高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究

研究了Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｂｉ２／３（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３以及Ｂｉ（Ｃｄ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３改性的ＰｂＴｉＯ３陶瓷的高温高频压电性能。结果表明，对ＡＢＯ３型钙钛矿结构的ＰｂＴｉＯ３进行Ａ、Ｂ位复合取代可得到压电性能优良，适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与Ａ位取代的Ｂｉ３＋离子价态、离子半径及Ｂ位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关     

陶瓷材料的激光合成工艺研究

采用激光作热源合成了Ａｌ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，ＣｄＯ－ＷＯ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３－ＷＯ_３等系列陶瓷材料。测量这些材料的阻温特性，结果表明这些材料都是负温度系数热敏电阻材料。讨论激光合成陶瓷工艺过程中所表现出来的特殊生长形态，这些形态与激光在合成材料中形成的温场分布、材料的导热特性、材料对激光的吸收等有关。通过理论计算得出的温场分布与实验结果很好符合。论述用激光作热源合成陶瓷与传统工艺相比所具有的独特优点，指出该工艺目前尚未解决的问题及今后的研究方向。     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

大功率CO_2激光器非平衡态合成WO_3／Fe_2O_3新型陶瓷催化剂──Ⅱ．WO_3／Fe_2O_3烯烃歧化反应催化剂的催化活性

用大功率ＣＯ２激光器熔制ＷＯ３／Ｆｅ２Ｏ３新型烯烃歧化反应催化剂。考查了催化剂组成、激光功率及熔炼时间与丙烯歧化反应催化活性之间的关系。     

大功率CO_2激光合成WO_3／Fe_2O_3新型陶瓷催化剂──Ⅰ．WO_3／Fe_2O_3烯烃歧化反应催化剂的合成及性质

用大功率ＣＯ_２激光合成出ＷＯ_３／Ｆｅ_２Ｏ_３新型烯烃歧化反应陶瓷催化剂分析。表明，该陶瓷催化剂的组成相为Ｆｅ３Ｏ４，ＦｅＷＯ４及ＷＯ３。它是一种多孔的，晶粒大小为μｍ级的陶瓷品，Ｆｅ３Ｏ４相中含有杂质钨，其氧化态低于＋６价，为该类催化剂具有烯烃歧化反应催化作用的主要活性中心。     

中温烧结BaTiO3基瓷的非均匀结构对εr－T特性的影响

含低熔物Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２及ＰｂＯ－Ｂ２Ｏ３的ＢａＴｉＯ３基中温烧结瓷料，通过改性物Ｌａ、Ｎｂ等在固－液相烧结过程中溶－析和缺位补偿固溶，主晶相ＢａＴｉＯ３晶粒形成核－壳结构，并存在玻璃相。这种非均匀结构对铁电相的制约作用，引起瓷料的εｒ－Ｔ特性的改变     

BaCO_3和TiO_2的物化特性对PTC热敏电阻器性能的影响

探讨了ＢａＣＯ３与ＴｉＯ２的物化特性，诸如纯度、杂质含量、晶型、热特性、颗粒形状、粒度分布及平均粒径等对ＰＴＣ热敏电阻器性能的影响。并据此提出了ＢａＣＯ３与ＴｉＯ２的技术标准。     

Y_2O_3－Ir阴极的微观分析

本文介绍了Ｙ_２Ｏ_３－Ｉｒ阴极的涂层（Ｙ_２Ｏ３）、基金属（Ｉｒ）及其界面的形貌及成分，讨论了观察结果，并对Ｙ_２Ｏ_３－Ｉｒ阴极的某些特性进行了探讨。     

纳米粉添加剂对Al2O3陶瓷烧结性能及微结构的影响

用纳米ＺｒＯ３作为烧结助剂加入Ａｌ２Ｏ３陶瓷中,研究其对Ａｌ２Ｏ３陶瓷烧结性能及显微结构的影响。结果表明,纳米ＺｒＯ２的加入可以提高Ａｌ２Ｏ３陶瓷的烧结活性,降低烧结温度,当纳米ＺｒＯ２的加入量达到９ｖｏｌ％时,Ａｌ２Ｏ３陶瓷在１６００℃以下就可烧结致密,此外,纳米ＺｒＯ２的加入,对Ａｌ２Ｏ３陶瓷的显微结构也产生影响。在纳米ＺｒＯ２加入量较少时,ＺｒＯ２粒子以“晶内型”和晶界型两种形式存在;而当ＺｒＯ２加入量达到９ｖｏｌ％时,其主要位于四个Ａｌ２Ｏ３晶粒相交的晶界上,阻碍了Ａｌ２Ｏ３晶粒的异常长大,从而获得细晶结构的Ａｌ２Ｏ３陶瓷材料。     

ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征

本文利用化学共沉淀法分别制得Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２以及Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６掺杂Ｓｂ（ＯＨ）３、Ｂｉ（ＯＨ）３、Ｓｎ（ＯＨ）４、Ｃｏ（ＯＨ）３、ＭｎＯ（ＯＨ）２两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ＺｎＯ及相应的添加剂陶瓷复合粉体．ＴＥＭ分析结果表明：两种陶瓷复合粉体的粒径均小于１００ｎｍ．利用前者,通过添加适当的Ａｌ２Ｏ３和ＭｇＯ,制备出了电阻率约１０～２０００Ω·ｃｍ,Ｖ－Ｉ特性较好的ＺｎＯ线性陶瓷电阻．利用后者,通过适当的杂质配比,在１００     

