第四届国际Ⅱ—Ⅵ族化合物会议简介

第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约250篇,以联邦德国的最多,约40余篇,其它依次是日本、法国、苏联、英国、     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

第二次国际Ⅱ-Ⅵ族化合物学术会议论文索引

Ⅱ—Ⅵ族化合物第二次国际会议于1985年在法国举行.参加会议的235名代表来自18个国家.会议组委会共收到170篇论文提要,完善地安排了四天半的会期。在所有的报告中,有18篇综述性文章,27篇口头报告和80篇以张贴形式宣布,其中98篇文章载入会议论文集。     

第七届国际晶体生长会议中关于碲镉汞晶体研究的情况

一、会议议题与红外材料关系密切随着红外技术的发展,红外材料也越来越引起人们的重视,特别是HgCdTe这类材料的发展,以及它本身的特性,已成为举世注目的第三代半导体材料。这次会议专门一项内容就是讨论混晶、固溶体和合金的。专门邀请美国Honeywell公司J.L.Schmit到会报告“碲镉汞的生长、性质和应用”。此外,还有西德Telefunkeng公司H.Zimmermann的“热壁技术生长HgTe、CdTe和HgCdTe薄膜”,美国H.Wiedemeier等的“CVT生长碲镉     

发展中的碲镉汞外延技术

二十余年来,HgCdTe晶体一直是红外领域中占据重要地位的工作物质。在麻省理工学院(MIT)所进行的外延研究是多方面的。Lincoln Lab的有关工作也常在MIT的学术讨论会上交流。我们经常涉及到的问题是优质成膜的淀积动力学和完美的生长工艺技术。Lincoln Lab从六十年代初就开始了HgCdTe晶体材料的研制,从表面物理态到内部缺陷、不同生长工艺对晶体材料性能的影响、薄膜的微晶态分析、杂质的行为以及利用外延生长     

Ⅱ—Ⅵ族化合物的前景

1 引言光敏元器件是当前和今后实现遥感遥测、自动控制,实现非电量与电量信息转换的关键元器件,是电子计算机信息获得或实现智能控制必不可少的元器件。随着军事尖端技术、光通信、机器人,生产自动化和能量控制,尤其微处理机的迅速发展,光电敏感产品的发展尽管还不能与其它敏感器件相比。但近年来的进展也是惊人的。在民间消费方     

“碲溶剂法”制备碲镉汞晶体的生长机理

前言用 Te 作溶剂制备碲镉汞(以下简称 MCT)品体的方法是一种改进的垂直区熔法。利用这种方法制备 MCT 晶体的晶体生长中包括有:凝固过程和输运过程。凝固过程主要是:作为溶质的 MCT,在一定条件下,从溶液中退溶—成核和长晶;输运过程主要是:作为生长晶体的材料 MCT 多晶锭,在一定条件下脱熔,并作为溶质溶解在溶剂中,以及溶质在溶液中的扩散。该方法与一般从“溶剂法”中进行晶体生长不同之处是:输运过程的存在和凝固过程对输运过程的限制。作为一种改进的区熔法,正是利用了凝固过程对输运过程的限制这一     

碲镉汞pn结制备技术的研究进展

作为一种禁带宽度可调的半导体,碲镉汞(MCT)至今仍是一种最有效的可在较宽波长(1～25μm)范围内工作的红外探测器.由于材料性质敏感,MCT器件的制备一直是一项具有挑战性的工作.有若干种pn结制备方法可用于制备MCT光伏器件.离子注入是最常用的一种,但该方法需要额外的退火处理.一些替代技术,例如离子束研磨或反应离子刻蚀等,近来年引起较多关注.MCT体晶和外延层的导电类型转换是材料生产和器件制备中最重要的工艺之一.通过对近年来部分英语期刊文献的归纳分析,介绍了MCTpn结制备技术的研究进展.     

