稳定性极高的石英品振

石英晶振（英文名称Crystal）简称晶振,严格来讲．它应该是石英晶体谐振器和石英晶体时钟振荡器的统称,不过由于在消费类电子产品中石英晶体谐振器的应用更多,所以一般的概念中已经把晶振等同于谐振器理解了。石英晶振是一种利用石英晶片的压电特性制作而成的电谐振元件,在电路中常用于稳定频率和选择频率。石英晶振的突出优点在于,用它所构成的振荡器的频率十分准确且稳定,是目前其他类型的振荡器所不能替代的。     

硅振荡器的抗高过载实验设计与分析

硅振荡器是一种在高过载条件下有可能代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟的振荡器。对硅振荡器开展高过载实验研究,具有重要的应用价值。论文以LTC6909I型硅振荡器为实验对象,对高过载环境下可能产生的频率漂移及是否损坏这两个主要方面进行了实验研究。实验证明了硅振荡器能经受高过载环境的考验,可以代替石英晶体振荡器为应用系统提供稳定时钟。     

如何用硅振荡器替代晶体和陶瓷谐振器

对于绝大多数微控制器时钟电路而言，硅振荡器是一种简单且有效的解决方案。与晶体和陶瓷谐振器不同，基于硅材料的定时器具有抗振动、抗撞击和抗电磁干扰的优点。同时，硅振荡器不需要严格匹配的定时元件和线路板走线。     

用C8051FXXX系列芯片实现实时时钟功能

当系统时钟使用高频内置振荡器时,辅助振荡器可用来驱动石英作实时时钟（RTC）。系统时钟信号可取自内置和辅助振荡器,改变RTC信号源时不会降低其精度,RTC使用定时器2,它是为给辅助输入信号下降沿计数而设置的。CPO用来把石英振荡波形转换成方波。     

SiTime针对电子书和平板电脑推出MEMS振荡器SiT8003

全硅MEMS时钟解决方案供应商SiTime公司近日宣布针对平板电脑以及电子书产品设计所需的所有时钟振荡器,推出完整的解决方案。基于SiTime公司低功耗全硅MEMS振荡器平台,该完整方案可满足平板电脑及电子书设计中不同功能电路区块的所有频率需求。     

硅MEMS振荡器有望替代石英晶体

石英具有非凡的机械和压电特性,长期以来一直作为基本的时钟器件,在精确频率源器件中占据主导地位。然而,石英振荡器也有许多缺点,包括不能集成到硅圆晶上,缩小尺寸相应提高了成本,非工业标准     

SiTime推动全球时钟市场硅进程

时钟是电子设备中不可缺少的元件,虽然目前这一市场还是以石英器件(晶振)为主,但全球MEMS时钟市场正以每年100%的速度增长,作为一家全硅MEMS时钟方案供应商,SiTime正在驱动50亿美元时钟市场的全面硅化工程。目前该公司产品占全球硅时钟市场     

一种低功耗的混合谐振时钟分布机制

提出了一种低功耗的混合谐振时钟分布机制,通过改进的旋转行波振荡器产生和分布方波形全局时钟信号,采用基于片上变压器的谐振电路产生局部谐振时钟信号.在SMIC 0.13μm CMOS工艺下,对目标频率为1 91GHz的混合时钟网络进行了设计和仿真,能够显著降低时钟系统功耗.     

一种基于注入锁定环形振荡器的时钟产生电路

提出了一种基于谐波注入锁定数控环形振荡器的时钟产生电路。采用注入锁定技术,极大地抑制了环形振荡器的相位噪声。在频率调谐环路关断的情况下,数控式振荡器可以正常工作,与需要一直工作的锁相环相比,大大节省了功耗。分析了电路的参考杂散性能。在65 nm CMOS工艺下进行流片测试,芯片的面积约为0.2 mm²。测试结果表明,设计的时钟产生电路工作在600 MHz时,1 MHz频偏处的相位噪声为-132 dBc/Hz,在1 V的电源电压下仅消耗了5 mA的电流。     

一种频率可调CMOS环形振荡器的分析与设计

给出了一个采用0．6um CMOS工艺设计的改进结构环形振荡器,电路由RC充放电回路、施密特单元以及反相延时单元组成,结构简单,工作频率受集成电路工艺参数影响小。该电路带有使能控制端,并且通过调节少量的外部元件可以改变电路的振荡频率,适用作各类中／低频数字集成电路中的时钟产生电路。分析了改进结构环形振荡器的工作原理,给出了Hspice软件环境下电路仿真方法。电路流片封装后的实际测试结果表明,用该结构的环形振荡器作为时钟产生电路,工作稳定,满足了系统工作要求。     

