对称三值电流型CMOS电路设计

本文应用开关信号理论，建立了采用对称三值逻辑的传输电流开关理论，该理论能指导从开关级设计对称三值电流型ＣＭＯＳ电路。应用该理论设计的对称三值电流型ＣＭＯＳ电路不仅具有简单的电路结构和正确的逻辑功能，而且能处理具有以向特性的信号。     

对称传输电流开关理论与对称三值电流型CMOS算术电路

本文应用开关－信号理论建立了基于对称三值逻辑适用于对称三值电流型ＣＭＯＳ电路开关级设计的对称传输电流开关理论。     

PWM开关调整器及其应用电路

ＰＷＭ开关调整器在单片或同一封装中，含有控制电路和高压功率开关ＭＯＳＦＥＴ。本重点介绍ＰＷＭ开关调整器的典型应用电路．     

一种智能功率集成电路隔离技术

本文介绍一种智能功率集成电路（高边ＣＭＯＳ模拟开关）的隔离技术。对除开关管ＶＤＭＯＳ管以外的器件采用自隔离技术，ＶＤＭＯＳ管不是自隔离的。衬底电势的变化易引起电路闭锁，采用浮阱技术来防止电路闭锁。     

SWiTEST：适合CMOS组合电路的开关级测试生成系统

ＳＷｉＴＥＳＴ：适合ＣