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相似文献
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1.
镁合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性   总被引:42,自引:7,他引:42  
通过NaCl中性盐雾腐蚀试验定性地分析镁合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性,初步研究了陶瓷层表面微观结构对其耐蚀性的影响。结果表明:镁合金微弧氧化陶瓷层的微观组织结构的结合方式和生长方式直接影响其耐蚀性,微弧氧化试样的耐蚀性与陶瓷的厚度有关,陶瓷层厚度的增加并不一定能使其耐蚀性提高。  相似文献   

2.
镁合金微弧氧化陶瓷层耐蚀性的研究   总被引:33,自引:4,他引:33  
利用盐雾腐蚀试验和SEM等分析手段,研究了镁合金微弧氧化陶瓷层的腐蚀过程及4各电解液体系对陶瓷层耐蚀性的影响,分析了镁合金微弧氧化陶瓷层与铬化处理膜层耐蚀性的差异和封孔处理的作用机理,结果表明,在复合系电解液中处理的镁合金样品耐蚀性最好,所有微弧氧化处理的样品其耐蚀性均远优于铬化处理样品,用石蜡孔可明显提高样品的耐蚀性。  相似文献   

3.
镁合金微弧氧化陶瓷层的生长过程及其耐蚀性   总被引:13,自引:2,他引:13  
利用扫描电镜(SEM)和盐雾腐蚀试验等手段。研究了镁合金微弧氧化陶瓷层不同生长阶段的形貌特征及耐蚀性.结果表明:整个过程可分为三个阶段。即阳极沉积阶段、微弧阶段和局部弧光阶段.阳极沉积阶段是在阳极表面发生团絮氧化膜沉积与扩展的过程;微弧阶段是前期缺陷减少与消失并形成均匀膜层的过程,陶瓷层表面微孔孔径较小,膜层均匀致密;局部弧光阶段形成的放电微孔孔径较大,陶瓷层比较疏松.陶瓷层的耐蚀性则表现出先增后减的变化趋势.在微弧氧化处理8min~12min时,陶瓷层的耐蚀性最好.通过控制陶瓷层不同生长时期的能量分配,尽量延长陶瓷层的均匀生长过程。可以获得到均匀致密的陶瓷层.  相似文献   

4.
镁合金微弧氧化陶瓷层耐蚀性的电化学分析   总被引:8,自引:0,他引:8  
采用IM6e型电化学工作站,测试了镁合金微弧氧化后陶瓷层的电化学阻抗(EIS)、稳态电流/电位极化曲(Steady State1/E Recording)以及Tafel斜率。结合测量结果对微弧氧化处理镁合金的耐蚀性进行分析。结果表明,经过微弧氧化处理后试样的电化学阻抗比未经处理原始试样的电化学阻抗高3个数量级。微弧氧化处理过程中存在一个最佳陶瓷层厚度,当超过或低于这个最佳厚度时,试样的耐蚀性都较差,只有达到这个最佳厚度时,试样的耐蚀性才是最佳的。  相似文献   

5.
利用扫描电镜(SEM)和盐雾腐蚀试验等手段,研究了镁合金在不同电导率溶液中微弧氧化处理生成陶瓷层的生长规律及耐蚀性。结果表明:随溶液电导率的增大,发生微弧氧化现象的起弧电压减小,微弧氧化陶瓷层厚度表现出近似线性增长,陶瓷层表面微孔数目逐渐减少,微孔孔径逐渐增大,陶瓷层内显微缺陷数量逐渐增多;陶瓷层的耐蚀性随电导率的增大表现出先增后减的变化趋势,在溶液电导率为4 (?·m)-1~6 (?·m)-1 时,陶瓷层的耐蚀性较好。  相似文献   

