脉冲氙灯瞬态放电特性实时检测

随着惯性约束核聚变（ICF）的发展,对激光驱动器提出了很高的要求。本文研究了脉冲氙灯瞬态在线检测系统对脉冲氙灯放电电压、电流和发光强度进行实时监测的方法和系统的结构,结合氙灯的瞬态放电特征,利用光电隔离、光纤传输、高速A／D采样等技术,获取氙灯瞬态放电 数据。有效的实现了弱电系统对强电系统的远程测控,为大型激光驱动器能源系统的自动测控打下良好的基础。     

双向混合信号光纤传输系统的设计与实现

介绍了一种新的多路信号光纤数字化传输方法,基于FPGA设计了混合信号光纤传输系统,并通过实验验证了系统的准确性.该系统不仅能传输模拟信号还能传输数字信号,不仅能传输低速数字信号还能传输高速脉冲信号,此外还能实现双向CAN通信.     

10 Gb/s光纤传输系统的性能模拟

提出了高速光纤传输系统的数字模拟方法、各功能模块的模型和实现模块化的系统性能分析平台 ,能够观察各部分输出波形和频谱 ,并给出系统的误码率、接收灵敏度以及眼图等。这一成果可用于光纤通信系统的优化设计和性能评估 ,也可用于光纤传输的理论研究。     

高速光纤传输系统中三阶色散效应影响研究

利用OptiSystem软件,对高速光纤传输系统中三阶色散(TOD)导致的脉冲失真进行了仿真研究。分析了光脉冲信号通过光纤传输系统传输2000 km,不同的速率、占空比、脉冲形状和光纤类型对三阶色散的影响,同时比较了高斯脉冲和超高斯脉冲经过2000 km传输后的品质因数,发现高斯脉冲的品质因数优于超高斯脉冲的品质因数。通过仿真分析得出:当同时考虑群速度色散(GVD)和三阶色散的时候,标准单模光纤(SSMF)和啁啾光纤布拉格光栅(CFBG)组成的高速光纤传输系统性能表现较好。     

超短DM光孤子系统中自频移影响及其抑制方法

针对色散管理孤子系统中孤子幅度、脉宽等参数的动态周期变化特性,采用时域和导频滤波复合控制方法,建立了光脉冲的传输方程,研究了短皮秒DM光孤子系统中控制孤子自频移（SSFS）影响的可行性和有效性,采用变分法分析了高速DM啁啾高斯准孤子在喇曼自频移条件下传输演化特性,采用沿线上导频滤波控制方法,将自频移控制在设计范围内,稳定了孤子中心频率。对40Gbit／s长距离高速DM孤子传输系统的传输特性进行了数值模拟,所得结果与理论分析完全一致。     

10Gb／s光纤传输系统的性能模拟

提出了高速光纤传输系统的数字模拟方法、各功能模块的模型和实现模块化的系统性能分析平台,能够观察各部分输出波形和频谱,并给出系统的误码率、接收灵敏度以及眼图等。这一成果可用于光纤通信系统的优化设计和性能评估,也可用于光纤传输的理论研究。     

降压PWM DC/DC开关稳压系统仿真分析

集成CMOS脉冲宽度调制开关电源系统因为高效率、高集成度等优点在通信、计算机系统方面被广泛应用.文中通过分析建立一个PWM DC/DC稳压系统的闭环响应传输函数,研究如何在瞬态响应速度和稳定性方面进行取舍;在此基础上用Matlab建立小信号模型仿真,并通过Hspice 实现仿真验证.     

用于HDTV电视传输的PFWM光纤传输系统

一种用于HBTV电视分量信号光纤传输的新的脉冲模拟技术一脉冲频率宽度调制(PFWM)技术已开发。采用这种技术,HDTV电视的三个分量信号可以复合组合成一列脉冲信号。该脉冲信号的频率随亮度信号的幅度成正比变化,而脉冲宽度随两个色度信号的幅度成正比变化。这样就可以实现体积小、价格低的HDTV电视传输系统。本文介绍了PFWM光纤传输系统的基本工作原理及其实验结果。实验结果表明,采用单模光纤,该系统传输的HDTV电视分量信号和二路脉冲编码调制(PCM)音频信号超过了20公里。在该系统中,采用了一个1.3μm激光二极管(LD)和一个锗雪崩光电二极管(Ge-APD)分别用作电-光转换和光-电转换。     

PMD光域动态反馈补偿方案

制造过程和外界环境的影响可导致光纤内两个正交偏振模的传播常数不同，由此引起的脉冲展宽就称为偏振模色散（PMD，Polarization Mode Dispersion）。与光纤非线性和色散一样，PMD能损害系统的传输性能，限制系统的传输速率和距离，特别是对于10Gb/s以上的高速光纤通信系统。PMD被认为是限制其传输容量和距离的关键因素，正是由于     

一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。     

卫星激光测高仪在轨检校脉冲探测器的设计、测试及应用

针对我国高精度立体测绘卫星系统中激光测高仪的在轨场地检校的技术需求, 研制了激光脉冲探测器系统。 系统采用高速 PIN 探测单元及高速数据采集电路实现了 ns 级脉宽激光脉冲的定量化采集, 通过集成无线射频模块实 现脉冲探测器的数据远程传输。为保证脉冲探测器的野外应用性能, 系统进行了能量密度测试、能量响应一致性与 稳定性测试、探测器测量视场角测试等。试验结果表明脉冲探测器可以实现 1∼120 nJ·cm−2 的能量范围采集, 能量响 应的一致性优于 5%, 稳定性优于 1.5%, 并且可以实现 ±12◦ 角度范围内的激光脉冲的有效采集。最终探测器成功应用 到我国“高分七号”卫星激光测高仪的在轨检校中, 获得了探测器阵列的有效激光触发数据, 为激光测高仪的在轨检校 试验提供了有效的数据支撑。     

