砷化镓晶片表面损伤层分析

采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩ－ＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度，而Ｘ射线双晶回摆回线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤及其形成应力区的最度的结论。     

MOVPE生长CdTe/GaAs薄膜的表面形貌控制

通过优化ＧａＡｓ表面制备工艺、反应管清洁处理工艺、ＧａＡｓ表面预处理工艺、生长条件及优选ＧａＡｓ衬底方向等措施,在水平与常压ＭＯＶＰＥ装置中,用二乙基锌（ＤＥＺｎ）、二甲基镉（ＤＭＣｄ）、二异丙基碲（ＤｉＰＴｅ）和元素汞,采用互扩散多层工艺（ＩＭＰ）,在ＧａＡｓ衬底上生长出了ＭＣＴ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ,比较了采用优化工艺前后薄膜的电子显微镜形貌相,表明采用优化工艺后薄膜的表面形貌有了明显改进。     

蒂森克虏伯尼罗斯塔公司开发不锈钢表面抛光新技术

蒂森克虏伯尼罗斯塔公司（Thyssen Krupp Nirosta）开发出两种不锈钢覆层表面抛光新技术。尼罗斯塔公司与汉高集团（HenKel）合作开发出一种新的透明涂层——silvetIce：可用于家用电器、厨房设备、家具、镶板、电梯和自动扶梯。工艺采用紫外线辐射和钠米粒子方法，产生薄的无色透明的涂层。     

电解抛光工艺参数对钨表面形貌和表面粗糙度的影响

采用硫酸–甲醇–二水合柠檬酸钠电解质溶液体系对钨进行电解抛光.抛光液中硫酸与甲醇的体积比为1:7,二水合柠檬酸钠浓度为0.25 mol/L.改变抛光电压、温度及时间,探究了工艺参数对电解抛光钨的微观形貌和表面粗糙度的影响.用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)和原子力显微镜...     

抛光时间和表面粗糙度对硬度测试数据的影响

本文讨论抛光时间和表面粗糙度对金属材料布氏硬度测试数据的影响。试验结果指出,随着样品抛光时间的延长,HB值波浪式地变化;随着表面粗糙度的降低,HB值逐渐变小。分析指出,前者与抛光过程中磨面金属的加工硬化和随后的消失、及其循环往复有关;后者则是由表面粗糙度降低后,磨面上加工硬化层的减薄引起的。上述变化规律还受金属材料原始硬度的明显影响。     

纵断面电子显微术研究离子注入GaAs表面

本文用纵断面电子显微术研究了离子注入半绝缘GaAs注入层表面,发现注入层表面出现缺陷与包封材料、退火条件及方式有关,讨论了缺陷成因及不同包封材料对注入层和器件特性的影响。     

表面织构：电解抛光和平均表面粗糙度（Ra）

采用机加工工艺对不锈钢表面进行机加工，研磨，手动或机械化抛光会使不锈钢表面凹凸不平。这种凹凸不平包括由刀头，研磨轮或抛光布轮在表面产生的凸起点和凹陷点。可对这些凸起峰值和凹陷深度值进行测量，用来确定表面的状态，有时也能确定其使用性能。测量表面和分析测量结果的方法达一百多种。但是，评估表面织构最常用的方法是采用粗糙度测量值。     

硅单晶研磨片残留损伤吸杂的研究

研究了一种新的外吸杂方法,它不需要在硅片加工过程中特意引入另外的外吸杂工序,而是通过控制腐蚀工艺条件,将硅片正常研磨加工中形成的损伤层保留一定的厚度,从而使硅片具有外吸杂能力。     

TEM观察砷化镓晶片损伤层

用透射电镜、扫描电镜对ＧａＡｓ材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。结果切片损伤层深度≤５０μｍ、双面研磨损伤层深度≤１５μｍ、机械化学抛光损伤层深度（腐蚀前）＜１．２μｍ。分析了损伤结构及其引入的因素。     

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。     

Observation of Damage Layer on Surface of GaAs Wafer by TEM

用透射电镜、 扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测。 结果切片损伤层深度≤50 μm、 双面研磨损伤层深度≤15 μm、 机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm。 分析了损伤结构及其引入的因素。     

冷轧辊表面损伤的原因分析及保护措施

结合生产实践，从提高生产效率、产品质量和降低生产成本等方面，阐述了合理使用轧辊表面的意义；并以统计数据为依据，分析、总结了轧辊表面损伤的原因；提出了合理使用和保护轧辊的具体措施。     

结构钢表面疲劳损伤演化过程的显微硬度研究方法

通过对疲劳过程中结构钢表面显微硬度测试结果的检验，证明了不同疲劳阶段的显微硬度测试值服从正态概率分布。依据损伤力学的基本理论建立了用显微硬度定义疲劳损伤变量的概率表达式，并应用于材料表面的损伤行为研究。分析表明，材料微观性能劣化是导致材料表面萌生显微裂纹的主要原因，而在微细观尺度上材料的损伤演化将呈现出显的不均匀性和概率统计特征。并从疲劳裂纹萌生的无损检测角度指出了显微硬度方法是一种较方便和灵敏     

测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究

随着大规模集成电路的快速发展, 硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视. 介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法, 并将它们分成三类, 简单阐述了每一类测试方法的测试原理, 影响测试结果的因素, 从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析, 并对这三类测试方法进行了比较. 最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系.     

中子辐照 GaAs 缺陷的退火行为研究

采用霍尔测量、沟道卢瑟福背散射（ 沟道 Ｒ Ｂ Ｓ） 以及低温光荧光方法对中子辐照 Ｇａ Ａｓ 缺陷的快速退火行为进行了研究。嬗变杂质锗未能全部激活的原因之一是部分锗原子占据砷位形成受主。在快速退火过程中可形成反位缺陷 Ｇａ Ａｓ（ Ｅｖ ＋ ２００ ｍｅ Ｖ） 以及复合缺陷 Ｉ Ｇａ － Ｖ Ａｓ 。