用于以太网物理层时钟同步PLL的VCO设计

研究了一种基于以太网物理层时钟同步的高带宽低噪声压控振荡器（VCO）,该VCO采用交叉耦合的电流饥饿型环形振荡器,通过级联11级环路电路和改善其控制电压变换电路,优化了VCO的输出频率范围以及降低了输出时钟的相位噪声,完全满足以太网物理层芯片时钟电路的性能指标。基于TSMC3．3V0．25μmCMOS工艺的仿真结果表明,中心频率为250MHz时,压控增益为300MHz／V,其线性区覆盖范围是60～480MHz,在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-108dBc。     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的、作为内部时钟源的环形振荡器；RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。     

一种基于电容充放电的低功耗时钟发生器

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于电容充放电的新型低功耗时钟发生器。为了减小温度变化引起的频率波动,设计了负温度系数偏置电路。采用了传统的占空比调节电路,可调节振荡波形的占空比。仿真结果显示,在3.3 V电源电压下,该振荡器可以稳定输出7.16 MHz频率的信号,相位噪声为-104.4 dBc/Hz,系统功耗为1.411 mW,其中环形振荡器功耗为0.811 mW。在-40℃～110℃温度变化范围内,振荡器的频率变化为7.116～7.191 MHz,容差在1.05%以内。同其他时钟发生器相比,该电路具有结构简单、功耗低,以及在宽温度范围内具有较高的频率稳定性等显著特点,能够满足芯片的工作要求,为芯片提供稳定时钟。     

MEMS振荡器引发时钟市场革命,SiTime吹响进军智能手机领域号角

与传统的石英时钟元件相比,硅MEMS振荡器具有更小的尺寸、更高的可靠性和更低的功耗,特别适合诸如智能手机、平板电脑以及可穿戴式移动设备等对体积和功耗敏感的应用。几乎所有的电子产品系统都需要时钟,并且系统越复杂需要的时钟器件就越多。一直以来以石英晶体为基础的振荡器、谐振器等是电子系统主要的时钟参考元件,受到电子产品体积越来越小、系统越来越复杂等趋势的影响,时钟元件也必须往小巧、低功耗、高集成度的     

基于DS1075的8051高速单片机串行通信的时钟新配置

DS1075是Dallas Semicondactor公司生产的高效振荡器（Econ Oscillator)，它内含振荡器及分频链，可为8051单片机系列提供最适合的时钟频率和很高的时钟精度。文中介绍了DS1075的基本特点，给出了利用DS1075K编程／评估板对DS1075进行编程的连接图以及DS1075与8051单片机的时钟配置连接电路。     

纤巧型低频时钟芯片支持从1ms至9．5小时的长持续时间定时

凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出简单和准确的低频时钟芯片UI、C6991,该芯片专门为长持续时间定时应用而设计。LTC6991是TimerBloxTM通用型硅定时器件系列的最新成员,它整合了准确的可编程振荡器与精准的电路和逻辑器件。一个极宽的可编程频率范围允许时钟以一个1ms至9．5小时的周期运作。     

一种高精度时钟产生电路的设计

通过数字逻辑校准电路模块和电流镜阵列对环形振荡器的输入电流及充放电电流进行调整与控制，设计了一种频率为 2MHz 的高精度时钟产生电路，其具有时钟输出稳定性高、校准速度快，且电路结构简单的特点。采用 SMIC 0.18μm 工艺，在不同的工艺角及温度下对本电路进行了仿真，结果表明在以上各种仿真情况下时钟频率误差最大在±1%以内，且从开始校准到校准完成，最大所需时间不超过 400μs。     

一种用于622 Mb/s光纤通讯的时钟恢复电路

提出了一种用于622Mb／s光纤通讯系统的时钟恢复电路。该电路采用改善的正交相关器结构，以改善传统的锁相环捕获范围窄、因环境噪声干扰而失锁的问题。同时，很好地解决了数据恢复电路中时钟和数据的校准问题。压控振荡器(VCO)采用全差分和延时插入技术，以抑制电源和衬底噪声，提高振荡频率范围。该电路采用2μm双板型工艺，在3．3V电压下工作，用Cadence软件进行模拟，捕获时间小于16μs，输出时钟抖动小于0．005UI。     

一种具有温度补偿的时钟振荡器设计

介绍了一种采用0.35μm CMOS工艺制作的具有温度补偿的时钟振荡器电路。从环形振荡器的基本原理出发,基于对CMOS工艺各种非理想性因素的分析,提出一种新型的工艺补偿电路,减小振荡器偏置电流随阈值电压的漂移;在延迟单元的设计中,引入NMOS交叉耦合对组成的交流负阻抗来进一步补偿PMOS迁移率随温度的变化,从而有效抑制输出频率随温度的变化。该振荡器电路用于MEMS加速度计读出电路芯片。样品电路测试结果表明,在-20~100℃温度范围内,时钟振荡器的频率仅变化38kHz。     

一种实用的电压控制环形振荡器

本文介绍了两种在集成电路中得到广泛应用的，作为内部时钟源的环形振荡器，RC环形振荡器和电压控制环形振荡器，并对引起振荡频率变化的关键因素进行了分析。