6.
能量参数对镁合金微弧氧化陶瓷层耐蚀性的影响   总被引:17,自引:0,他引:17  
用自制的微弧氧化控制电源研究了在硅酸盐溶液体系中电流密度、频率、占空比等能量参数对镁合金微弧氧化陶瓷层的厚度及耐蚀性的影响,并优化了微弧氧化工艺.结果表明:随电流密度增加,陶瓷层厚度呈现线性增加,而耐蚀性表现出先增后减的趋势,在电流密度为3 A/dm2~4 A/dm2时,陶瓷层的耐蚀性最佳;恒流微弧氧化方式下频率与占空比对陶瓷层的厚度影响不大,但对其耐蚀性有一定影响,随频率增加,陶瓷层的耐蚀性越来越好,随占空比增大,陶瓷层的耐蚀性逐渐变差;工艺参数优化所制得陶瓷层的耐蚀性较参数恒定控制有一定的提高.  相似文献   

7.
为了探索AM60压铸镁合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性,采用IM6e型电化学工作站,测量了不同表面状态下制备10μm、20μm及30μm三种厚度微弧氧化陶瓷层在3.5%NaCl溶液中的电化学极化曲线,并对其进行了Tafel斜率分析。结果表明:微弧氧化处理,可以使AM60压铸镁合金的腐蚀电流密度降低2~4个数量级;压铸镁合金在原始表面状态下进行微弧氧化,其腐蚀电流密度随着处理厚度的增加而降低,厚度为30μm试样的腐蚀电流密度较低;对压铸镁合金处理前进行打磨,可以进一步降低腐蚀电流密度,在微弧氧化陶瓷层厚度为20μm时获得最低的腐蚀电流密度。  相似文献   

8.
镁合金微弧氧化深色陶瓷膜制备及耐蚀性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过正交实验在AZ91镁合金表面制备出了深色陶瓷膜,并进一步研究了陶瓷膜的耐蚀性.利用XES对陶瓷膜成分进行分析,探讨陶瓷膜层显色的原因.结果表明,浓度比为55∶30∶4∶20的N1-N2-C-N3溶液中,采用恒压方式电压在350 V~450 V或恒流方式电流密度在1.2 A/dm2~2.4 A/dm2时,可制备出获理想的棕黄色、棕色、棕黑色陶瓷膜;棕色(400 V)和棕黄色(0.8 A/dm2)陶瓷膜腐蚀曲线相对较为平缓,耐蚀性最佳.  相似文献   

9.
镁合金微弧氧化陶瓷层显微缺陷与相组成及其耐蚀性   总被引:75,自引:11,他引:75  
利用SEM,XRD及盐雾腐蚀等试验手段,研究了MB8镁合金微弧氧化陶瓷层生长过程中显微缺陷与相组成的变化规律及其对耐蚀性的影响。结果表明:微弧氧化初期,陶瓷层致密,几乎观察不到显微缺陷,随着处理时间的延长及陶瓷层的增厚,其外侧开始出现孔洞类缺陷,直至90%厚度范围布满相互交错的不规则孔洞;陶瓷层主要由MgO,MgSiO3,MgAl4O4和 非晶相组成,随着厚度的增加,陶瓷层中MgO的比例不断增加,而非晶相含量逐渐减少;短时间微弧氧化处理有利于制取艰非晶相为主的致密无缺陷的耐蚀陶瓷层。  相似文献   

10.
镁合金微弧氧化电解液研究及耐蚀性分析   总被引:1,自引:1,他引:1  
在磷酸盐体系电解液中,采用恒电压方式对AZ31D镁合金进行微弧氧化获得陶瓷膜.通过正交试验,以陶瓷膜厚均匀性和48h腐蚀率为主要研究指标,并结合陶瓷膜层的表面质量,对磷酸盐体系电解液配方进行了研究,得到适宜的电解液配方为:15.0g/LNa5P3O10、2.0g/L NaOH、1.0g/L NaWO4、2.0g/LNa2EDTA.用X射线衍射仪(XRD)分析了陶瓷氧化膜的相组成,同时采用中性盐雾腐蚀试验评价了陶瓷膜的耐蚀性.结果表明:陶瓷膜主要由Mg、MgO和Mg2P2O7相组成,得到的氧化膜层具有一定的耐蚀性能.  相似文献   

