（100）n－GaAs在H_2SO_4－H_2O_2－H_2O溶液中的腐蚀速度

以Ｃ－Ｖ测量、击穿电压测量并结合逐层腐蚀技术，对ＧａＡｓ外延多层结构的剖面分布进行了测量，获得了ＧａＡｓ（１００）晶片在不同温度下的Ｈ＿２ＳＯ＿４－Ｈ＿２Ｏ溶液中的腐蚀速度数据。结果表明，当Ｈ＿２ＳＯ＿４：Ｈ＿２Ｏ＿２：Ｈ＿２Ｏ＝９：１：１时，对ｎ＝１．１０￣（１４）～１．１０￣（１８）ｃｍ￣－３的ＧａＡｓ（１００）晶片，２０℃时的腐蚀速度为ｖ＝０．３～０．９μｍ／ｍｉｎ．作者认为，这一配方对ＧａＡｓ（１００）多层结构是一个最为理想的减薄腐蚀剂。     

河北省金属学会2000年度优秀论文优秀科普作品评选结果

ＥＶＡＬＵＡＴＩＯＮ ＯＦ ＥＸＣＥＬＬＥＮＴ ＰＡＰＥＲ ＡＮＤ ＰＯＰＵＬＡＲ ＳＣＩＥＮＣＥＷＯＲＫＳ ＦＯＲ ２０００ ＢＹ ＭＥＴＡＬＬＵＲＧＹ ＳＯＣＩＥＴＹ ＯＦ ＨＥＢＥＩ学会动态二等优秀论文（共７篇）露天──地下联合开采露天矿合理境界的确定……………………………………甘德清,郭志芳,赵广山Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｏｆｂｕｄｉｇｉｎｇ ａｎｄ Ｓｔｒａｉｎ ｆｏｒ Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｈｙ Ｃａｓｔ Ｓｈａｂｓ ａｓ Ｔｈｅｍｏｅｄａｓｈｉｃ Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｂｅａｍ………任吉堂原料层烧结试生产实践………     

用新前体分子束外延立方GaN

用新前体分子束外延立方ＧａＮ日本筑波大学科研人员应用单分子联氨（ＭＭＨｙ）为新型氮源，首次成功地制备了立方ＧａＮ（ｃ－ＧａＮ）外延层。实验仪器为传统的ＭＯＭＢＥ设备，基底是以Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝５：１：１腐蚀液刻蚀的ＳＩ－ＧａＡｓ（１００）...     

砷化镓晶片表面损伤层分析

采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩ－ＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度，而Ｘ射线双晶回摆回线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤及其形成应力区的最度的结论。     

电渣熔铸Φ900mm冷交换器顶盖

电渣熔铸９００ｍｍ冷交换器顶盖孟军陈崇峰（武汉重型铸锻厂）（武汉冶金科技大学）ＥＳＲＣＡＳＴＩＮＧＰＲＯＣＥＳＳＦＯＲＴＨＥ９００ｍｍＴＯＰ┐ＣＯＶＥＲＯＦＣＯＬＤＥＸＣＨＡＮＧＥＲＭｅｎｇＪｕｎ（ＷｕｈａｎＨｅａｖｙＰｒｏｄｕｃｔｓＣａｓｔａｎ...     

刚玉碳化硅砖在硅铁电炉出铁口上的应用

刚玉碳化硅砖在硅铁电炉出铁口上的应用把多华（西北铁合金厂）ＵＴＩＬＩＺＡＴＩＯＮＯＦＢＲＩＣＫＯＦＡＬＵＭＩＮＡ－ＣＡＲＢＯＦＲＡＸＩＮＴＡＰＰＩＮＧＨＯＬＥＯＦＦＥＲＲＯＳＩＬＩＣＯＮＦＵＲＮＡＣＥ￥ＢａＤｕｏＨｕａ（Ｎｏｒｔｈ－Ｗｅｓｔｆｅｒｒｏ...     

抓住机遇 大力提高连铸比推动钢铁工业发展

抓住机遇大力提高连铸比推动钢铁工业发展刘淇（冶金工业部）ＧＲＡ８ＰＴＨＢＯＰＰＯＲＴＵＮＩＴＹ，ＩＮＣＲＥＡＳＥＴＨＥＣＯＮＴＩＮＵＯＵＳＣＡＳＴＩＮＧＲＡＴＥＡＮＤＰＲＯＭＯＴＥＴＨＥＤＥＶＢＬＯＰＭＢＮＴＯＦＩＲＯＮＡＮＤＳＴＥＥＬＩＮＤＵｓＴＲ...     

激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

采用非接触式激光／微波光电导衰减技术（ＬＭＰＣＤ）对Φ５０．８ｍｍ双面抛光的半绝缘ＧａＡｓ晶片的复合寿命进行了无损伤检测，得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线。结果表明，复合寿命为几百纳秒，在径向呈“Ｍ”型分布，和半绝缘ＧａＡｓ晶片中ＥＰＤ的“Ｗ”型分布相反。在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上，对ＧａＡｓ晶片的寿命进行了讨论。     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

GSMBE法ZnSe外延层中的晶体缺陷

ＧＳＭＢＥ法ＺｎＳｅ外延层中的晶体缺陷日本三菱电子公司最近研究了气态源分子束外延ＺｎＳｅ膜初始阶段的晶体缺陷。实验以金属锌和Ｈ２Ｓｅ为源，在具有（４×８）Ｇａ稳定表面的（１００）ＧａＡｓ缓冲层上生长ＺｎＳｅ。用反射高能电子衍射（ＰＨＥＥＤ）原位监测了...     