电沉积法制备Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体膜电极

一、引言太阳光辐射到地面上的能量相当大(一年约6×10~(17)千瓦小时),是一种取之不尽、无公害的能源,因此世界各国对太阳能利用的研究特别重视。制备单晶半导体材料成本高、设备复杂,因此在一定程度上限制了太阳能电池的推广应用。为了降低大阳能电池的成本,许多研究者正致力于太阳电池结构的研究和寻找新型的半导体材料及廉价的制备方法。光电化学电池(PEC电池)对半导体晶体结构完美的要求远不如固体太     

《碲镉汞和蹄锌镉晶体的显微图集》

《碲汞和碲锌镉晶体的显微图集》(以下简称《图集》)系由中国兵器工业总公司国防预研基金资助完成的研究项目,已通过总公司组织的技术鉴定,并获得部级科技进步三等奖。rn　　通过X射线衍射术(包括同步辐射)、电子通道术、光学和电子金相显微术等多种技术,对探测器材料碲镉汞(Hg1-x)CdxTe)及其探测器芯片和碲锌镉(Cd1-yZnyTe)进行较深入细致的研究后制成了本《图集》。它包括两部分,即显微组织图(基础图和结构缺陷图)和探测器芯片的X射线形貌相图。基础图指具有特定晶体学取向的近完整晶体的X射线劳厄相和扫描谱及电子通道花样等;缺陷图为具有特定取向和偏离特定取向晶面上的位错和亚晶界图,孪晶和晶图以及其它缺陷和显微硬度试验图等。各图片都配有试样制备等相应注解。rn　　《图集》有精选的644幅图片,以《红外技术》增刊公开的出版发行。该《图集》内文为进口128克双面铜版纸,图片电子分色,封面为硬壳精装烫金色,16开本,约200页,每本收工本费180元。欢迎订购。     

碲镉汞晶体组分定量分析和评价的电子探针方法

本文介绍我们在国产电子探针基础上建立的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体组分测定和评价的规范。几年来应用于大量样品的例行测试中,达到了快速准确的要求。实验方法。所用仪器为DX-3A型扫描电镜,附有波长分散型X射线谱仪。电子束加速电压为25kV。X射线取出角为30°。样品吸收电流为50nA。用CdTe作为标准样品。采     

我国碲镉汞材料和器件的现状——记1989年全国碲镉汞技术交流会

本文根据技术交流会的论文和发言,综述了我国碲镉汞材料和器件的研制现状。     

碲镉汞探测器制备湿法和干法工艺的研究进展

由于材料性质比较敏感,碲镉汞探测器的制备一直是一项具有挑战性的仟务.用湿法化学刻蚀可以成功地制备图形特征尺寸宽度在50～60μm的一代器件.对于二代和三代器件,例如高密度焦平面器件、雪崩光电二极管、双色探测器及多光谱探测器等,干法工艺特别是高密度等离子体刻蚀可以减小这些器件所需要的光敏元间距,显著提高填充因子.有一定深度并且较窄的沟道要求具有高纵横比,同时还要求侧边平滑、均匀性高,这些需要推动了干法刻蚀的发展.主要通过对2000年以来部分英语期刊文献的门纳分析,介绍了碲镉汞器件制备中湿法和干法处理工艺特别是干法工艺的研究进展.刻蚀机制的深入理解涉及化学、物理和电学等多种学科.对于大面积器件的制备,为了获得较好的可生产性和均匀性,需要优化刻蚀过程.     

Ⅱ——Ⅵ族化合物中稀土元素的非线性光学激发过程

根据观察到的 Zns:m~(3+)体晶体中钆格位的间隙,从基质晶格改变的角度出发报导了主要稀土(RE)中心的光学性质及其相对稳定性。根据高激发密度下的非线性光学过程,比较了4f-4f 直接激发通道和晶体的能量传递。分析了与间接激发通道有关的非指数衰减过程,研究了 RE 格位和其它缺陷与杂质的复杂特性。在极低 RE 掺杂浓度(10~(17)cm~(-3))的晶体中也观察到这些复合中心。     

碲镉汞晶体中偏析物和表面沾污相的测定

本文用反射高能电子衍射(RHEED)以及金相显微镜和扫描电子显微镜等分别对碲镉汞晶体表面的沾污相和偏析物进行了观察和分析。得出表面沾污相是氧化镁,来源于机械抛光过程中MgO粉的残留。对碲镉汞中偏析物和周围基体的对比分析表明,该偏析物是碲和碲镉汞的复杂混和物。其产生原因在于熔融物的结构过冷。