介电电泳芯片的结构设计与模拟分析进展

综述了国内外微流控芯片介电电泳(DEP)的研究进展和介电电泳芯片的主要结构设计方案。依据芯片电极结构设计的不同,将介电电泳芯片分为阵列电极DEP芯片、抛物线电极DEP芯片、绝缘微柱DEP芯片及其他设计DEP芯片四大类。分别对芯片电极结构设计所采用的模拟分析进行了归纳和综述,重点探讨了如何通过电场模拟分析手段对芯片结构参数进行优化,分析了流体分布与热效应对芯片效能的影响,列举了不同电极结构设计的DEP芯片的工作效率及实际应用效果。提出了目前采用模拟分析方法进行芯片结构设计存在的问题,进而对基于MEMS技术的DEP芯片的设计和应用前景进行了展望。     

芯片载体的应用及将来的方向

本文评论了采用芯片载体的必要性和芯片载体的规格。介绍了芯片载体的热特性和芯片载体在电信方面的应用,评论了芯片载体在应用方面的一些障碍和将来的发展方向。     

面源红外目标模拟器硬件系统设计

面源红外目标模拟器是红外成像导弹导引头性能测试必不可少的部件。通过需求分析,利用PCI技术、FPGA芯片、SRAM芯片和DA芯片搭建了一个硬件驱动系统,用来实现驱动电阻阵列芯片的产生红外辐射的功能,同时对系统中的PCI接口芯片、FPGA芯片、SRAM芯片、DA转换芯片和电阻阵列芯片的选型进行了详细分析,并且对硬件系统涉及的FPGA外围电路、PCI接口电路、SRAM接口电路和DA转换电路进行了设计。     

SOC设计:IC产业链设计史上的重大革命

集成电路芯片设计是IC产业链的龙头,而系统芯片(SOC)集中了芯片设计的先进技术。本文论述了SOC芯片的最新设计技术和焦点技术,包括嵌入式CPU,IP模块设计以及芯片的验证和测试等,展望了当前SOC芯片设计的发展趋势。     

医用微流控芯片研究进展

随着微电子学和微机电系统技术不断发展,微流控芯片技术不断创新,一些具有颠覆意义的新型医用芯片不断出现,并成为现代医学技术的支撑工具。首先,概述了医用微流控芯片的概念和应用。然后,介绍了6种具有代表性的新型医用微流控芯片的研究进展,包括基因芯片、即时诊断芯片、免疫芯片、可穿戴式芯片、数字化聚合酶链式反应芯片、循环肿瘤细胞芯片、组织与器官仿生芯片。最后,总结了医用微流控芯片的发展趋势。     

LTE时代手机芯片厂商竞争分析与趋势展望

基于芯片产业整体关系视图简要介绍了手机芯片行业的产业格局、上下游关系和竞合趋势。聚焦LTE手机的主芯片、基带芯片与射频芯片等关键细分芯片领域,总体分析了竞争格局与发展状况,逐一剖析了LTE时代主要芯片厂商的产品布局、市场策略和发展前景。最后对影响芯片领域竞争走向的关键因素进行了分析与展望。     

提高多芯片拼接线性度的新方法

为实现多芯片集成高精度拼接,对芯片拼接线性度进行了深入研究,提出了一种保证高精度芯片集成拼接方法.通过CCD图像匹配、识别定位每个芯片的实际位置坐标,根据已经拼接完成的芯片位置坐标拟合,进行芯片逐步预定位,及时纠偏,拼接完成后进行每一行芯片的直线度和行与行之间平行度的检测,介绍了芯片集成拼接工艺流程和拼接方法,并对检测...     

IC测试原理-射频/无线芯片测试基础

1 引言 芯片测试原理讨论在芯片开发和生产过程中芯片测试的基本原理,一共分为四章,下面将要介绍的是最后一章.第一章介绍了芯片测试的基本原理,第二章介绍了这些基本原理在存储器和逻辑芯片的测试中的应用,第三章介绍了混合信号芯片的测试.本文将介绍射频/无线芯片的测试.     

视频增强处理芯片设计

文章介绍了一块新型电视芯片———视频增强处理芯片 ,此芯片是一块国内自行设计的拥有完整知识产权的数字化电视的核心芯片。首先介绍了芯片的设计框图、各功能模块以及芯片设计过程 ;最后用此芯片设计了一块解码板 ,实现了扫描格式转换、帧频提升和数字化处理的目的。     

我国车规级芯片产业安全发展研究

汽车芯片短缺是制约汽车向电动化、智能化和网联化迈进的重要因素。受汽车“芯荒”的启发,首先,详细地剖析了造成汽车芯片供应短缺的原因,指出了车规级芯片不同于消费级芯片的技术特点;其次,论述了车规级芯片行业发展特点和国内车规级芯片的发展趋势;然后,深刻分析了我国汽车芯片产业存在的问题,挖掘了影响我国汽车芯片产业国产化突破的关键因素;最后,针对相应问题提出了解决措施,希望为我国汽车芯片产业自主化能力提升提供参考。     

降低IC芯片成本与提高设备自动化

讨论了降低IC芯片成本与提高设备自动化的关系。要降低IC芯片成本和增加IC芯片制造商的利润必须提高IC芯片生产率和IC芯片良率,其保证措施即是设备自动化。     

LTE终端芯片发展趋势

随着LTE产业的发展,国内外芯片厂商都在研发LTE芯片产品。从多频多模技术、功耗和终端芯片工艺的要求这三方面分析了LTE终端芯片的关键技术,并介绍了高通、联发科、展讯、美满电子、英特尔等几个主要研发和生产UFE芯片的国为外厂商当前比较有代表性的芯片,黢后还展望了LTE芯片的发展趋势以及面临的挑战。     