300 mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化

通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。     

光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数 ,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素。切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低 ,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次 ,机械抛光的断裂模数再其次 ,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高 ,其平均值约为 135MPa。光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降。     

硅抛光片（CMP）市场和技术现状

介绍了硅抛光片在硅材料产业中的定位和市场情况,化学机械抛光（CMP）技术的特点,硅抛光片大尺寸化技术问题和发展趋势,以及硅抛光片技术指标,清洗工艺组合情况等。     

双面抛光工艺中压力对300 mm硅片表面形貌的影响

利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中不同压力下300mm硅片表面形貌的变化，并通过Stribeck曲线进行了探讨。结果表明。双面抛光过程中机械作用的强度随着压力的变化而不同，从而影响抛光后的硅片表面形貌。当硅片表面与抛光垫之间的接触处于固，液混合接触区时，协调机械去除作用与化学腐蚀作用之间的关系，使之达到平衡，可以显著地降低硅片表面的微粗糙度和峰谷值。     

A Quantitative Assessment of the Mechanical Preparation of Sintered Iron Micrographic Specimens

Abstract

The examination of P/M microstructures by automated image analysis requires a reproducible high level of surface finish from the section of the specimen under investigation. The preparation of mechanically polished sections involves a number of procedures each susceptible to variation. The effect of variations taken together can be large, resulting in erroneous information. A quantitative assessment of each procedure for polishing specimens from an iron P/M system has been conducted using automated polishing machines. The porosity of sintered iron compacts was measured using an automated image analysing computer. The ‘measured’ porosities were compared with the ‘true’ bulk porosity in each case to assess the variation due to each polishing parameter. Although a universal set of polishing conditions cannot be given, the results enable a set of optimized polishing conditions to be derived.     

Surface graphitization analysis of cerium-polished HFCVD diamond films with micro-raman spectra

The etching technique using Ce is a convenient and fast method for polishing and shaping diamond films. In this study, the influence of polishing parameters such as polishing temperature and time on the surface crystallinity and phase composition of diamond films was thoroughly investigated via the analysis of Raman spectra such as FWHM and ID/IG. Moreover, the issue on the graphitization of diamond after polishing with Ce was further researched through the detailed study of the depth distribution of Raman data including FWHM and ID/IG, and a result completely different from the hot-iron metal polished ones was obtained. The results showed that polished diamond films had considerably higher diamond content than those before polishing, and not a bit of graphitization was found in the polished ones, owing to a higher solubility of carbon in rare earth metal Ce than that in transition metals, and the original crystallinity of the films polished with Ce did not deteriorate.     

表面状态对核级316LN不锈钢电化学腐蚀行为的影响

表征了打磨态和机械抛光态316LN不锈钢表面的粗糙度、表面残余应变和表面电子功函数的分布,并研究了打磨态和机械抛光态样品在硼酸盐溶液中电化学腐蚀行为的差异.与机械抛光态316LN不锈钢相比,打磨处理后样品表面较为粗糙,且表面的微观残余应变较大,近表面产生约50μm的加工硬化层.表面粗糙度和微观应变的增加引起打磨态表面电化学活性的增大,从而促进316LN不锈钢在硼酸盐溶液中腐蚀.机械抛光处理降低了表面钝化膜的载流子密度(供体和受体),并增大了钝化膜的阻抗,提高了钝化膜的致密性和保护性,能够有效抑制金属的进一步腐蚀.     

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。     

制样方法对钢铁材料纳米压痕测试的影响

为了研究制样方法对钢铁材料纳米压痕试验结果的影响,选取单相、多相、低碳、中碳和高碳等不同类型的钢种,分别进行了纳米压痕样品制备参数的探索。利用机械磨抛和电解抛光设备进行了样品表面抛光处理,比较了氧化物机械抛光及不同参数的电解抛光对样品表面状态的影响,通过真彩共聚焦扫描显微镜定量测定了样品表面粗糙度。随后,为检验样品制备的效果,利用纳米压痕仪分别测试了两种抛光方式得到的不同组织的纳米硬度和弹性模量。结果表明,氧化物机械抛光适合制备单相且试验压入深度超过500nm的样品;电解抛光能有效避免表面硬化层,在参数适当的条件下,既可以满足测试标准的要求,又可以进行多相区分,但是,电解参数不当时会导致组织假象,严重影响测试结果的准确性。同时,对制样效果的评价应考虑试验曲线的稳定性而不仅仅注重抛光样品的平均表面粗糙度。最后,给出了适用于低碳钢W1300、中碳钢SWRCH35K和高碳钢SWRH82B的电解抛光参数,可为类似钢铁材料纳米压痕测试样品的制备提供参考和借鉴。