溅射电压和铝掺杂对透明导电氧化锌薄膜性能的影响

研究了用微波ＥＣＲ等离子体反应溅射制备透明导电氧化锌薄膜靶压及铝的掺入对薄膜电阻率和透光率的影响。制香电阻率为１０＾－５Ω．ｍ数量级,可见光平均透光率大于８０％的透明导电ＺｎＯ：Ａｌ（ＡＺＯ）膜。     

Co掺杂对脉冲激光沉积CdO薄膜结构及性能的影响

透明导电氧化物是一类在可见光波长范围内具有良好导电特性和光学透明性的材料,由于其在光电器件中的潜在应用而备受人们的关注。在众多的透明导电氧化物中,立方结构的CdO因其具有低的电阻率和在可见光范围内高的透光率而成为人们研究的热点。采用脉冲激光沉积技术在蓝宝石(0001)单晶基片上制备了一系列Co掺杂CdO薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明薄膜为均匀的单相立方结构,以CdO(200)和CdO(111)方向择优取向生长,没有发现Co金属及其氧化物二次杂质相。X射线光电子能谱(XPS)测量进一步表明Co以Co²⁺的形式存在于薄膜中,且处于高自旋电子态。紫外可见光谱测量表明,Co掺杂CdO薄膜在可见光范围内都具有较高的透光率,均在80%以上。改变沉积过程的氧气分压和基片温度可有效调节薄膜的光学带隙,即随着氧气分压和基片温度的升高,薄膜的吸收带边红移,光学带隙逐渐减小,从2.70 eV减小到2.33 eV。磁性测量结果进一步表明,Co掺杂CdO薄膜具有明显的室温铁磁性,且随着氧气分压的升高,薄膜的磁性明显减弱。Co²⁺提供局域磁矩,薄膜中氧空位提供的额外...     

钨掺杂氧化锌薄膜的结构与光学性能的研究

实验采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了掺杂不同钨离子浓度氧化锌薄膜.研究了钨离子的浓度变化对氧化锌薄膜结构与光学性能的影响.测试结果表明,钨离子的掺入使氧化锌薄膜的晶体质量得到提高,衍射峰位置向低衍射角度方向移动,导致薄膜的光学带边发生收缩,即产生＂红移＂现象.随着钨离子浓度增加,氧化锌薄膜光致发光强度表现为先增加而后出现浓度淬灭现象.     

不同生长温度对Ga掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在普通载玻片衬底上制备了Ga掺杂的ZnO(GZO)透明导电薄膜,并研究了不同生长温度对GZO透明导电薄膜的结构性能、电学性能及光学性能的影响.制备的GZO透明导电薄膜均沿(002)方向的择优取向生长,薄膜的表面形貌为蠕虫状,表明薄膜内存在较大的残余应力.随着生长温度的升高,GZO薄膜的电阻率先减小后增大,在生长温度为250℃时,薄膜的最低电阻率为1.91×10-3 Ωcm.不同生长温度下所制备的GZO薄膜在可见光波段的平均透过率均大于90％,薄膜具有优异的光学特性.     

碳纳米管薄膜的制备及其性能的研究

采用喷涂和旋涂相结合的方法,在干燥洁净的石英基质上制备了均匀的碳纳米管薄膜．利用高分辨透射电子显微镜（JEM-2010F）对碳纳米管原料的形态进行了观察．利用紫外一可见分光光度计（UV-2550）和四探针电阻测试仪（RTS-8）分别测量了碳纳米管薄膜的透光率和电阻．考察了制备方法、加热温度、碳纳米管浓度和薄膜厚度等不同因素对薄膜透光率和电阻的影响．结果表明,选择适宜的参数可以制备出透明导电的碳纳米管薄膜,且具有良好的电学和光学特性：透光率和电阻分别可以达到83％和800Ω     

影响氧化锌纳米材料场发射性能的因素

采用物理气相沉积的方法通过控制生长参数,在硅衬底上获得不同形貌的氧化锌纳米阵列.在金属场发射系统中测量了它们的场致电子发射性能,发现阴极发射电流不稳定主要是由于氧化锌纳米阵列的不均匀性造成的.采用高压励炼技术可以增强氧化锌场发射的稳定性,使电流波动明显降低.此外,形貌对氧化锌纳米阵列的场发射电流密度和阈值电压有明显影响,而且不同形貌的氧化锌纳米阵列的抗溅射能力也不相同.     

氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响

利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2 Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400 Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.     

厚度对室温沉积ZnO:Al薄膜光电特性的影响

利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.     

烧结温度对钇掺杂氧化锌导电陶瓷局域电子密度和结构缺陷的影响

应用正电子湮没技术,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了烧结温度对导电特性、局域电子密度、结构缺陷的影响特征。研究发现:提高烧结温度,Zn填隙离子迅速迁移,ZnO导电陶瓷电阻率明显下降,同时产生大量微空洞缺陷。     

Structure and Properties of TiO2-CeO2 Films Deposited on Soda-Lime Silicate Glass Substrates by R.F.Magnetron Sputtering

TiO2-CeO2 films were deposited on soda-lime glass substrates at different ratio of O2 to Ar (0.10, 0.15,0.20) by R. F. magnetron sputtering. The structure, surface composition, UV-visible spectrum of the films were measured by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy and spectrometer. The results show that the films are amorphous, and the relative molar ratio of Ce to Ti is higher than that of the target at lower ratio of O2 to Ar. Only tetravalent Ti 4 and Ce 4 ions are present in the films, and the obtained TiO2 -CeO2 films appear good uniformity and high density. The films deposited on the glass can shield ultraviolet light without significant absorption of visible light.     

Obituary: Norman R. F. Maier (1900-1977).

Norman R. F. Maier was born in a small town in Michigan on November 27, 1900. He was educated in the Michigan public schools and received his BA from the University of Michigan in 1923. After a year of graduate work at the University of Berlin (1925-1926) he completed his PhD in 1928 at the University of Michigan. Following a year of teaching, Dr. Maier was for two years a National Research Council Fellow in Zoology at the University of Chicago, where he worked with Professor K. S. Lashley. In 1931 he joined the faculty of the University of Michigan, where he worked for the rest of his life, dying of a heart attack on September 24, 1977. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved)     

氧化锌矿硫化-胺法浮选及浸出研究

文章对广西河池氧化锌矿进行了浮选分离和硫酸浸出试验,初步探讨了该氧化锌矿石的可选性.浮选可获得锌精矿品位24.52%,回收率69.27%.结果表明可回收氧化锌精矿,但由于氧化锌矿石浮选过程中矿泥和可溶性盐的不良影响使得矿石指标不好.试验还研究了氧化锌矿的浸出.在浸出试验过程中主要考察了加酸方式及固液比对锌的浸出率的影响.试验可获得锌的浸出率为80.39%.浸出效果比较好.     

高频等离子法制取超细Si_3N_4粉末

本文述及高频等离子法制取超细Si_3N_4粉末的原理、装置,工艺参数及粉末性能的一些检测结果。利用SiCl_4+NH_3气-气相反应,所得白色粉末含有NH_4Cl晶体,热重分析表明350℃失重停止,280℃失重速率最快,经400～700℃处理后的粉末仍为非晶,不含NH_4Cl,BET测得比表面积为75.8 m~2/g,X光小角度散射法测粒子半径分布主峰R为100～150,且符合正态对数分布规律,平均直径=527;1400℃处理后,X光衍射测得主相为α-Si_3N_4、次相为Si_2N_2O,粒径明显长大,平均直径达1700。     

溅射法镀二氧化钛薄膜靶材及工艺研究进展

介绍了溅射法镀膜的基本原理，阐述了溅射法镀二氧化钛薄膜用靶材及相应溅射镀膜工艺的研究现状。溅射镀Tio2薄膜用靶材主要有金属钛、二氧化钛和“非化学计量”二氧化钛靶材3大类。由于钛的氧化态及靶材导电性不同，它们对溅射工艺（如溅射气氛等）有一定具体的要求，通过对靶材和相应工艺进行分析比较，指出应用“非化学计量”靶材是溅射法制备二氧化钛薄膜技术发展的重要方向。     

