光电子领域中的纳米半导体材料

近年来，纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意，由于纳米半导体材料的量子限域效应，尺寸效应等影响使得它们在光电转移，电子器件等方面有着优异的性能，必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用，详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史，研究情况以及存在的问题等。     

第3代半导体发展概述及我国的机遇、挑战与对策

正第3代半导体材料是指带隙宽度明显大于硅(Si)(1.1eV)和砷化镓(GaAs)(1.4eV)的宽禁带半导体材料。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源、下一代射频和电力电子器件的"核心",在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景,有望突破传统半导体技术的瓶颈,与第1代、第2代半导体技术互补,对节能减排、产业转型升级、催生     

宁波材料所在二维MXene材料作为功能分子器件方面取得进展

正随着半导体产业快速发展,电子器件的尺寸已跨入纳米级,使得分子器件的设计和应用成为引导新型半导体材料发展的重要方向。对相关材料与器件进行量子力学的原子级别的模拟显得越来越重要。而二维材料作为新型功能材料最近几年受到了广泛的关注。为此,科学家希望石墨烯以及相关的二维材料制造出的低功耗电子器件能够为电子产业带来生     

Ⅱ～Ⅵ族半导体量子点合成方法的研究进展

半导体量子点是固体发光材料中的一个新兴领域,对它的研究涉及多学科的交叉.该纳米材料具有独特的结构和物理、化学性能,被广泛应用于生物探针、激光器、光电子器件等领域.主要介绍并分析比较了Ⅱ～Ⅵ族半导体量子点的合成方法、研究进展及各种方法间的优缺点.     

半导体自旋电子学的研究与应用进展

简单介绍了半导体自旋电子学的研究对象和内容,主要包括磁性半导体、磁性/半导体复合结构、非磁性半导体量子阱和纳米结构中的自旋现象,以及半导体的自旋注入等.综述了半导体自旋电子学目前的研究进展及其在自旋电子器件和量子信息处理中的应用.     

政策

正《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年)》发布光电子技术是电子信息技术的重要分支,也是半导体技术、微电子技术、材料技术、光学、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。光电子器件是光电子技术的基础和核心,也是信息产业的重要组成领域,直接拉动形成了数千亿美元规模的光电子产业。"十三五"以来,随着中国制造2025、互联网+等国家战略出台和新一代信息技术迅猛发展,我国光电子器件产业也迎来了获得了重大发展     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。     

高性能量子点材料的表面修饰研究与应用进展

近年来,量子点材料以其独特的光学、物理化学特性引起科学家的广泛兴趣和研究.其中,生物与医学领域应用的高性能量子点材料的研究和开发已经成为相关领域的研究热点.介绍了提高量子点发光性能和生物应用性能的各种表面修饰技术,并在此基础上综述了量子点材料在光电子器件、生物与医学等方面的最新研究进展,最后总结了其在相关领域应用面,临的挑战和研发方向.     

拋弃粗制滥造,电子元器件也可以很“精致”

正不管是火箭、飞机、汽车,还是手机、运动手环、VR头显等产品,都需要用到电子线路板,保证电子线路板能够正常运行程序软件的重要部件,就是大小不一、形状各异的元器件。别看电子元器件体积小,其所起到的作用可不容小觑。近年来,"节能减排"、"开发绿色新能源"已经成为我国长期发展的基本国策。在我国绿色能源产业发展的有力推动下,电力电子器件、电力电子装置等已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展的重要支撑。而与电子器件相关的半导体材料、关键结构件、散热装置、生产设备、检测设备     

宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望

<正>半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表第1代、第3代半导体技术,奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础,极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展,传统的Si和Ga As半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料(即宽禁带半导体材料,禁带宽度大于2.2e V)正日益受到人们的重视。宽禁带半导体材料主要是指碳化     

