中芯国际今年芯片产能目标减至每月15．5万片

晶圆代工大厂台积电对外宣布，该公司90纳米Nexsys制程技术为多家客户量产芯片，在2004年第四季中每个月的90纳米12口晶圆出货量已达数千片，2005年将扩大产能以因应客户对此先进制程技术的需求；这些客户包括Altera及Qualcomm等公司，也包括一些整合组件制造商(IDM)。     

简讯

IBM和Xilinx公司就新型专用芯片产品开发进行合作 Xilinx与IBM日签署一项协议,可帮助专用芯片设计人员在设计未来芯片时节约数十万美元的成本。根据该协议,IBM公司将从Xilinx获得现场可编程门阵列(FPGA)技术许可,将FPGA技术集成到IBM最近宣布的Cu-08专用集成电路(ASIC)产品中。Cu-08支持线宽至90纳米的电路,将为芯片设计带来新突破。此项协议再次体现了两家公司将通过     

Broadcom发布高清音频／视频解码器芯片

德州仪器（TI）日前宣布在全球范围内面向其手机制造商客户提供首批Hollywood DTV单芯片解决方案，使消费者能通过手机直接收看数字电视广播，同时又维持了低价、长时间电池寿命和精巧造型等优点。该芯片采用标准90纳米数字工艺，是将移动电视调谐器与解调器集成于单芯片的解决方案。     

DTV1000/1：移动数字电视芯片Hollywood

德州仪器日前宣布在全球范围内面向TI手机制造商客户提供Hollywood DTV单芯片解决方案,该产品使全球数百万消费者能够透过手机直接收看数字电视广播,同时又维持了低价、长的电池寿命和精巧造型等优点。TI Hollywood芯片采用标准90纳米数字工艺将移动电视调谐器与解调器集成的单芯片解决方案。首批采用TI Hollywood芯片的移动电话预计将于2006年晚些时候与广大消费者见面。 DTV1000和DTV1001是TI Hollywood移动数字电视系列的首批产品。作为完整的芯片解决方案,两款中     

中国芯片技术未来发展趋势

正英特尔CEO保罗·欧德宁(PaulOtellini)表示,英特尔已开始对7纳米和5纳米制程技术的研究。此外,英特尔目前计划在美国俄勒冈、亚利桑那和爱尔兰的工厂中部署14纳米制程生产线。英特尔还开展了7-5纳米的芯片研发,韩国三星也由20纳米向15纳米进军,成为芯片一霸,台湾的台积电也开始20纳米芯片量产。反观中国大陆中芯国际,芯片还停留在40纳米,还并没有量产。     

二季度台积电将推出40纳米芯片产品

全球第一大代工芯片制造商台积电宣布,预期将在今年第二季度首次采用最先进的40纳米工艺制造芯片。台积电表示,新的40纳米制造技术的芯片闸密度是65纳米的2．35倍,40纳米低能耗制造技术比45纳米制造技术的能量消耗可以减少15％。     

英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术

英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂（Fab68）将采用65纳米制程技术,这座全新的300毫米晶圆厂在2010年建成投产后,将生产制造先进的芯片组产品。大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。     

IBM和Xilinx公司合作开发新型专用芯片产品

<正> 世界领先的可编程逻辑解决方案供应商赛灵思公司(Xilinx)与IBM日前宣布双方签署了一项协议,可帮助专用芯片设计人员在设计未来芯片时节约数十万美元的成本。 根据这一协议,IBM公司将从Xilinx公司获得     

可编程芯片助家庭基站更灵活

为了适应新标准和新频段的不断变化，家庭基站制造商需要不断地开发新产品或产品系列来保持竞争力，而可编程芯片可让制造商保持灵活性。     

英特尔14纳米芯片进入实验室测试

英特尔北欧地区总经理帕特·布莱默（PatBliemer）近日表示,其14纳米制程工艺芯片已经完成设计,进入实验室测试。     

台积电、新思科技携手开发纳米制程

台积电与电子自动化设计(EDA)业者美商新思科技近日宣布,将合作开发纳米制程,锁定130纳米和90纳米的讯号完整工作组,争取客户新一代制程的晶圆代工订单。台积电的行销副总胡正大表示,新思在晶片制造前先产生可靠的分析结构,依据这样的需求结果,结合台积电的专业制造流程,提供台积电客户预防、或快速分析与修订他们复杂的讯号完整问题的能力。     