工艺参数对Sm-Fe超磁致伸缩薄膜沉积速率的影响

采用磁控溅射在聚酰亚胺薄膜以及黄铜等基片上成功制备出Sm-Fe超磁致伸缩功能薄膜,并且较深入地研究了溅射功率、工作气压、靶基距以及沉积不同阶段等主要工艺参数对沉积速率的影响规律。结果表明:随溅射功率的减小和靶基距的增大,会不同程度地引起沉积速率的下降;随着工作气压的增大,最初沉积速率不断增大,当溅射气压增大到一定程度(1.5Pa)时,沉积速率达到最大值,之后随溅射气压的增大,又不断减小;对于黄铜和聚酰亚胺基片,溅射初始阶段的沉积速率低于后面阶段的沉积速率。     

镀锌灰中氯化锌和氧化锌的分离测定

本文推荐８％乙酰丙酮─８％乙醇溶液作为镀锌灰中ＺｎＣｌ２和ＺｎＯ的选择性溶剂。在室温条件下电磁搅拌浸取分离（３０ｍｉｎ）后,即可用银量法测定浸出液中的ＺｎＣｌ２和用ＥＤＴＡ法测定其总锌量,差减而得ＺｎＯ的含量。方法简便、快速、干扰少,用于镀锌灰中ＺｎＣｌ２和ＺｎＯ的分离测定,获得了比较满意的结果。     

采用磁控溅射法在细菌纤维素膜上制备高性能的铟锡氧化物薄膜

Microbial cellulose (MC) membranes produced by Acetobacter xylinum NUST4.1, were used as flexible substrates for the fabrication of transparent indium tin oxide (ITO) electrodes. Transparent and conductive ITO thin films were deposited on MC membrane at room temperature using radio frequency (RF) magnetron sputtering. The optimum ITO deposition conditions were achieved by examining crystalline structure, surface morphology and optoelectrical characteristics with X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), and UV spectroscopy. The sheet resistance of the samples was measured with a four-point probe and the resistivity of the film was calculated. The results reveal that the preferred orientation of the deposited ITO crystals is strongly dependent upon with oxygen content (O2/Ar, volume ratio) in the sputtering chamber. And the ITO crystalline structure directly determines the conductivity of ITO-deposited films. High conductive [sheet resistance～120Ω.square-1(Ω.sq-1)] and transparent (above 76%)ITO rilms(240 nm thick) were Obtained with a moderate sputtering power (about 60 W) and with an oxygen flow rate of 0.25ml·min-1(sccm) during the deposition. These results show that the ITO-MC electrodes can find their potential application in optoelectrical devices.     

Nb、Ti微合金化对Q345R压力容器板焊接性能的影响

 通过力学性能测试及微观组织分析研究了传统中板及低碳,Nb-Ti微合金化Q345R热连轧压力容器板在手工焊、气保焊及埋弧焊3种焊接工艺下的接头性能,测定了不同焊接工艺下接头各区域的硬度分布,评价了Q345R接头力学性能。试验结果表明,连轧Q345R板焊接接头具有更好的综合性能,其接头冲击韧性明显好于传统中板,粗晶区淬硬程度低。连轧板良好的性能来源于TMCP工艺下碳当量降低及Nb-Ti微合金化处理改善了基体及接头的微观组织。     

不同S值磁控阴极溅射沉积Mo薄膜的结构与性能研究

在室温下,利用不同磁感应强度相对分布因子S的磁控阴极溅射沉积了金属Mo薄膜.实验研究了磁控阴极S值对放电参数、Mo薄膜的结构、形貌及性能的影响.分别利用XRD,SEM和四探针技术对Mo薄膜的相结构、表面和截面形貌及电阻率进行表征分析.结果表明,随着磁控阴极S值的增加,Mo靶放电电压降低,而放电电流增加;不同S值的磁控阴极沉积的Mo薄膜均呈现多晶结构,且具有柱状生长特征;随着磁控阴极S因子的增加Mo膜的厚度和电导率呈现先增加而后减小的变化规律,电阻率最小可达4.9×10-6Ω·cm.