C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

一种S波段低噪声放大器的设计

基于Siemens的NPN射频晶体管BFP420,设计出一款适合于S波段的低噪声放大器,本设计使用了宽带匹配技术,结合微带线和集总元件设计出宽带的匹配网络。放大器适用频率范围:1.8 GHz～3.2 GHz,可用带宽1.4 GHz,相对带宽56%,属超宽带低噪声放大器。测试结果表明,在可用频段范围内,放大器增益波动3.7 dB,输入驻波比VSWR<1.8 dB,输出驻波比VSWR<1.295 dB;1.8 GHz增益G=12.53 dB、噪声系数NF=1.128 dB;3.2 GHz增益G=8.79 dB、噪声系数NF=1.414dB。本设计可满足无线蓝牙、WIFI,Zigbee等多种2.4 GHz主流ISM无线设备的应用要求。     

S波段低噪声放大器的ADS仿真与设计

介绍低噪声放大器设计的理论基础,并重点介绍了低噪声放大器的主要性能指标:噪声系数、功率增益、驻波比、稳定性等。以ATF38143晶体管为例介绍了ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法和主要步骤。采用三级级联结构设计出满足指标的S波段低噪声放大器链路。该放大器链路的指标为噪声系数小于1.2,功率增益大于50dB,增益平坦度小于0.5dB,VSWR小于1.8的低噪声放大器,带宽为6MHz,并具有一定的带外抑制能力。     

全波段毫米波低噪声放大器

SPACEKLABS研制成这种最新的低噪声放大器在毫米波段 ,33～ 5 0GHz(WR - 2 2 )和 4 0～ 6 0GHz(WR - 19)能够提供全波段的性能。在此频段风 ,典型增益为 18～ 2 0dB ,最小噪声系数为 3dB。在 +8～ +11VDC时 ,DC为 5 0mA。全波段毫米波低噪声放大器@一凡     

Ka波段低噪声放大器的研制

本文介绍了Ka波段低噪声放大器的设计和实验结果。     

高增益K波段MMIC低噪声放大器

基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.     

高增益K波段MMIC低噪声放大器

基于0.25μm PHEMT工艺,给出了两个高增益K波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB.两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积,放大器1dB压缩点输出功率大于15dBm;芯片尺寸为1mm×2mm×0.1mm.该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26.5GHz本地多点通信系统中.     

0.5dB噪声系数高线性有源偏置低噪声放大器

设计了一种宽带、噪声系数仅为0.48dB的有源偏置超低噪声放大器。低噪声放大器采用0.5μm GaAs E-PHEMT工艺研制,2.0mm×2.0mm×0.75mm 8-pin双侧引脚扁平无铅封装,具有低噪声、高增益、高线性等特点,是GSM/CDMA基站应用上理想的一款低噪声放大器。     

Ka波段低噪声放大器的研制

毫米波低噪声放大器是毫米波接收系统的关键部件,本文设计的毫米波低噪声放大器采用BJ320波导口输入输出和微带探针过渡结构实现波导结构到微带平面电路的过渡,使用MMIC芯片微组装工艺实现电路的制作,在工作频带内,测得该低噪声放大器的增益大于16 dB,噪声系数小于2.7 dB,达到了工程使用的要求。     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计

叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法，提出了利用普通微带混合集成电路．工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术，并且用带封装的ＢＪＴ和ＦＥＴ实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用２ＳＣ３３５８，放大器为三级，频带为３０ｋＨＺ～１６００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±１ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤３．５ｄＢ；另一个利用ＡＴＦ１０２３５（６），放大器为二级，频带为５００ｋＨＺ～６０００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±２ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤２ｄＢ。     

S 频段pHEMT 双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。     

0.2 GHz～3.2 GHz超宽带低噪声放大器的研制

为了降低接收前端的噪声,设计并制作一种超宽带低噪声放大器。基于负反馈技术和宽带匹配技术,利用Avago ATF-54143 PHEMT晶体管设计了放大器电路。运用ADS2009对重要指标进行仿真及优化。实测结果表明,在0.2 GHz～3.2 GHz这4个倍频程的超宽带范围内,增益大于24 dB,增益平坦小于±2 dB。在0.2 GHz～2GHz内,噪声系数（NF）小于1.2 dB;在2 GHz～2.6 GHz内,NF〈1.5 dB;在2.6 GHz～3.2 GHz内,NF〈2 dB。该放大器性能良好,满足工程应用要求,可用于通信系统的接收机前端。     

1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器

无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单片集成的研究,我们给出了利用0．18μm CMOS工艺设计的5．2GHz低噪声放大器。在1．8v电压下,工作电流为24mA增益为15．8dB噪声系数为1．4dB。     

心电图机专用IC－CMOS低噪声前置放大器的设计

ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由于采用特殊的设计技术，使我们研制的ＣＭＯＳ运放具有较低的１／ｆ噪声，且功耗较低。经研制及投片，实例得０．０５Ｈｚ～２５０Ｈｚ等效输入噪声电压峰峰值小于２．５μＶ，±２．５Ｖ到±１０Ｖ电源电压下输入失调小于１ｍＶ，共模抑制比１１０ｄＢ以上，完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合，在±２．５Ｖ工作时亦可作为微功耗运放使用。     

采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器

利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。     

C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计

主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5～6 GHz,噪声系数小于1.2 Db,增益大于24 Db,输入输出驻波比小于1.5:1,增益平坦度△Gp≤±0.1 Db,1 Db压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 Ma.电路最终测试结果与设计结果吻合.