半导体硅材料专利专题数据库建设——积极有效应对知识产权问题的有益尝试

一,建立硅材料专利专题数据库的重要性 1．硅材料专利专题数据库的建设可有效降低企业知识产权风险 目前,世界半导体产品中95％以上是用硅做的,硅材料的发展对于推进我国新材料领域技术创新具有重要引领作用。硅材料是半导体产业赖以生存的基础材料,半导体技术的迅猛发展是建立在占半导体材料95％的硅材料基础上的。     

第3代半导体材料企业发展状况初探

正第3代半导体材料是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)金刚石为代表的宽禁带半导体材料。相比第1、2代半导体,第3代半导体材料禁带宽度较宽(禁带宽度2.2eV),导热率更高、击穿电场更高、抗辐射能力更强、电子饱和速率更大,基于它们制作的电子器件适合应用于高温、高频、抗辐射及大功率场合。目前SiC和GaN材料的生长与应用技术已经比较成熟,AlN和金刚石材料的研究还处于刚起步的阶段。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程.以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响.以此为基础,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...     

半导体量子点/聚合物纳米复合材料研究进展

半导体量子点/聚合物纳米复合材料是在分子尺度上形成的先进光电功能材料,其综合了半导体和聚合物材料的各自优点,并呈现出独特的电学、光学和光电子学等特性.根据聚合物中掺杂纳米半导体量子点材料的种类不同,对半导体量子点/聚合物纳米复合材料的制备、分类、器件结构与特性和研究进展进行了概要评述,并展望了其发展趋势.     

半导体量子点玻璃的研究进展

介绍了半导体量子点材料禁阻类型,详细阐述了共熔法、溶胶-凝胶法、离子注入法等半导体量子点玻璃材料的制备方法,探讨了半导体量子点玻璃的尺寸效应、禁阻效应、库仑阻塞效应和非线性光学效应等特性及其未来应用前景.     

我国ZnO基材料与器件研究获重要进展

日前,由中科院长春光机所任首席单位,中科院物理所、半导体所、福建物构所、上海光机所和中国科技大学共同承担的中国科学院知识创新工程重要方向项目"ZnO基材料、器件的相关物理问题研究"在北京通过验收。该项目初步解决了制约我国ZnO光电子器件发展的瓶颈问题,对提升我国在这一研究领域的国际地位,把我国半导体材料发展成为具有国际竞争力的新兴产业具有重大意义。     

宁波材料所在制备高导热环氧复合材料方面取得进展

<正>第三代半导体材料先进电子器件的功能性、集成度和功率密度的持续提高,势必会造成器件运行产生废热的高度集中。电子封装材料是电子器件热管理的关键,目前使用的环氧树脂电子封装材料的导热性能已不能满足先进半导体材     

北京电子信息材料产业发展研究

电子信息材料是指用于半导体、集成电路、光电子器件和新型电子元器件制造的材料,主要包括微电子材料、半导体照明材料、液晶材料、激光材料、磁性材料、绿色电池材料等.这些基础材料及产品支撑着通信、计算机、信息网络技术等现代信息产业的发展.     

半导体超晶格、量子阱材料的进展

本文回顾了超晶格概念的提出及材料制备技术的进展;描述了半导体超晶格,量子阱材料的物理图象和基本特性,及其相关元器件的重要意义;综述了当前半导体超晶格,量子阱材料的研究进展及其应用,包括:(1)异质结构;(2)调制掺杂;(3)渐变带隙及带隙工程;(4)应变层超晶格;(5)新概念及新效应探索。文末概述了作者在量子阱超晶格材料的设计与性能预测方面进行的一些工作。     

量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

光电子技术发展推动着信息时代的变革,作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业--光电子产业。 量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。因为其性能优越,成为一代理想的激光器,在光通信、光存储、光显示等方面得到应用。 目前,中国光电子产业已具雏形,已有多家光通信器件制造公司形成年产亿元以上产值。而以光存储、光显示为代表的非通信光电子器件发展势头极其迅猛。其国产化带动数字音像和数字存储产业、全色显示屏、汽车灯、交通灯以至固体白光灯等产业,年产值规模可望在百亿以上