行波折反射法在信号完整性的研究中的应用

近年来随着高速数字电子系统运行速度的不断增加,研究有损传输线的暂态过程已成为高速电路信号完整性分析的重要内容。行波折反射理论已被成功用于分析理想无损均匀传输线,如何运用该方法分析有损传输线有待进一步研究。本文将衰减因子引入行波折反射理论,分析有损均匀传输线暂态过程,计算结果准确,因此该方法是有效的。     

Transient current propagation along a wire penetrating a circularaperture in an infinite planar conducting screen

The shielding properties of a wire penetrating an infinite planar screen are considered. Time domain results are presented for the case of a transient current pulse propagating along the wire. These results are obtained by first computing numerical solutions for the problem in the frequency domain and then utilizing the inverse Fourier transform. Two double exponential pulses with differing characteristics are considered. Numerical results for the two pulses are compared to determine the effects of the pulse characteristics on the shielding properties of the geometry. Applications to via structures in high-speed circuits are also briefly discussed. It is observed that even for very small apertures, the effect of the screen on the low-frequency pulse is negligible. As the pulse width decreases, the effect of the screen becomes more prominent. For the high-frequency case, the pulse is significantly affected by the screen. Unlike the low-frequency pulse, the amplitude of the high-frequency pulse is dependent on the aperture size. Even for large apertures, the attenuation becomes significant as the current propagates down the wire. It is shown that as the width of the input pulse decreases, the distortion in the pulse shape becomes more pronounced. This effect is especially important in applications related to high-speed integrated circuits     

基于SOPC的脉冲发生器

为了给分布式拉曼测温系统中的激光器提供激励源,设计一个稳定性好、纳秒级脉宽、周期可控、占空比可调的高速脉冲发生器。以Ahera公司的CycloneⅡ系列的EP2C5Q208C8为核心的核心板和一些外围器件组成硬件电路。高速脉冲发生器是在QuaflusⅡ软件平台下,使用VHDL在FPGA上用硬件逻辑电路设计。脉冲发生器控制系统是利用QuartusⅡ开发软件扣其中集成的SoPC Builder系统开发工具进行设计。实验结果表明,该脉冲发生器稳定输出脉宽为10～500ns．周期为1μs～1ms,占空比可调的窄脉冲,满足分布式拉曼测温系统的要求。     

高速数字集成传输线终端非线性的暂态分析＊

本文给出了特征线法和波形松弛迭代法相结合计算有耗耦合传输线的时域算法.分析研究了具有非线性终端的传输线的暂态响应。理论分析和模拟结果表明:这种方法分析简单,节省了机时和内存,是一种有效的方法。     

RocketIO高速串行传输原理与实现

介绍了性能优越的RocketIO高速串行传输技术原理和实现，通过实际系统验证了这种传输的可靠性。     

微波大功率变脉冲放大器的研制

针对基于悬浮平台微波凝视关联成像系统对变脉冲宽度和大峰值功率的需求,研制了一款 X 波段变脉冲固态功率放大器。描述该放大器组件中高速漏极调制及保护电路和射频开关的实现方案,分析大功率高速漏极调制电路输出电压脉冲的影响因素,优化调制电路的负载设计,并解决功放输出射频脉冲的包络凹陷问题。经试验验证:研制的功率放大器具有散热性好,稳定工作时间长,最窄脉宽 20 ns,上升下降沿均小于 3 ns,峰值功率大于 40 W 的射频脉冲输出等特点;其漏极调制电路输出 24 V电压脉冲,上升沿小于 20 ns,下降沿约 60 ns。     

时域数字脉冲压缩及其实现

分析了时域脉冲压缩原理及数字式脉冲压缩方法,介绍了一种由专用型FIR芯片构成的数字式脉冲压缩器,并给出了试验结果。     

Simulation des régimes transitoires sur des sections de lignes microruban par une technique de filtrage numérique

This paper deals with a method for analysis of pulse transmission and reflection on microstrips sections that can be used as interconnection lines in or between high-speed digital integral circuits. It is shown that z-transform, which defines an intermediate domain between time and frequency, leads to a very general simulation method of the transient properties of the line sections. The line characteristics can be frequency dependent because of the propagation losses. The validity of the model is established from direct measurements on microstrip sections etched on alumina and GaAs substrates.     

Low-voltage transient bipolar effect induced by dynamicfloating-body charging in scaled PD/SOI MOSFETs

An increased significance of the parasitic bipolar transistor (BJT) in scaled floating-body partially depleted SOI MOSFETs under transient conditions is described. The transient parasitic BJT effect is analyzed using both simulations and high-speed pulse measurements of pass transistors in a sub-0.25 μm SOI technology. The transient BJT current can be significant even at low drain-source voltages, well below the device breakdown voltage, and does not scale with technology. Our analysis shows that it can be problematic in digital circuit operation, possibly causing write disturbs in SRAMs and decreased retention times for DRAMs. Proper device/circuit design, suggested by our analysis, can however control the problems