微小光学元件的镀膜

现代光学和其他领域一样,都需解决微型化的问题,其目的是更好掌握和利用光,使其作为信息的载体。薄层干涉镀膜由于其厚度小应用广,非常适用于小型光学元件。但是它的应用并不理想,有以下几方面技术原因:很小光学面(如光导纤维)的真空镀膜,要求纯净度很高,并不能由于生产件数大而     

元件底部的清洗

由于取缔厂CFC的使用，所以，各种不同的清洗工艺应运而生，并被确定为可行的替代技术。这几种清洗工艺有超声和批量空气喷淋以及在线清洗。通常，每种类型的清洗没备有其各自的优点和缺点，对于用户来说，其具有决然不同的重要性。     

可在线应用的大口径溶胶-凝胶膜光学元件激光清洗工艺研究(特邀)

在高功率激光装置中,光学元件表面的污染物会降低光束质量甚诱导光学元件损伤。针对装置中受污染的镀有SiO₂溶胶-凝胶增透膜的大口径真空隔离片(430 mm×430 mm),使用波长为355 nm的Nd:YAG脉冲激光器模拟在线激光清洗实验。实验中采用了单发次激光干式清洗与气流置换系统辅助的激光清洗系统,研究了关键特征参数对激光在线清洗效果的影响规律,获得了可用于激光在线清洗的工艺参数。光学元件的处理采用光学显微镜、暗场成像法表征以及图像处理软件分析。实验结果表明,激光在线清洗光学元件存在最佳工艺窗口。通过气流置换辅助的激光清洗方法后,相较于单纯的单发干式激光清洗,激光清洗能力有大幅提升。因此,气流置换系统辅助单发激光清洗能有效提高其清洗能力,为高功率激光装置中大口径光学元件表面污染物在线去除提供了一种有效手段。     

光刻胶在二元光学元件制作工艺中的行为研究

采用大规模集成电路的多次掩模光刻和刻蚀技术制作二元光学元件阵列是较为传统和实用的制作方法,其工艺过程主要包括:利用光刻技术将设计的掩模版图形转印到有光刻胶的衬底表面;利用刻蚀技术将光刻胶的图形转移到衬底表面,形成所需的表面浮雕结构.在工艺中,光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重要的作用.光刻和刻蚀两道工序都要求实际图形与掩模版的图形达到很高的一致性,这样才能实现元件被高保真地制作到衬底上.在整个工艺过程中,由于不同光刻胶在甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀或腐蚀等工艺中表现不同的行为特性:附着性、均匀性、边缘效应、分辨率、感光度、高温形变、耐刻蚀性等等,使得所制作的器件性能有较大的区别.本文详细研究了不同光刻胶在不同工艺过程中的行为.在二元光学元件的制作中,通过选用不同的光刻胶:在第一次光刻刻蚀台阶较深时,选择粘度系数较大,高感光度,耐刻蚀的厚胶;在套刻中,刻蚀台阶较浅时,选用高分辨率、高陡直度、耐高温的薄胶,最终制作出了性能良好的二元光学元件.(OD2)     

光学玻璃元件水基清洗剂的实验与研究

本文论述了光学元件的清洗及清洗剂的研制机理。     

光学元件表面洁净度对其表面散射特性的影响

针对光学系统在实际工作中元件表面污染粒子对光的散射问题,以空气中Al2O3污染粒子为例,基于米氏散射理论,模拟和分析了元件表面双向反射分布函数（BRDF）随散射角的变化规律,进而定量计算了元件表面全积分散射值（TIS）。在此基础上,进一步分析了影响表面洁净度的三个主要因素（空气洁净度、工作面朝向和曝露时间）对元件表面BRDF及其TIS值的影响。结果表明,空气洁净度等级、工作面放置方向和曝露时间等对元件表面散射量的影响均较为明显。其中,工作面的放置方向对元件表面的散射影响尤为突出,水平向上放置（TIS=1.9310-4）较之垂直放置时（TIS=8.0710-5）散射量增大一个量级,而较之工作面水平向下放置时（TIS=3.1210-6）增大两个量级。最后,以卡塞格伦望远镜为例,针对其主镜的污染容限问题,分析了不同空气洁净度条件下主镜表面洁净度达到污染容限所用的曝露时间,可为实际工作中污染控制和保证系统对微弱目标信号的有效探测提供参考。     

