氮化镓低维纳米结构的制备与表征

主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出GaN纳米线和纳米带.通过X－射线衍射(XRD),扫面电镜(SEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段对其形貌进行了表征和分析.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备GaN纳米结构形貌特征的影响.对两种GaN纳米材料的拉曼散射光谱进行了分析.     

二维纳米结构——氧化铋纳米片的制备与表征

利用物理气相沉积法,在氲气和氧气保护下将氧化铋粉末在水平管式炉中常压加热至1050℃,然后降温沉积,在硅衬底上得到了大量具有规则矩形外形的二维纳米结构——片状氧化铋．纳米片的长约1200mm,宽约300nm,厚约10～15nm．采用扫描电镜（SEM）,X-ray能谱仪（EDS）、高分辨透射电镜（HRTEM）等测试手段分析了样品的形貌、成分及微结构．研究分析了衬底放置方式对产物沉积量的影响．     

二维纳米结构——氧化铋纳米片的制备与表征

利用物理气相沉积法,在氩气和氧气保护下将氧化铋粉末在水平管式炉中常压加热至1050℃,然后降温沉积,在硅衬底上得到了大量具有规则矩形外形的二维纳米结构——片状氧化铋.纳米片的长约1200nm,宽约300nm,厚约10～15nm.采用扫描电镜（SEM）,X-ray能谱仪（EDS）、高分辨透射电镜(HRTEM)等测试手段分析了样品的形貌、成分及微结构.研究分析了衬底放置方式对产物沉积量的影响.     

沉淀法制备纳米二氧化铈及其表征

利用XRD、SEM和TG-DTA分析手段对用两步沉淀法制备的纳米二氧化铈粉进行了初步表征:XRD分析表明,当焙烧温度为200～600℃时,所合成的CeO2粒子属于立方晶系,空间群为O5hFm3m;SEM微观分析表明,CeO2粒子呈球形,粒度随焙烧温度的升高而增大,在400℃焙烧所得到的粒子粒径≤100nm;TG-DTA分析表明,该方法的前驱体结构为Ce(OH)3OOH和CeO2·2H2O的混合物.     

纳米CeO2的微波制备与表征

以Ce(SO4)2.4H2O和NaOH为反应原料,聚乙二醇(PEG)作为表面活性剂起到分散和保护产品的作用,用新型的微波合成技术制备纳米CeO2。对微波制备纳米CeO2工艺中的影响因素进行了考察,并且作了正交优化设计实验,得到最佳制备工艺条件:PEG的反应体积为9 mL,PEG的洗涤体积为7 mL,无水乙醇的体积为10mL,微波恒压为0.14 MPa,微波功率为232 W,微波辐射时间为6 min。采用红外光谱仪对产品进行定性分析,采用X-射线衍射仪分析其晶相结构,采用差热-热重联用分析仪对样品热稳定性进行分析,采用紫外-可见分光光度计测定其吸光性能。实验结果表明,产品颗粒粒径为24.9 nm,在280~400 nm对紫外线具有较好的吸收,在400~800 nm对可见光有较好的透光性。     

表面修饰SnS2纳米粒子的合成及结构表征

利用表面修饰法合成了双十六烷基二硫代磷酸（DDP）修饰的SnS2纳米粒子,并用红外光谱（IR）、X-射线光电子能谱（XPS）和透射电子显微镜（TEM）等仪器对产物的结构、尺寸、形状及化学状态进行了研究,结果表明：表面修饰剂与纳米粒子表面之间发生化学键合作用,这使得SnS2纳米粒子的油溶性得以明显改善,而且有效地阻止了纳米粒子之间的团聚现象,因而所合成的SnS2纳米粒子大小均匀,粒径约为7nm。     

Ag/TiO2纳米粒子的制备与表征

为了扩大纳米TiO_2在可见光范围的吸收,进行在纳米TiO_2中掺入Ag实验.以工业级偏钛酸、硝酸银为主要实验原料,采用一种简易的方法制备出Ag/TiO_2纳米粒子,并通过X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外一可见光吸收光谱(UV-vis)对该粒子进行表征.结果表明,二氧化钛以锐钛型晶型,银以单质的形式存在于纳米复合粒子中;Ag的结合能367.476 eV(3d_(3/2))与373.453 eV(3d_(5/2))分别比纯银的结合能368.4 eV(3d_(3/2))与374.4 eV(3d_(5/2))低,这是由于制备Ag/TiO_2时煅烧温度较纯银高,银簇生长较大引起的;并显示复合粒子的粒径约为30 nm;Ag/TiO_2纳米粒子感应波长明显红移,增强了纳米TiO_2在可见光范围内的吸收.     

纳米CeO2粉末的制备及表征

采用草酸作沉淀剂制备了纳米CeO2粉末，由DTA和TG分析结果可知，温度升高到600℃时，前驱全基本分解完全，随的延长，失重增加．XRD结果表明，粉末为萤石结构，在600℃焙烧1h，粉末的晶粒度为20．15nm，晶胞常数为0.54nm，烧结3h的晶粒度为21．07nm,晶胞常数为0.54nm,TEM分析表明，所有粉末的颗粒形状较规则，分散性良好，无极化处理对分散性影响不大，焙烧1h的粉末平均颗粒度为12－35nm，焙烧3h粉末的颗粒度分布在17－40nm之间。     

