国外第3代半导体材料项目国家支持行动初探

<正>相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面     

第3代半导体材料企业发展状况初探

正第3代半导体材料是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)金刚石为代表的宽禁带半导体材料。相比第1、2代半导体,第3代半导体材料禁带宽度较宽(禁带宽度2.2eV),导热率更高、击穿电场更高、抗辐射能力更强、电子饱和速率更大,基于它们制作的电子器件适合应用于高温、高频、抗辐射及大功率场合。目前SiC和GaN材料的生长与应用技术已经比较成熟,AlN和金刚石材料的研究还处于刚起步的阶段。     

半导体敏感元件材料

随着科学技术的发展,电子技术和自动化技术正迅速地应用到各个领域中去。例如自动检测,自动控制,自动跟踪,遥测遥控等,直至人工智能装置。如果被检测或被控制的量不是电信号,那么把各种各样的物理量变成电信号来测量的元件,就是所谓敏感元件。在仪器仪表中所使用的这样的敏感元件是多种多样的。而半导体在光、电、热、磁等因素作用下会产生光电、热电、雷尔、磁阻、压电、场和隧道等效应,利用这些效应可以制做各种具有独特性能的敏感元件。由于这些半导体元件具有灵敏度高、重量轻、响应快、工作电压低等特点而受到人们重视,特别是随着对半导体材料性质的深入了解和半导体元件技术的迅速发     

新型半导体材料

在最近的将来,硅仍是生产集成电路的主要半导体材料。但是,硅集成电路已接近物理极限,其速度和集成密度很难进一步大幅度提高。此外,硅的发光特性差,不适合于光电子应用。其它一些半导体,主要是Ⅲ-V簇化合物如砷化镓(GaAs),虽然会发光,也可用来制造速度快得多的集成电路,但是它们的机械强度和散热等特性远不如硅,而且昂贵得多。工业和科学的发展,需要兼有硅和GaAs两者的优良特性的新半导体材料。在过去十年中,研究者把薄膜工艺和表     

半导体封装材料

从封装技术看,双列直插式封装(DIP)最经济、可靠性也高。但随着高集成度的半导体集成电路(IC)及高速逻辑元件的实用化的发展,由于封装性及基板面积等实装上的要求,取代DIP的新封装技术已逐渐被开发出来。封装方式有:用金属及新陶瓷的气密封装和用树脂的非气密封装。但现在的半导体IC的封装,树脂密封约达到90％,而气密封装则只局限于要求具有较高信赖性的军用、宇宙开发用IC等。     

国外含氟材料的生产及应用近况

随着应用面的不断扩大,含氟材制的生产保持着增长的趋势。意大利蒙特爱迪生公司预测1983年以后世界氟聚合物将以4％的速度增长,而其中氟弹性体的增长率为10％。据美国市场分析家Robert J.Bauman预测,在八十年代期间,美国氟聚合物的消费量将以7.3％的速度增长,而1980     

国外主要影像材料公司来华申请专利最新动态

通过柯达、富士和柯尼卡三家同行业巨头在中国申请专利的技术内容，分析他们各自的科研开发方向、中国市场战略和某些领域的技术发展趋势。     

日立在华新建半导体封装材料生产基地力争首位

据日经BP社消息。日立化成工业将在江苏苏州的苏州工业园区建设一家半导体封装材料新的生产基地“日立化成工业(苏州)”。准备投资约25亿日元(约合人民币1．9亿元)，形成6000妇的生产能力。2005年4月动工建设，计划2005年内开工投产。     

材料知识讲座 气敏半导体材料

这一讲介绍了气敏半导体材料的基本概念及其应用,重要技术指标以及工作原理和反应机理,并简单介绍了气敏半导体材料研究的新动向及存在问题。     

半导体材料发展动态

本文对80年代国内外半导体Si单晶和Ⅲ—Ⅴ族化合物GaAs单晶材料的市场,生产及科技进展进行了综述,对90年代半导体材料的发展提出了一些看法。     

Half-Heusler热电半导体材料

介绍了最近几年在热电半导体材料领域里新出现的half-Heusler化合物的结构和研 究现状,比较了各化合物掺杂及等电子合金化前后的电与热传输参数的变化,并指出了该材料 的进一步研究方向.     

日本半导体封装材料

目前半导体器件的封装多用环氧类塑封料。为了适应超超大规模集成电路的发展,这类材料尚需解决以下问题:1.提高耐湿性;2.降低应力;3.防止铝布线变形(移动);4.提高热传导率;5.降低α射线发生量;6.改进成型装置。近几年,日本的化学工作者还在探索用其他工程塑料作封装材料,具体情况如下:1.开发封装用聚苯硫醚(PPS)PPS是一种新型的工程塑料。1973年     

化合物半导体功能材料

一、前言随着工业和技术的发展,世界各国都重视材料科学的研究工作。目前对高功能性高分子材料、精细陶瓷材料、新金属材料、半导体功能材料以及各种复合材料进行积极的研究工作。下表示出日本对这几种材料的研究经费投资情况。     

半导体热电材料研究进展

本文从讨论热电材料的性能出发 ,讨论了提高半导体热电性能的主要途径 ,介绍了主要的半导体热电材料特别是近年来的进展情况 ,展望了其应用前景 ,并提出了亟待解决的问题。     

半导体材料掺杂机理

半导体材料如硅和锗,通过掺杂Ⅲ,Ⅴ族的化学元素,如用砷、磷、硼的化合物可改变半导体材料的电学性能。这种被掺杂的元素,称掺杂源,有固体、液体和气体三类,根据半导体材料及器件制造的要求,可选择不同的掺杂源。这种掺杂过程在半导体工艺中称为扩散,是改造半导体材料的电学性能和半导体器件生产过程中的一项非常重要的工艺。     

空间半导体材料进展

介绍了在太空制备半导体的材料的优点，以及美国，前苏联，日本和我国在空间制备半导体材料的简况。     

生产企业物资供应工作初探

当前我国生产企业物资供应部门主要是以确保企业生产物资供应为目的,负责物资的订货采购、保管发放、并做到管供、管用、管回收、管节约。在保证企业生产供应的前提下,辅之以多余物资的串换调剂,小库存、快用转、提高资金使用效益。     

国外半导体工业用超纯气体

一、概况在半导体工业生产中,几乎各个工序都会用到超纯气体,器件的质量与超纯气体的纯净度密切相关。半导体工业所需的超纯气体包括:H_2、O_2、N_2、Ar、He、NH_3、HC1、SiH_4、PH_3、B_2H_8、AsH_3、H_2Se、H_2Te、CF_4、CO_2等共十余种,按用途可分为保护气体、反应气体和运载气体。保护气体包括Ar、N_2、He及其混合气体等。主要用于防止器件在加工过程中受到空气的污染。另外还用于扩散和外延生长工序前后将反应装置吹净。反应气体包括H_2、O_2、N_2、Ar、CF_4及各种气体氢化物。主要作为生产半导体材料的原材料、还原气;生产半导体器件时形成P-n结、保护层和隔离层的气体。     

国外合成树脂粘合剂生产和消费的主要趋势

合成粘合剂具有可以长期保存、粘合力强的性能。随着生产过程中机械化和自动化水平的提高,对合成粘合剂的需求也不断地增长。从1960年到1976年,美国合成树脂粘合剂的产量增加了2.6倍(从324,000吨增长到