利用里奇-考曼测试分析未镀膜光学元件

当要测量大尺寸未镀膜的光学元件时,科学家们发现可以用里奇一考曼测试,尽管这种测试起初用于确定大尺寸(达1m)反射平板表面面形的干涉技术,但这种技术可以适当改变。     

一种用于大功率超声清洗换能器的压电材料

通过对ＰｂＭｅ（Ｃａ＿（１／４）Ｍｎ＿（１／４）Ｎｂ＿（１／２））＿ｘＴｉ＿ｙＺｒ＿ｚＯ＿３系材料的研究，并以Ｓｒ￣（２＋）、Ｍｇ￣（２＋）等价取代Ｐｂ￣（２＋），以ＣｅＯ＿２作为添加改性剂，研制出机电耦合系数高（ｋ＿ｐ＝０．６２）、机械品质因数高（Ｑ＿Ｍ＝２０３６）、机械强度高（抗张强度为４４２ＭＰａ）、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。     

低频超声清洗声场强度的测量

本文阐述了用于测量低频超声清洗声场强度的几种实用方法，介绍了每种测量方法的基本原理，并对各自的优缺点进行了对比分析，最后介绍了国内外一些相关的测量设备。结合目前低频超声清洗声场测量方面的研究现状，探讨了今后该领域急需解决的问题。     

改善大功率超声清洗声场均匀性的一种方法

根据声波的叠加理论及清洗槽内形成驻波场的特点，把换能器布阵在清洗槽的两倜对射，使对射歪离始终保持整数倍的四分之一波长。在大功率实用状态下．研究测试深度方向和水平方向的声场分布，用亚甲基蓝水溶液经超声辐射，在铜版纸上真实记录声场的分布情况。结果表明，与传统的槽底辐射相比，这种方法大大改善了清洗槽水平方向的声场均匀性，且深度方向的声场均匀程度也有明显的改善。     

空分设备的清洗

文章介绍了空分设备及其性能特点，空分设备的工艺流程，空分设备表面清洁度及其检查方法，指出通过清洗降低空分设备表面油脂的残留量对保障空分设备性能的正常发挥有着重要意义，过去通常采用四氯化碳作清洗剂，文章研究了在淘汰ODS新形势下可采用的清洗剂和清洗技术，介绍了在这方面取得的成果和经验。     

超声波清洗技术与进展

本文综述了我国超声波清洗技术发展状况，介绍了超声波清洗特点和机理、超声波清洗技术参数的选择、超声波设备的组成以及超声波技术的最新进展．     

超声波清洗机在清洗装滚子的塑料盒中应用

通过对原来用纸盒和改用塑料盒装滚子前后清洗方法的比较，介绍了改用超声波清洗塑料盒的新工艺，提高了清洗效率，减少了对环境的污染，极大地改善了工人作业环境。     

超声波清洗对LCD性能的影响的研究

研究了超声波清洗对液晶器件定向层性能的影响，结果表明：超声波的输出功率、液晶器件的形状与尺寸以及清洗时的放置方式均对定向层的划伤程度产生较大的影响。并在此基础上进行了理论计算，结合实验结果，分析了定向层划伤的原因。     

太阳能级Si片清洗工艺分析

在实验基础上对太阳能级Si片碱性清洗工艺进行了分析,指出碱性清洗液在适宜的工艺环境下,配合超声清洗和表面活性剂的使用可以获得良好的清洗效果。结果表明,表面金属浓度分别达到Cu元素小于1.3×10~(14)atoms/cm~2,Fe元素小于5×10~(13)atoms/cm~2。碱性清洗液与Si晶体发生两步化学反应,平衡后OH~-离子浓度保持稳定,是以获得稳定的清洗效果同时提高清洗液的使用效率。     

半导体元件清洗技术浅谈

随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高。清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步。     

高密度印制板组件离心清洗工艺技术研究

针对低架空高度、高密度封装BGA和CSP底部难以清洗干净的难题,将离心清洗工艺技术应用于PCBA的清洗中.探讨清洗溶剂选择原则,研究离心清洗工艺原理,设计和优化了离心清洗工艺流程,设置了离心清洗工艺参数,分析以上因素对高密度印制板组件清洗效果的影响规律.清洁度检测结果表明:清洗溶剂选择正确,清洗工艺流程合理,离心清洗工...