用面对面叠加法实现芯片的3D集成

面对面芯片叠加使一颗芯片置于另一颗芯片的倒装凸块阵列中,从而极大减小了封装厚度。POSSUMTM封装是指两颗或多颗芯片用面对面的方式叠加,其中较小的芯片置于较大芯片上没有互联倒装凸块的区域。较小的芯片在薄化后通过铜柱微块组装到较大的芯片上。因此,薄化了的较小芯片和它的铜柱微块的总体高度就比其附着的较大芯片的倒装凸块经回流后的高度要低很多。一旦组装完毕,较小芯片就被有效地夹在上面的较大芯片和下面的基板中,同时被一环或多环倒装锡凸块包围。底部填充剂的使用同时保证了铜柱和无铅锡凸块在测试和使用中的可靠性要求。因为信号在两颗芯片的表面运行,所以互连线极短,可以实现近距离信号匹配,和小电感的信号传输。这种面对面芯片叠加方式保证了很好的芯片间信号传输的完整性,是穿硅孔(TSV)封装技术的低成本的有效替代。     

飞利浦推出革命性电源管理芯片 特为台式PC机电源设计的高级拓扑技术 可大幅提高的电源效率超过80％

飞利浦电子公司日前发布了绿色芯片(GreenChip)节能系列的两款最新产品:绿色芯片(GreenChip)PC芯片组和绿色芯片(GreenChip)SR芯片组。飞利浦绿色芯片(Greenchip)PC芯片组采用了一种全新的一体式(all-in-one)设计,可以大幅提高台式PC机电源整体效率超过 80％。绿色芯片(Greenchip)SR(同步整     

基于国产核心芯片的单兵继保测试设备设计

继保测试设备在变电站运维中起着至关重要的作用,然而当前多采用以进口芯片为核心的方案设计,存在芯片断供的风险,间接危害电网的安全稳定.为降低设备对进口芯片的依存度,设计一种基于国产核心芯片的单兵继保测试设备.文章分析了单兵运维下的应用场景和性能要求,调研了国产核心芯片和外围电路芯片的现状.以国产芯片全志T3为核心芯片,外...     

MCU芯片Multi-Sites测试中几个值得关注的问题

介绍了MCU芯片Multi-Sites测试方法,针对MCU芯片Multi-Sites测试的难点,阐述了在MCU芯片Multi-Sites测试过程中经常影响测试系统和测试效率的问题。主要提出了MCU芯片MultiSites测试过程中的直流参数测试、功能测试的影响因素和解决方案,并对MCU芯片Multi-Sites测试过程中经常遇到的干扰因素进行分析,尽可能保证MCU芯片Multi-Sites测试过程中获得的各项性能参数稳定可靠。     

基于热-流-力耦合计算的多芯片组件布局构形优化

基于构形理论和多物理场耦合数值计算方法,建立了自然对流条件下均匀产热的多芯片组件模型,给定印刷电路板面积和芯片总占地面积为约束条件,分别以最高温度、最大应力和最大形变为优化目标,以芯片个数及芯片长宽比为设计变量,研究了芯片布局演化对系统性能的影响.结果 表明:不同优化目标下,最优构形均为芯片长宽比为2.1的8芯片布局方式,多芯片组件的最高温度、最大应力和最大形变分别最多可降低16.5％,28.3％和26.9％.对芯片个数和芯片长宽比双自由度的优化效果要明显优于仅对芯片长宽比的单自由度优化.     

IC测试原理-芯片测试原理

1引言 芯片测试原理讨论在芯片开发和生产过程中芯片测试的基本原理,一共分为四章,下面将要介绍的是第二章.我们在第一章介绍了芯片测试的基本原理;第二章讨论了怎么把这些基本原理应用到存储器和逻辑芯片的测试上;本文主要介绍混合信号芯片的测试;接下来的第四章将会介绍射频/无线芯片的测试.     

2TF:一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法

 三维芯片由多个平面器件层垂直堆叠而成,并通过过硅通孔(TSV,Through Silicon Via)进行层间互连,显著缩短了互连线长度、提高了芯片集成度.但三维芯片也带来了一系列问题,其中单个过硅通孔在目前的工艺尺寸下占据相对较大的芯片面积,且其相对滞后的对准技术亦降低了芯片良率,因此在三维芯片中引入过多的过硅通孔将增加芯片的制造和测试成本.垂直堆叠在使得芯片集成度急剧提高的同时也使得芯片的功耗密度在相同的面积上成倍增长,由此导致芯片发热量成倍增长.针对上述问题,本文提出了一种协同考虑过硅通孔和热量的三维芯片布图规划算法2TF,协同考虑了器件功耗、互连线功耗和过硅通孔数目.在MCNC标准电路上的实验结果表明,本文算法过硅通孔数目和芯片的峰值温度都有较大的降低.     

均匀光栅DFB激光器光电特性研究北大核心CSCD

光栅结构的设计和制作直接决定了分布反馈（DFB）半导体激光器光电特性的优劣。采用传输矩阵法模拟了不同光栅耦合因子下随机相位对均匀光栅DFB芯片特性的影响,获得了芯片的光电参数分布。通过分析耦合因子对芯片光电参数分布的影响,提高了DFB芯片的成品率。设计并制备了基于Al Ga In As材料体系的脊波导DFB激光器,最终使芯片双峰比例仅为7.7%、成品率达到60%。对合格品在-40~105℃下的P-I特性和在-40~85℃下的光谱进行了测试,结果表明芯片性能优良,芯片远场发散角为25°和21°。芯片的小信号频带响应和眼图测试结果表明芯片完全满足2.5 Gbit/s的应用要求。