激光溅射淀积Y-Ba-Cu-O超导薄膜

利用准分子激光束辐照Y-Ba-Cu-O超导靶体,使之元素溅射出来,喷到平行于靶面的基片之上而淀积成膜,然后通过适当的退火过程,所制薄膜在液氮温区具有超导性。制取了零电阻温度85K的高温超导薄膜;讨论了淀积条件与退火过程对薄膜超导性能的影响。     

反应脉冲激光淀积硫化铅膜的SEM和XPS研究

以扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等多种测试手段研究分析了用反应脉冲激光淀积技术制备的ＰｂＳ薄膜。分析结果表明，利用该淀积方法可以得到附着力好，符合化学计量比的硫化铅薄膜。     

准分子激光化学反应淀积硫化物薄膜

提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和组成，指出了该方法淀积硫化物薄膜的可行性。     

激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜

本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置，以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。     

脉冲激光溅射沉积YBCO超导薄膜

从激光与材料相互作用理论出发,分析了激光烧蚀材料等离子体羽辉的空间运动特征和成分分布;以YBCO/SrTiO_3为对象,从实验上系统研究了脉冲激光溅射沉积薄膜过程中薄膜质量与基片温度、基片-靶材距离、气体压强、激光脉冲能量以及重复频率等参数的关系;总结出在SrTiO_3(100)单晶基片上溅射沉积YBCO高温超导薄膜的最佳实验参数。     

脉冲激光淀积MgF2薄膜的制备及性质研究

本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜，并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析，X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比，F／Mg原子比在1．9～2．1之间，接近于体材料；在可见光波段其光学透过率为60％～80％，在红外波段更是达到了90％以上，由KK变换计算MgF2的折射率大约为1．39，也接近于体材料的折射率1.38。     

准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜

利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。     

用激光淀积掺染料薄膜

在今年4月举行的美国化学学会会议上报导，快速薄膜淀积法为制作非线性光学材料和目前难于产生的其它光学材料展示了希望。纽约州立大学J．Garvey等用激光辅助分子束淀积（LAMBD）制作了一种在氧化钛或氧化硅玻璃基质中含有有机分子的薄膜。虽然掺染料玻璃可用其它方法（如用溶凝胶法）制作，但可能会出现四坑和其它缺陷，染料分子起团或在高温处理期间分解。激光辅助分子束淀积工艺与分子束外延相似（见图）。由准分子激光器产生的248nm波长光脉冲在正常气压区使钛或硅之类靶烧熔，产生20000K的等离子体。反应性氧和等离子体相结合，高…     

反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究

就反应式脉冲激光溅射淀积制备氮化铝薄膜的过程，讨论了激光脉冲能量密度及脉冲频率对所有制备薄膜结构性能的影响，并对薄膜的化学稳定性作了比较详细的研究，结果表明，当薄膜中存在有未反应的单质铝时，薄膜的化学稳定性较差。比较而言具有高取向性，择优生长的致密ＡＩＮ微晶膜的化学稳定性优于结构相对疏松的非晶膜。     

不锈钢基底高电流密度YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积（００２）取向的ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｚｉｒｃｏ－ｎｉａ）过渡层薄膜于不锈钢基底上;基底加温至７５０℃,用准分子脉冲激光沉积高电流密度ＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ ｘ） 高温超导线材。实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材临界温度Ｔｃ ≥９０ Ｋ （Ｒ＝０）,临界电流密度Ｊｃ ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）。     

脉冲激光沉积法制备无机发光薄膜的研究现状

阐述了脉冲激光沉积法的基本原理、特点及其应用。分别介绍了超快脉冲激光沉积法、双光束脉冲激光沉积法、脉冲激光气相沉积法、脉冲激光液相沉积法、脉冲激光诱导晶化法、直流放电辅助脉冲激光沉积法、脉冲激光分子束外延法的原理及最新研究成果。展望了脉冲激光沉积法制备无机发光薄膜的发展趋势。     

高导电性BaRuO_3薄膜及其脉冲激光沉积

钌酸盐是典型的ＡＢＯ３型过渡金属氧化物，具有金属导电性，其薄膜可作为电极材料用于集成铁电等器件中。分析了ＢａＲｕＯ３的钙钛矿晶体结构和导电机制，并利用ＡｒＦ准分子脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术，结合后续退火处理，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出具有（１１０）取向、室温电阻率约１０－２～１０－３Ω·ｃｍ的ＢａＲｕＯ３高导电性薄膜，俄歇能谱（ＡＥＳ）和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射谱（ＲＢＳ）分析表明：薄膜ＢａＲｕＯ３的纯度高、成分均匀性好，ＢａＲｕＯ３／Ｓｉ界面存在扩散过渡层。     

脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜

采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.     

SBT铁电薄膜及其脉冲准分子激光制备

采用脉冲准分子激光沉积法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地制备了ＳＢＴ铁电薄膜，发现存在一个最佳沉积衬底温度约为４５０℃。在该温度下沉积的ＳＢＴ薄膜具有较饱和的方形电滞回线，其剩余极化Ｐｒ和矫顽电场Ｅｃ分别为８．４μＣ／ｃｍ２和５７ｋＶ／ｃｍ。     

氮化硼薄膜的脉冲激光沉积

用Ｑ开关ＹＡＧ激光器的１．０６μｍ的脉冲激光在硅及玻璃衬底上沉积了氮化硼薄膜。做了ＳＥＭ，ＸＲＤ，红外透射谱和紫外一可见透射谱等测试。确认为六方氮化硼（ｈ－ＢＮ）薄膜．并测出其禁带宽度、晶格常数等。     

SnO2薄膜的脉冲激光沉积

采用脉冲激光沉积技术制备了ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射结构分析表明薄膜为非晶态。在６００℃温度下退火后，由非晶薄膜转变为多晶薄膜。研究了多晶ＳｎＯ２薄膜的光电特性。在４００ｎｍ至７００ｎｍ的可见光范围内，其透过率保持在７０％到９０％。电阻率为１．９×１０－１Ωｃｍ。     

脉冲激光制备ZnO压敏电阻薄膜

利用脉冲激光沉积技术，在光学玻璃基片上制备了性能良好的ＺｎＯ压敏多晶薄膜，其非线性系数ａ≥６，压敏转折电压约３．５Ｖ。     

脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜及衬底温度对膜的影响

采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、形貌以及结构随沉积时衬底温度的变化进行了研究。由脉冲激光制备薄膜的机制出发 ,从PbO ,ZrO2 和TiO2 熔融体的化学反应及应力造成能量释放引起的相变两方面分析了铅基铁电薄膜制备时衬底温度的影响。