半导体晶圆的污染杂质及清洗技术

介绍了半导体圆片存在的各种污染杂质的类型和去除方法,并概要总结了半导体圆片的清洗技术,对半导体圆片的湿法和干法清洗特点和去除效果进行了比较分析。     

单晶圆清洗技术

由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小,以及新材料的引入,使得前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)中表面处理显得更为重要,从而对晶圆的传统表面清洗技术提出了新的挑战。介绍了单晶圆清洗技术的发展现状和几家设备公司的市场应用动向。     

晶圆清洗的挑战——《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会

2006年8月10日，上海龙东商务酒店．由《半导体国际》主办的第三届晶圆清洗技术研讨会在此圆满结束，与会者包括国际知名设备材料供应商和中国本土主要晶圆制造商的专家、经理人和工程师，通过对研发过程和实际生产中晶圆表面处理方案的分析．共同探讨了现金主流清洗技术的应用和发展方向……     

单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化

基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案.     

有害气体防制与晶圆表面处理技术

传统的半导体生产制程均使用湿式清洗技术清除晶圆表面的污染微粒,此一制程需用到大量的的有害化合物,造成作业人员危害及环境污染的问题。此外,因湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60%,假如干式技术能取代部份湿式清洗步骤,将可减少可观的水资源及危害性化学用品使用量,并因而降低晶圆制程的风险。本研究系针对晶圆干式清洗法之脉动喷气式(Pulse-jet)清除晶圆表面微粒之机制进行探讨,以提供另一解决微粒污染晶圆问题的方法。由研究的结果显示,对晶圆表面0.6μm的标准PSL微粒(PolystyreneLatex)局部最高去除效率大…     

高频声表面波器件用压电晶圆清洗技术研究

论述了低浓度碱性过氧化氢清洗液兆声清洗钽酸锂、铌酸锂和水晶等压电晶圆的工艺技术。在保持压电晶圆特性的前提下,该技术可有效去除晶圆表面小于0.2 μm的附着颗粒,使其表面洁净度满足亚微米线宽高频声表面波（SAW）器件生产要求,同时降低了化学品、去离子水的消耗量及对环境的污染。     

应对深亚微米清洗技术的挑战——第三届晶圆清洗技术研讨会

《半导体国际》第三届晶圆清洗技术研讨会即将举行!我们将邀请国际知名清洗工艺设备／材料制造商和IC制造商，通过对实际生产和研发过程中晶圆表面处理的案例分析，共同探讨现今主流清洗技术的应用和发展方向。     

用单片清洗设备进行晶圆背面清洗

晶圆背面的污染降低了半导体器件的成品率,而当器件进入100nm技术节点之后成品率的降低便显得尤为重要。因此,目前众多的器件制造厂家就要求在进行片子正面清洗的同时对其背面也能够实现清洗。由Akrion公司制造的Mach2HP系统就是这样一种单片清洗设备,它具有清洗晶圆正反两面的功能。在起初评价时,设备经过了大量的粒子去除效率的变化。这种大量的变化使我们不能了解这种设备真实的清洗能力。氮化硅(Si3N4)粒子污染的晶片被用以进行粒子去除效率测试。我们发现有Si3N4粒子的晶片引起了背面粒子去除效率的变化。这种含Si3N4粒子的晶片是通过在裸芯片上沉积Si3N4粒子而特意准备的。我们发现,一些较大的Si3N4粒子在晶片清洗时又分解成更小的粒子。如若在清洗之后分解的粒子仍保留在晶片上,它们便会降低晶片总的粒子去除效果。因此,在这些粒子沉积到晶片上之前,这些粒子群需要进一步分解成实际的粒子。经过了解晶片的预习处理,我们实现了这种清洗设备背面清洗效果的评价。     

适用于小型生产线运行的单晶圆清洗技术的实现

利用臭氧消毒水和淡氟氢酸清洗技术,使设备生产厂家的单晶圆旋转清洗工艺适应向小型生产线转入的应用,从而使生产周期的缩短成为可能。     

微电子工艺清洗技术的应用分析

随着科学技术的发展,我国的微电子技术得到了快速发展,使电子元件的集成程度越来越高,给微电子器件的清洗工作带来了很大的挑战,其清洗质量对电子设备的质量也会造成严重的影响.对此,本文对微电子工艺清洗方法的现状进行了分析,并提出了有效的清洗对策.     

半导体制造中清洗技术的新动向

多年来习惯采用多槽浸渍式RCA清洗的半导体清洗领域里,正在兴起的是从多槽浸渍式向单片式处理转移。并出现了取代RCA法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。     

FSI进军单晶圆清洗市场

FSI International日前在上海举办的FSI知识服务系列研讨会上,宣布推出全新的ORION单晶圆清洗系统。FSI营销和产品管理副总裁Scott Becker表示,创新性单晶圆清洗平台ORION系统的推出,正是为满足客户在先进工艺上更苛刻的要求,表明了FSI愿意与中国集成电路制造业共同开发最先进工艺技术的承诺。     

单片晶圆兆声清洗的仿真模型研究

通过研究单片晶圆兆声清洗过程中兆声头在晶圆表面的运动轨迹和能量积累过程,构建了单晶圆清洗的兆声能量分布和颗粒去除过程的数学模型.通过Mathematica 9.0对模型进行了运算和简化,经过离散化处理后,运用MATLAB对几种硅片转速和兆声臂转速的组合在硅片上的能量分布和颗粒分布进行了模拟仿真.发现简单组合比例下清洗效果与转速比例和清洗轨迹复杂程度密切相关,而固定半径扫描可以使能量分布更均匀,减少局部能量集中对晶圆IC的破坏,并且可以缩短清洗时间.     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORLON单晶圆清洗技术平台。该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。这一追加定购乃缘于已安装的ORION机台杰出表现所带来的鼓舞。ORION系统将被应用于后段（BEOL）铜／低K导线制作。     

单晶圆湿式处理市场取得长足进步

随着半导体向65nm和45nm工艺发展，前段（FEOL）和后段（BEOL）晶片清洗技术都面临着新挑战。SEZ亚太区技术行销副总裁陈溪新认为，半导体结构和材料变得越来越脆弱，而清洗效果和材料损失的要求却变得越来越严格。特别对于关键层而言，更需要革新技术加以应对，而这正是SEZ的优势所在。     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

2009年1月,全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORION单晶圆清洗技术平台。该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。这一追加定购乃缘于已安装的ORION机台杰出表现所带来的鼓舞。ORION系统将被应用于后段（BEOL）铜／低k导线制作。     

深亚微米时代清洗技术之应用与挑战 《半导体国际》第五届晶圆清洗技术研讨会

在标准的IC制造工艺中,涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100多步,在整个ICN造的发展过程中,湿法清洗一直以来在晶圆清洗中占着主导地位,其中浸泡式(批处理)和喷雾式(单晶圆)目前     

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

FSI国际有限公司日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单,购买其新推出的ORION 单晶圆清洗技术平台,该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。