华大电子55纳米智能卡芯片

正华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片,该芯片采用中芯国际55纳米低功耗(LL)嵌入式闪存(e Flash)平台,具有尺寸小、功耗低、性能高的特点,目前已实现量产供货,其优良性能得到客户的广泛认可。中芯国际的55纳米低功耗嵌入式闪存平台,可为智能卡芯片客户提供一个兼具高性能和低成本的解决方案。该平台具有完全的逻辑兼容性,所有1.2V逻辑库IP皆可用于此嵌入式平台;采用逻辑电压更低的1.2V核心器件,可在最大程度上降低芯片     

ArF准分子光刻机使半导体制造工艺到达32 nm Gigaphoton公司发布了用于下一代半导体制造的世界上最强大的氟化氩(ArF)准分子激光器

Gigaphoton公司新近设计出一款输出功率为90 W、重复频率为6000 Hz的新型氟化氩(ArF)准分子激光器.该激光器可用于浸没式光刻机,其可使制作半导体晶片的制程仅为32 nm.目前,全球芯片制造商刚开始将45 nm制程技术投入量产,据估计32 nm制程技术将于2009年投入使用.     

东芝推出43nm的SLCNAND闪存成为市场上最高密度芯片

东芝宣布推出43nm单层存储单元（SLC）的NAND闪存,产品容量从512Mb到64Gb,共有16个系列。新产品包括16Gb、32Gb和64Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品运用领先的43nm制程技术和增加数据存储的先进技术,将每块芯片的容量提升到了以往56nm的SLC产品的2倍。从而为需要更高性能和可靠性的设备提供服务。与MCLNAND闪存相＼Ⅶ,新产品的写入速度约为2．5倍。     

纳米芯片时代来临

目前，Intel、AMD的90nm芯片已经批量进入市场，而威盛、三星也宣布其90nm芯片研发成功，入市时间不会太久。长期以来，纳米芯片是世界少数几家芯片厂商炒作的焦点，国内芯片企业则与之无缘。近日召开的中国国际纳米科学技术会议上，国家纳米科学中心首席科学家王肇中表示，世界微电子产业已经进入纳米时代。芯片制造业是微电子领域的典型代表，而90nm芯片的生产则是纳米时代到来的标志之一。     

全球首颗40纳米3D电视机顶盒芯片诞生

中国台湾国立台湾大学与TSMC 16日共同发表产学合作成果,成功研发出全球第一颗以40纳米制程制作的自由视角3D电视机顶盒芯片,可望较现行技术提供更精致、多元的视讯影像体验。此项成果为视讯处理及半导体制程技术在3D领域的重大突破,该芯片也将在二月下旬于国际固态电路研讨会上(ISS-     

电子新闻

·新器件·Atmel推出可再编程抗辐射FPGA新芯片Atmel公司日前宣布推出新芯片AT40KEL040。它是其一种具有内置单粒子翻转、抗辐射、系统内可再编程的3.3VFPGA(现场可编程门阵列)。AT40KEL040是Atmel抗辐射FPGA系列中的第一种产品。该系列产品最终将使系统制造商能够为宇航电子、     

台积电率先量产40纳米制程

台积电近日表示,40纳米泛用型（40G）及40纳米低耗电（40LP）制程正式进入量产,成为专业集成电路制造服务领域第一个量产40纳米逻辑制程的公司。40纳米制程是目前半导体产业最先进的量产制程,在全球消费性电子、行动通讯以及计算机市场下一世代产品的开发上将扮演关键角色。台积电40纳米泛用型及40纳米低耗电制程都已经通过制程验证,也按原订计划产出首批芯片,     

海力士发表40纳米制程绘图芯片DRAM

韩国存储器厂海力士于近日发表40纳米制程2GbGDDR5绘图芯片DRAM,工作频宽为7Gbps,32位I／O信道,数据处理速率每秒28GB／s,电压为1．35V。新推出的GDDR5绘图DRAM采用海力士40纳米制程制造,体积小,功耗比50纳米制程产品下降20％。海力士预计在2010年下半开始量产新款GDDR5DRAM。     

可控制三相无电刷电动机的电可擦可编程只读存储器芯片——建立在锁相环路基础上的速度控制器是一种嵌入式数字处理过滤器

为满足三相无电刷电动机的需要而设计的电动机控制芯片可进行电可擦只读存储器编程。制造商声称,该芯片是首次采用数字处理过滤器的运算