11.
目的改善AZ31镁合金的耐腐蚀性能及生物活性。方法使用微弧氧化技术,分别在以六偏磷酸钠为主盐的电解液和以六偏磷酸钠为主盐、以纳米羟基磷灰石(HA)为添加剂的电解液中,在AZ31镁合金表面制备了微弧氧化涂层。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)表征了涂层的微观形貌、元素特征和相组成。通过电化学方法和浸泡实验考察了涂层的耐蚀性。通过细胞实验评价了两种涂层的细胞相容性。结果电解液中的HA可以进入到微弧氧化涂层中,含HA的微弧氧化涂层较不含HA的更致密,且有封孔现象。电化学方法及浸泡实验结果表明,含HA的微弧氧化涂层的耐腐蚀性能更好。细胞表面粘附实验和细胞增殖实验也表明,经表面纳米HA微弧氧化处理后的AZ31镁合金生物相容性更好,且对MC3T3-E1细胞的增殖有促进作用。结论六偏磷酸钠电解液中添加纳米HA,可以在AZ31镁合金表面制备出含HA的微弧氧化涂层,且其耐腐蚀性能和生物活性均优于不含HA的微弧氧化膜。  相似文献   

12.
目的 探索氧化时间对AZ31B镁合金表面微弧氧化(MAO)涂层结构及性能的影响规律。方法 通过恒压MAO的方法在硅酸盐电解液体系中制备涂层,采用扫描电子显微镜(SEM)、Image-J图像分析法、测厚仪、表面粗糙度仪、摩擦磨损试验机、盐雾试验箱来研究涂层表面微观形貌、表面孔隙率、厚度、粗糙度、摩擦性能以及耐蚀性能。结果 涂层孔隙率随着氧化时间的延长而减小,氧化25 min所得涂层孔隙率最小,为5.404%。涂层厚度随时间的延长而增大,但是厚度增长速率减小,氧化5 min时涂层厚度为9 μm,而25 min时涂层厚度为10.4 μm。涂层粗糙度与摩擦系数随时间的增加而增大,磨损率随氧化时间的增加,呈现先增大后减小的趋势,氧化15 min所得样品磨损率最高,氧化5 min所得涂层耐蚀性最差,氧化25 min的涂层耐蚀性最好。结论 恒压条件下,氧化时间的延长可以有效地减小涂层表面孔隙率,增加涂层厚度,显著改善涂层的耐磨、耐蚀性能。  相似文献   

13.
鲁闯  朱利萍  王志锋  亢彪 《表面技术》2014,43(4):48-51,58
目的了解镁合金抑弧氧化膜层的结构、成分及性能。方法在含有机胺的碱性电解液中,对AZ80镁合金进行抑弧氧化,采用扫描电子显微镜分析、X射线能谱分析、电化学极化曲线测试、摩擦磨损实验等手段测定氧化膜层的结构组成及耐蚀、耐磨性能。结果镁合金抑弧氧化膜层呈双层结构,表层疏松多孔,底层致密。疏松层的摩擦系数在0.2以下,致密层的摩擦系数约为0.8。镁合金经抑弧氧化处理后,腐蚀电位比氧化前仅略有降低,但腐蚀电流密度降低显著。结论抑弧氧化膜降低了镁合金材料的腐蚀速率,提高了其耐蚀、耐磨性能。  相似文献   

14.
镁合金是一类重要的工程材料,具有许多优良的物理、化学性能,在航空航天、交通运输、电子通信、生物医学和能源等领域具有广阔的应用前景。镁合金的应用受到其高化学活性的限制,需要进行表面处理,以避免腐蚀。在众多表面处理技术中,微弧氧化技术极大地改善了镁合金的综合性能。其中,工艺参数对膜层性能有着重要的影响。在分析微弧氧化膜层厚度、微观结构和相组成成因的基础上,结合国内外研究现状重点阐述了电解质、颗粒添加物、电参数(电流模式、电压、电流密度、占空比、频率和氧化时间)对膜层耐蚀性、耐磨性及生物学性能的影响,并由此引出调控导向性、陶瓷膜增韧、性能匹配优化及能源利用率等关键问题。此外,还探讨了研究者针对上述问题采取的解决方案,并分析了方案的合理性。最后,结合镁合金微弧氧化目前存在的问题对其未来发展进行了展望。  相似文献   

