金属涂敷硅锥阴极的工艺研究

本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点，研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺，比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力；采用先溅射后电镀的两步工艺制作出了较为理想的包全硅尖阵列。     

大面积金属场致发射阴极阵列制造的新方法

本文提出了以玻璃为基质，以厚感光有机膜为铸模，利用光刻法制作大面积金属场致发射阴极阵列的新方法，对该方法的工艺结果进行了计算机模拟并在现有条件下进行了初步的工艺探索，最后讨论了改进措施。     

真空微电子学中的场致发射阴极制备

近年来,随着微机械加工技术的不断发展,人们对小功率的场致发射阴极的研究日趋活跃,本文介绍了近年来国内外对场致发射阴极的制备,电学特性及应用方面的研究进展情况,并说明该技术的发展必将取得更广泛的应用.     

尖锥阴极场致发射的稳定性研究

场致发射阵列（ＦＥＡ）平板显示器的实现，标志着ＦＥＡ发展到新的阶段，对ＦＥＡ的研究析的要求。场致发射的实验研究是目前推进ＦＥＡ技术的一种重要手段。文中主要从ＦＥＡ场致发射的过程和分析发射失稳现象，并从理论上加以探讨研究。结果表明，ＦＥＡ中发射不均匀是普遍的，设计中采取均流均温措施是必要的；ＦＥＡ使用前的老化钝化是必不可少的工艺手段；场致发射常伴随着热发射，对热发射的控制和利用是场致发射研究的重要内     

待定系数法计算场致发射体阴极表面场强和发射电流密度

在计算场致发射体阴极发射电流时 ,影响发射电流的主要因素是阴极表面的电场强度。由于发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系 ,阴极表面场强很小的变化将引起发射电流的剧烈变化 ,所以提高阴极表面场强的计算精度是至关重要的。本文提出了一种计算阴极表面场强的新方法——待定系数法 ,并用该方法计算了一个二极管场致发射体的阴极表面电场强度和电流密度。     

用于场发射显示器的火山口型场发射阴极

介绍一种国内外研究的用于场发射显示器的火山口型场发射阴极,它相对于尖锥型场发射阴极来说，具有制作方法简单，制作成本更低，发射一致性更好，更适合大规模工业化生产。但不足之处是发射电流密度太小和有较大的栅极电流。文章详细介绍了火山口型场发射阴极的制作过程，分析并测试了其发射性能以及转移到玻璃基底上的制作方法。最后还介绍了火山口型场发射阴极的改进型-跑道型场发射阴极。     

提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究

在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中，目前存在的两个主要障碍是，阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为，导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子；引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性，同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性，使其电流发射密度有很大程度的提高，而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。     

低成本制备的高稳定性碳纳米管复合阴极

通过改变SiO2纳米溶胶与碳纳米管的比例,选择合适的表面活性剂解决SiO2表面湿润问题,使SiO2得以均匀包裹CNT.采用Sol-Gel工艺制备CNT/SiO2复合物阴极,使用TEM对复合物的形貌、结构进行表征,对其场发射性能与稳定性进行了研究,获得了高增强因子及低屏蔽效应的阴极.发射测试实验表明:复合物中SiO2/CNT含量为80%时,阴极具有高发射电流和较佳的场发射稳定性能.在场强为2 V/mm时,发射电流为56 mA/cm2,开启场为0.71 V/mm,发射电流波动3 h,波动<3%.该阴极发射电流高,稳定性良好,容易采用低成本的丝网工艺制备成各种不同尺寸FED阴极.     

氧化物阴极中毒的化学机理

本文从化学反应平衡观点出发，应用平衡常数的统计表达式，说明了阴极“中毒”与阴极发射物质化学反应内能的关系，解释了阴极中毒的实验曲线，进而得到测量反应内能的一个方法。     

可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备，并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上，自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管，配以简单的驱动电路，实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。     

碳纳米管场发射器件新型阴极的研究

碳纳米管场发射显示器件（CNT-FFDs）中阴极的制备和表面处理一直是其中的关键环节而备受关注,本文通过光刻技术、丝网印刷技术、表面超声等流程制作带有平整电阻层的发射阴极,并对该阴极进行场发射测试,并通过扫描电镜（SEM）照片分析阴极表面,发现开启电场、发射均匀性及电流稳定性比以前未加处理的阴极有很大程度上的改善。此法适合于大面积的碳纳米管场发射显示的阴极制作。     

电泳淀积三极管结构的碳纳米管场发射显示阴极

本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺.     

氧化物阴极的多次曝大气应用

本文从氧化物阴极的工作机理出发,分析了氧化物阴极在使用时出现的异常现象和消除办法。讨论了如何正确的使用氧化物阴极,延长其使用寿命。根据动态发射中心理论提出了在动态真空系统中工作的电子枪多次曝露大气使用的方法,使在动态真空系统应用中阴极的使用寿命大大地延长。     

氧化物阴极改型的准确处理方法

本文基于对氧化物阴极热平衡关系的分析，提出了实现氧化物阴极迅捷准确改型的方法。文中以热子改型一次成功的实例，说明改型时的计算设计和相应的工艺处理所必须遵循的原则，该原则对间热式氧化物阴极和直热式氧化物阴极的改型乃至重新设计都同样适用。     

场发射显示器阴极材料的发展

文章介绍了显示器件的发展现状,场发射显示器（FED）是显示领域内有发展潜力的一种平板显示器。有望成为数字电视时代的主流显示器件。阴极技术是FED的关键技术,文章还分析了FED的工作原理,并详细论述了FED阴极材料的应用与发展。     

孔度可控扩散式阴极研制进展

扼要地阐述了孔度可控扩散式阴极的发展与特性。着重介绍Ｗ＋２５ｗｔ％Ｒｅ合金箔孔度可控扩散式阴极工作范围宽（８５０～１１００℃），发射电流密度大（３～５０Ａ／ｃｍ２）、蒸发少，抗中毒，耐轰击，长寿命的特点。     

阴极与发射的研究

从固体材料的热发射机理开始分析,引出彩色显像管中最常用的氧化物阴极和浸渍式阴极,并对它们的结构、发射机理、激活过程以及工作做了详尽的分析和对比,并对其前景作了可观的描述.     

场发射显示器阴极结构的发展

场发射显示器（FED）集传统的阴极射线管显示（CRT）与液晶显示器（LCD）的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理．从F—N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。