激光合成新型线性NTC热敏电阻材料

本文采用CO2激光器作热源合成了Al2O3-WO3系热敏电阻材料,该材料具有负的温度系数,在一定温区内阻温特性呈线性变化。并对材料的导电机理进行了初步探讨。     

海底沉积物地温梯度测量系统设计

随着石油和天然气水合物调查工作的深入开展,为了对海底勘探区地温场的结构、状态需要有更细致的了解,设计一种高分辨、高精度的海底沉积物地温梯度测量系统.以高精度NTC型热敏电阻为传感器,选用16位高性能、多通道、低能耗的MSP430F123芯片作为主处理器,通过直流不平衡电桥的测量方式间接测量热敏电阻的阻值,在硬件方面和软件方面都采用滤波技术,克服电压源的干扰、仪器温漂和时漂带来的偏差,采用STEINHART＆ HART方程来进行R-T转换,经过零点漂移和温度漂移的修正,进而得到更精确的海底沉积物地温梯度曲线.系统测试结果表明,测量系统的分辨率可达1 mK,精度可达±3 mK（0～25℃）,该系统具有可靠性高、功耗小、体积小、操作方便等特点,具有很高的实用价值.     

一种新型NTC厚膜电阻的制备及电性能研究

以新型BaCoⅡ 0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3材料为基体,以CuO为烧结助剂,在790、800、810℃烧结4h制备了NTC厚膜电阻。借助XRD、SEM和阻温特性测试仪,研究了CuO含量对电阻相组成、微观结构及电性能的影响。结果表明:烧结温度为800℃的NTC厚膜电阻主要物相为具有复合立方钙钛矿结构的BaCoⅡ0.05CoⅢ0.1Bi0.85O3,并有少量Bi2O3剩余;该组电阻表面颗粒均匀细小,致密性随CuO含量的增加而趋于增加。对烧结温度为790℃的电阻来说,其室温电阻R25和B25/85随CuO含量的增加而逐渐降低;该电阻的R25、B25/85及活化能Ea分别为0.98~13.40kΩ、931~1855K和0.08~0.16eV。     

薄膜封装型NTC热敏电阻器的研制

为适应电子整机产品狭窄空间安装的需要,NTC热敏电阻器(NTCR)要进行超薄设计。采用固相反应法制粉,压锭烧结制作NTCR芯片,焊接引线和薄膜封装等工艺方法实现产品的薄形化封装,研制出了一种阻值R25为10k?,材料常数B为3435K,产品最大厚度仅0.5mm的新型薄膜封装型NTC热敏电阻器,为家电产品和生产设备的轻薄化推出了一种新型NTC热敏电阻器。     

径向玻璃封装型NTC热敏电阻器的研制

为制造径向玻璃封装型NTC热敏电阻器(NTCR),采用sol-gel法制备NTCR纳米粉,流延法制作NTCR芯片,合金焊接径向引线和玻璃封装等方法实现了产品的封装,制备出了一种阻值R25为100k?,材料常数B为4200K的径向玻璃封装型NTC热敏电阻器,为径向玻璃封装型NTCR的生产提供了一整套解决方案。     

Mn掺杂对BaSnO3陶瓷的NTC特性的影响

以BaCO3和SnO2为主要原料,以Mn为受主掺杂,再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质,用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30~190℃的测试温区内,x(Mn)为1.0%~1.8%的掺杂BaSnO3陶瓷材料,其电阻–温度特性呈现良好的线性关系;B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大,B值的变化范围为5200~6100K;30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×106~1.11×107·cm。     

SrxPb1—xTiO3基陶瓷材料热敏特性研究

以Sr     

SrFe_xSn_(1-x)O_(3-δ)陶瓷材料的微观结构和NTC特性

采用传统固相反应法,制备了一种新型NTC热敏陶瓷SrFexSn1-xO3-δ(0.2≤x≤0.5)。研究了该陶瓷体系样品的相组成、微观结构以及电性能。结果表明:所有样品均为纯钙钛矿相,并且呈现典型的NTC特性;随着Fe含量的升高,SrFexSn1-xO3-δ陶瓷样品的室温电阻率急剧降低,其B25/85和激活能则呈现温和降低的趋势。当0.2≤x≤0.5时,陶瓷样品的室温电阻率,B25/85以及激活能分别处于(518.00～3.56)×103Ω·cm、4912～3793K和0.424～0.327eV。     

MnNiCuFe系材料的聚合络合法制备及微波烧结

为了得到低B值(2100K)、高精度互换、均匀性好的NTC热敏电阻器,采用聚合络合法制备了Mn0.43Ni0.90CuFe0.67O4 NTC热敏材料的前驱体,在500℃进行热分解后获得氧化物,经不同温度微波煅烧,确定最佳温度后成型,分别进行微波烧结与常规烧结。采用TGA-DTA、FT-IR、XRD、粒度分析及SEM等手段,对材料进行表征。结果表明:微波煅烧最佳温度为650℃,陶瓷体由缺铜相和富铜相两相组成;微波烧结大大提高了元件的均匀性,成品率由常规烧结的30%提高至85%。     

一种高精度低压差线性稳压芯片的实现

文中介绍了一种提高低压差线性稳压芯片输出电压精度的技术,该芯片使用了能隙基准的温度补偿技术,克服了能隙参考电压在通常使用的温度范围(10℃～100℃)内的温度漂移,从而使稳压芯片输出电压的温度系数从普通的约100×10~(-6)℃降至20.2×10~(-6)℃。