C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10~(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。     

Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

<正>目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。     

卫星电视接收机LNB中采用介质谐振器稳频的FET振荡器

根据介质谐振器稳频机理,采用介质谐振器稳频的FET振荡器(简称介质振荡器)可分为以下4种类型,即反射型、带阻型、传输型和反馈型.     

介质谐振器稳频FET振荡器的分析与设计

本文采用具有高Ｑ值高介电常数的陶瓷介质谐振器，对ＦＥＴ振荡器进行稳频、通过理论分析，导出了振荡条件，利用计算机优化，得出了各部分优化尺寸，最后研制出了Ｓ波段ＦＥＴ介质谐振器稳频振荡器。经测试，输出功率Ｐ０〉１０ｍＷ、频率稳定度△ｆ／ｆ〈１０＾－５。     

UHF波段通信用新型介质谐振器滤波器

介绍近几年来国外在UHF波段通信系统中发展的小型、低损耗介质谐振器带通滤波器以及温度稳定性好的高功率介质谐振器带通滤波器。     

环路反馈式场效应管介质稳频振荡器

本文介绍了一种环路反馈式场效应管介质稳频振荡器.该振荡器主要是由一个FET放大器及一个独立的介质谐振器反馈电路结构组成.通过分别仔细地调试此两部分的指标,可以获得较好性能的振荡器.所研制的振荡器的基本性能为:振荡频率为2.7GHz;从室温到50℃范围内频率稳定度可达0.3ppm/℃;输出功率为5～20mW.     

介质谐振器反馈型GaAs FET振荡器

本文扼要分析了高Q介质反馈型FET振荡器的原理,认为介质反馈型振荡器类同于高Q介质谐振器与FET栅极耦合的反射型振荡器。实验表明,在-40～+55℃范围内,频率稳定度达2.0ppm/℃,最佳可小于0.2ppm/℃。同时,介质温度系数对振荡电路的过补偿比欠补偿更有利于提高输出功率温度稳定性。     

介质腔稳频FET压控振荡器

本文介绍一种新颖的,用介质腔稳频的压控振荡器,叙述了其电调原理,设计考虑,并给出了实验结果;该振荡器的中心频率f_0=5.415GHz;电调带宽△f≥20MHz(V_0=G～-15v);输出功率p_o≥15mw;频率温度系数T≤3.2ppm/℃;在偏离载频100kHz处的调频相位噪声<-90dBc/Hz,该振荡器性能已满足使用单位的要求。     

应用介质谐振器构成微带集成耿氏振荡器的实验研究

——本文描述了介质谐振器的设计方法,着重阐述了应用介质谐振器构成微带集成耿氏振荡器的结构、基本理论和设计问题.在X波段,通过实验初步得到了9.56～10.70千兆赫频率范围内输出功率大于30毫瓦的介质集成振荡器.     

光控介质谐振器稳频FET振荡器研究

本文报导我们对光控介质谐振器稳频MESFET振荡器的研究状况，包括被控介质谐振器模型的建立、电磁分析和实验研究。采用有限元法，借助Ansoft三维仿真软件分析从实际振荡器结构中提取出的叠层DR模型。应用二维阻抗边界条件处理光照下光敏材料的光学效应，得出明晰的物理概念，使复杂问题简化，并较好地验证了实验结果。     

X波段微带集成FET的压控振荡器

本文叙述了一种利用FET振荡管和GaAs超突变结变容二极管构成的电压控制振荡器(VCO).通过合理的电抗补偿和阻抗匹配技术的应用,VCO在8GHz得到调谐带宽1200MHz,输出功率大于20mW.     

X波段砷化镓场效应管介质振荡器

本文介绍了反馈型介质振荡器,给出了介质谐振器尺寸的计算方法.该振荡器在8GHz下,温度范围-40～+70℃,频率稳定度为0.6ppm/℃,输出功率16～30mW,在+55℃下连续工作8 小时,频率漂移小于50kHz,推频系数小于10kHz/V,在偏离载频100kHz的FM噪声为-110dBc/Hz.该振荡器在无人值守中继系统中作上下变频器的本振源,使用良好.这类振荡器在10.7GHz下,温度范围-40～+55℃,频率稳定度0.6ppm/℃,输出功率大于5mW.     

Highly Stable Dielectric Resonator FET Oscillators

The long-term frequency drift of GaAs FET oscillators with temperature has been analyzed theoretically and experimentally in view of stabilization using dielectric resonators. It was found that the dielectric material stability and quality factor should be within certain limits, and, in addition, that the resonance frequency over the temperature characteristic should be quite linear. Such a material has been developed on the basis of BaTi/sub 4/O/sub 9/ and Ba/sub 2/Ti/sub 9/O/sub 20/ , and ultra-stable DRO's with frequency drifts of around +- 100 kHz for -50 to 100°C at 11 GHz (ap +- 0.06 ppm/K) have been realized.     

A Highly Stabilized Low-Noise GaAs FET Integrated Oscillator with a Dielectric Resonator in the C Band

A GaAs FET integrated oscillator stabilized with a BaO--TiO/sub 2/ system ceramic dielectric resonator provides a high-frequency-stabilized low-noise compact microwave power source. The newly developed ceramic has an expansion coefficient and dielectric constant temperature coefficient that offset each other and result in a small resonant frequency temperature coefficient. A stabilized oscillator output of 100 mW with a 17-percent efficiency and a frequency temperature coefficient as low as 2.3 ppm//spl deg/C are obtained at 6 GHz. FM noise level is reduced more the 30 dB by the stabilization. The dynamic properties of the oscillator and resonator are precisely measured to determine equivalent circuit representations. A large-signal design theory based on these equivalent circuit representations is presented to realize the optimal coupling condition between the oscillator and stabilizing resonator. The stabilized oscillator performance is sufficient for application to microwave communications systems.     

X波段介质振荡器的设计

研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR的谐振频率.利用仿真软件建立微带线与谐振器耦合模型,通过仿真提取其S2P文件.选用GaAs FET ATF26884作为电路中的放大器件,使用生成的S2P文件建立介质振荡器(DRO)电路模型,调整耦合段和输出匹配微带线的长度,得到较低的相位噪声.测试证明输出信号的相位噪声在偏离中心频率100 kHz处小于-100 dBc/Hz.