15.
刘耀辉  李颂  庞磊  朱先勇  刘海峰 《铸造》2006,55(11):1122-1125
采用磷酸盐体系在AZ91压铸镁合金表面制备了一系列微弧氧化膜层,并通过中性盐雾试验、扫描电镜等方法研究了各种工艺条件下的微弧氧化膜层耐蚀性能及形貌特征。结果表明,经微弧氧化处理,AZ91压铸镁合金试样的耐腐蚀性能明显提高。在磷酸盐体系中进行微弧氧化处理的最佳工艺方案为:磷酸钠5g·L-1,氢氧化钠6g·L-1,电流密度3A·dm-2,氧化10min。  相似文献   

16.
结合国内外微弧氧化技术的研究成果,综述了成膜过程火花放电机理及陶瓷层的生长过程,总结了电解液组成、电源类型、工作模式、电参数以及基体材料等对微弧氧化膜性能的影响。根据近年来微弧氧化技术用于镁合金表面处理的发展状况,介绍并分析了几种封孔处理的优化方法,重点介绍了工艺更为简单的原位封孔技术。同时也对镁合金微弧氧化技术的发展趋势和应用前景进行了展望。  相似文献   

17.
目的研究不同电压、电流和氧化时间下,钽表面微弧氧化陶瓷层的生长机理与耐磨性能的变化。方法通过微弧氧化技术在钽金属表面制备陶瓷层,并采用扫描电子显微镜观察陶瓷层的表面形貌,采用摩擦磨损试验仪对陶瓷层的摩擦学性能进行研究,探讨放电电压、放电频率、氧化时间对陶瓷层摩擦系数的影响。结果在电压400 V、频率1000 Hz、氧化时间20 min条件下获得的陶瓷层表面质量最好;在电压350 V,频率1000 Hz,氧化时间10 min条件下获得的陶瓷层耐摩擦性能最好。结论对钽金属表面进行微弧氧化处理,可以显著降低钽金属表面的摩擦系数,提高耐磨性能。  相似文献   

18.
电压增幅对镁合金微弧氧化膜层性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
研究了硅酸盐体系微弧氧化过程中,电源电压增幅对放电火花形态及AZ91D镁合金膜层的厚度、表面形貌和耐蚀性有影响。结果表明,随着脉冲电压增加,电弧的弧斑亮度增强、尺寸变大,但数目减少,大弧倾向增加;微弧氧化膜层的厚度增厚,但成膜速率降低;膜层表面熔融物颗粒增大,表面孔径增加,粗糙度增加;腐蚀率呈现出先减小后增加的趋势。当电压增幅为100~150 V时,其过程稳定性、成膜速率、膜层外观质量和耐蚀性等方面的综合性能相对最优。  相似文献   

19.
脉冲电流宽度对镁合金微弧氧化过程的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了揭示脉冲电流宽度对AZ31B镁合金微弧氧化过程的影响规律,利用示波器记录电流波形,借助涡流测厚仪测量陶瓷层厚度,采用扫描电子显微镜观察陶瓷层表面和截面形貌,根据电压变化曲线计算微弧氧化过程能量消耗。结果表明,随着脉宽由15μs增至90μs,起弧时间由358 s缩短至25 s,起弧电压先降低后升高并在脉宽30μs时达到最小值183 V;陶瓷层表面放电微孔孔径增大,微孔数量减少,陶瓷层厚度增加但致密度下降;起弧过程能量消耗随脉宽增大先降低后升高,并在脉宽为30μs时达到最小值3.9 k J;陶瓷层生长过程能量消耗随脉宽增大近似成倍增加;单位厚度陶瓷层的生长能耗先降低后平稳增长,同样在脉宽30μs时达到最小值10.2 kJ。  相似文献   

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