1)。在显微镜下观察,沿滑移线有成排的位错蚀坑(图2)。 在我们现行的工艺条件下,这种缺陷出现的几率为60％左右。用具有这种缺陷的外延片生产集成电路时,其管芯成品率较低,且所有好的管芯都集中在晶片的中央部位,在星状线     

集成电路管芯的焊接

一、前言 随着集成电路的可靠性和成品率的不断提高,以及内引线自动(半自动)键合技术的应用,对于管芯的焊接(或粘片)的牢固性和方位准确性(即粘片精度)为人们更加重视。管芯的金硅合金焊接具有机械强度高,热阻小、散热性良好等优点。它避免了采用一般环氧树脂粘片在高温下变脆和易挥发而污染管芯     

微波集成电路(二)

四、微带元件和部件众所周知,无论那种简单的或复杂的混合集成电路都是由微带元件、微带部件以及半导体器件综合设计而成,因此了解微带元件和部件的设计方法是设计集成电路不可缺少的部分。下面就常见的多用的若干元件及部件加以介绍。     

氧化前Si_3N_4萃取(吸收)提高管芯成品率的试验

为实现大规模集成必须提高管芯成品率。我们在不掺金的I~2L工艺中,在单晶片和外延片流程上做β值的管芯,长期都没有达到理想的成品率。因此,如何稳定基本工艺,提高管芯成品率,真正实现复杂逻辑功能在单片上集成,这是我们的重要任务。本文提出氧化前硬Si_3N_4背面萃取(吸收)工艺能有效地提高管芯成品率。     

砷化镓集成电路的成品率技术

本文介绍有关砷化镓单片电路成品率技术的最新进展。阐述了成品率驱动设计策略的原理。     

平行缝焊工艺及成品率影响因素

工作期间器件表面上凝结的水是导致应用失效的主要原因,平行缝焊是一种有效的气密封装,它能有效地阻止水的有害影响,防止器件性能降低。文章通过实验总结,结果发现盖板的工艺及封装的工作参数等影响着平行缝焊的成品率     

无新生缺陷集成电路工艺的探索——提高集成电路成品率的重要途径

概述 在硅半导体工业中,使用完美单晶——无位错(N_D≤500/厘米~3)低含氧量(n_o≤10~(16)原子/厘米~2)无析出杂质,已成为公认的定论。实践同样证明,集成电路工艺过程中诱生的新生缺陷,使完美单晶缺陷增大4～5个数量级,对非完美单晶就更加严重。因而对集成电路成品率和优品率的影响远远超过单晶含有的缺陷的影响,新生缺陷与单晶在工艺过程中产生的“内生新生缺陷”的相互作用亦不可忽视,它能产生一种在没有工     

超大规模集成电路物理学 续(二)

超大规模集成电路(VLSD)受到一系列的因索的限制,因此决定其极限的性能。了解这些因素的物理性质对发展集成电路十分重要。如图22所示,这些限制因素可以分为五个层次:(1)基本限制;(2)材料限制;(3)器件限制;(4)电路限制和(5)系统限制。后级受到前面所有级别的性能限制以及本身的限制。     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

制做集成电路芯片的工艺技术(二)

二、外延淀积1.外延工艺外延工艺是一种在衬底上生长同样结构晶体的高温化学工艺.为获得与基片材料“相似”的外延层,应满足以下条件:(a)衬底和淀积层的原子间距必须大致相等.(b)按预定的衬底晶向淀积.(c)提高衬底温度使源热分解,但又不使衬底分解或蒸发.     

集成电路的缺陷分布及成品率降低

随着复杂性的增加以及较大量的需求,在集成电路设计中对成本的考虑必须给予足够的重视。由于大芯片尺寸的成品率一般来讲较低,因而,集成电路的物理尺寸的增大要着重强调其元件的成品率。所采用的方法是用多层布线来避免缺陷,或将焊点重新安置。这种工艺费用高,但最实用的方法是减少电路尺寸,直至获取满意的成品率。     

提高集成电路后工序成品率的方法

本文从生产实际出发 ,剖析了影响集成电路后工序成品率的原因 ,并针对生产线工序指数能力着手 ,找到了解决问题的方法 ,使成品率有了很大的提高     

微波单片集成电路的成品率优化

采用建立管芯等效电路模型、灵敏度分析以及统计勘探法对微波单片集成电路进行成品率优化，并编制了软件，加入到ＧａＡｓＩＣＣＡＤ系统中。应用该软件对Ｘ波段低噪声ＭＭＩＣ、超宽带ＭＭＩＣ放大器进行了设计，成品率有较大的提高，电路性能有所改善。     

关于提高大规模集成电路成品率的探讨

成品率是衡量一种产品的生产水平和工艺技术水平的最重要标志,也是产品质量、稳定性及可靠性的重要标志,更是决定大规模集成电路试制和生产成败的关键,必须认真探讨。根据我们的实践经验,要提高双极大规模集成电路的成品率,必须有正确无误的设计、先进而完善的工艺、切实可行的实施手段、训练有素的职工队伍及科学有效的管理方法。现仅从工艺技术方面作粗浅探讨。     

提高集成电路后工序成品率的方法

本文从生产实际出发，剖析了影响集成电路后工序成品率的原因，并针对生产线工序指数能力着手，找到了解决问题的方法，使成品率有了很大的提高。     

集成电路生产中成品率的有效管理

本文分析了在集成电路制造过程中,使用的基础材料、设备、工艺技术所产生的污染粒子,随机缺陷对IC产品成品率的影响。并主要介绍了从经典学习曲线概念中推导出来的成品率提高模型已被用于追踪产品成品率的提高,该模型建立在能优先迅速解决影响成品率诸多问题的基础上。实际成品率与模型化成品率的比较充分证明了成品率提高模型的实际意义。     

大规模集成电路工艺的进展(Ⅰ)

本文首先对半导体集成电路的多种工艺技术重新给予了新的评价,同时,对 MOS 的用途、n-沟 MOS 电路的速度以及双极型电路的功耗等问题,作了重新论证。此外,本文根据目前国际上对大规模集成电路工艺技术的不断改进及深入研制之情况,预计在不久的将来,存贮器,微处理器和逻辑电路将会有新的突破。