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基于精确时延模型考虑缓冲器插入的互连线优化算法 总被引:2,自引:0,他引:2
随着VLSI电路集成度增大和特征尺寸的不断减小,连线的寄生效应不可忽略,互连线的时延在电路总时延中占了很大的比例,成为决定电路性能的主要因素.在互连时延的优化技术中,缓冲器插入是最有效的减小连线时延的方法.本文提出了一个在精确时延模型下,在布线区域内给定一些可行的缓冲器插入位置,对两端线网进行拓扑优化,并同时插入缓冲器以优化时延的多项式时间实现内的算法.我们的算法不但可以实现时延的最小化,也可以在满足时延约束的条件下,最小化缓冲器的插入数目,从而避免不必要的面积和功耗的浪费. 相似文献
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本文讨论了在硅栅或铝栅MOS 电路工艺中,利用单层金属布线完成自动布线时所存在的二向不等距网格上的布线问题,提出了解决的方法并给出了实际应用的结果,结果表明,在绝大部分情况中,可在不影响布线精度的前提下令人满意地解决上述问题. 相似文献
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随着制造工艺的快速进步,超大规模集成电路的物理设计技术在速度和质量上面临很大挑战.提出了一个快速详细布局算法以适应这种要求.算法继承总体布局得到的单元全局最佳位置,然后采用局部优化将单元精确定位.FM最小割和局部枚举方法分别用于优化Y和X两个方向的连线长度,这两个方向的优化在同一迭代过程中交替进行.另外,采用改进的枚举策略加速算法,对于有障碍和宏模块情况下的布局也加以讨论.实例测试结果表明,FAME的运行速度比RITUAL快4倍,并使总连线长度平均减小5%. 相似文献
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H—V布线模式下产生通孔的根本原因是由于不同线网间存在几何重叠或交叉;标准单元内布线主要应用多晶硅层与单金属层的布线层资源,考虑到不同层间相异的导电特性,文章提出了一种算法,基于网段拓扑交叉分析实现最大化金属层及最小化多晶层分配,优化线网通道分配与线长,同时满足通孔最小化。 相似文献
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随着VLSI/LSI技术的发展,多层布线已能够实现。互连网络的分层问题就是要使得互连网络所需的通孔数最少。在通孔最小化问题中,如果布图拓扑逻辑已给出,这类问题被称为受限的通孔最小化(CVM)问题。本文针对三层布线中的CVM问题提出了一种分层算法,使得布图所需的通孔数最小化。应用此算法能获得比文献中所述更少的通孔数。 相似文献
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本文提出了时延驱动布图规划的思想。在用改进的广义力矢量法优化功能单元间连线时延的同时,运算非线性规划的方法进一步优化关键路径上功能单元的时延及连线时延。结果表明,这是一种有效的优化版图时延的方法。 相似文献
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VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟 总被引:3,自引:1,他引:2
用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰.模拟结果表明:互连线宽W同互连线节距P之比W/P=0.5~0.6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low-k电介质(εlow-k=0.5εSiO2)代替SiO2后,延迟及串扰的改善程度. 相似文献