纳米TiO_2的沉淀法制备及表征

用廉价的 Ti Cl4 作原料 ,采用简单易行的沉淀法制备出了平均粒径为 2 0 nm的锐钛矿型纳米 Ti O2 粉体 ,确定了最佳煅烧温度为 5 0 0℃。 XRD结果表明 ,40 0℃煅烧后的产物为锐钛矿型纳米 Ti O2 ,在 60 0℃煅烧后的产物仍保持锐钛矿晶型 ,而在 70 0℃煅烧后的产物才开始出现金红石型 Ti O2 ,但粉体的主要晶型仍为锐钛矿型     

Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN

GaN based III-nitrides are one of the most promising wide band gap semiconductors for the fabrication of optoelectronic devices emitting in the green-ultra-violet range and high-temperature, high-speed electronic devices, because these compounds have wide and direct energy band-gap[1]. Although a lattice-matched substrate is difficult to obtain, -Al2O3 has been successfully used as the substrate to grow GaN film by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). GaN grown on sapphire cont…     

兼容5G毫米波n257和n258频段的氮化镓低噪声放大器设计研究

基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN)高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA)单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24～30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5～29.5 GHz)和n258(24.25～27.5 GHz)频段,噪声系数可达到2.4～2.5 d B的水平,小信号增益在21.1～24.1 d B之间,输出1 d B功率压缩点大于14.4 d Bm的水平。     

双酚F环硫-环氧树脂的制备与表征

利用双酚F型环氧树脂和硫脲为原料，丙酮和甲醇为溶剂，以苯为萃取剂，合成了双酚F型环硫-环氧树脂．考察了反应时间、反应温度、原料配比对产品性能的影响．实验结果表明：最佳反应条件为反应温度40～45℃，反应时间3．0h．并利用红外光谱、核磁共振和化学方法对产品结构进行了表征。     

不同衬底上低温生长GaN形貌的AFM观察

　Aim　To study the relationship between the substrate temperature and the morphology and properties of GaN. Methods Applying the hydride chemical vapor deposition method, GaN films were deposited on different kinds of substrates, including sapphire, Si(111),Si(100),GaAs and GaP(111) both on the P face and the Ga face. The growth was performed at low temperatures of below 700℃. XRD, Hall measurement, cathodoluminescence (CL) and atomic force microscopy (AFM) were used to characterise the film properties. Results It was found that the temperature and the nature of substrate materials influence the layer morphology. Conclusion The analysis shows that no apparent relationship exists between the optical properties and layer morphology.     

污泥活性炭的制备、结构表征及吸附特性

以城市污水厂污泥为原料,氯化锌为制孔剂,加入适当添加剂制备污泥活性炭,借助吸附等温线和BET、FT-IR、SEM等现代分析测试方法,表征其结构和吸附特性.结果表明:活化温度600℃、活化时间30 min、ZnCl2浓度50%、原料粒度20~24目时制备的污泥活性炭,其碘吸附值为643.0~815.6 mg/g,最可几孔径分布在4.16 nm左右,具有介空结构;平均孔容为0.4484~0.5122 mL/g,比表面积为634.8~748 m2/g,IR峰中C＝C、C—H、N＝O、C—OH是活性炭表面功能组.污泥活性炭对苯酚的吸附以多层吸附和毛细孔凝聚为主,微孔填满后达饱和,24 h饱和吸附量为15 mg/g.     

4-氨基邻苯二甲酰亚胺的制备与表征

以4-硝基邻苯二甲酰亚胺（4NP）为原料，采用铁粉还原法制备4-氨基邻苯二甲酰亚胺（4-AP）．考察了还原反应温度、反应时间、铁粉的用量、氯化铵的用量等因素对4-AP收率的影响．结果表明：当还原反应温度为80℃、反应时间为3h、n（铁粉）：n（硝基化合物）为3．5：1．0、n（氯化铵）n（铁粉）为0．3：1．0时，产物的收率为91．08％、熔点为292．7～292．9℃．并通过红外光谱对产物进行了结构表征，与标准图谱一致．     

Preparation and characterization of zirconia oxygen sensors

A thimble zirconia oxygen sensor was prepared with YSZ. The surfaces of the Pt electrode, electrolyte and their interface were observed with a scanning electron microscope (SEM).The sensor was examined with engine bench test to evaluate the essential performance. The basic function such as electromotive force output and response time was discussed. The oscillograph trace was also obtained and analyzed with four different frequencies. The experimental results reveal that the oxygen sensor has high performances meeting the demands of practical applications.     

高岭石/醋酸钾夹层复合体的制备与表征

论述了高岭石/醋酸钾复合体的制备、表征方法及夹层作用的影响因素。对目前在制备高岭石/醋酸钾复合体过程中存在的主要问题进行了分析。通过比较,指出了今后在合成高岭石/醋酸钾复合体过程中应注意的事项。     

Preparation and Characterization of Zinc Aluminosilicate Transparent Glass-Ceramics

Zinc aluminosilicate glasses containing Li2 O, ZnO , Al2O3 and SiO2 were prepared by conventional melting and quenching technique, and subsequently converted to transparent glass-ceramics by controlled nucleation and crystallization. The glass was melted in a platinum crucible at 1 600 ℃ for 2 h and then two-step heat treated for the nucleation and the crystal growth. The nucleation and crystallization temperatures were determined by differential thermal analysis. Specimens heat-treated on different schedules were analyzed by the X-ray diffraction to determine crystalline phases. Scanning electron microscopy was used to study the glass-ceramics morphology, the grain size and distribution in the residual glass matrix. The reorganization of the amorphous solid was confirmed by FT-IR spectroscopy. The transmittance was measured by a UV-Vis-NIR scanning spectrophotometer .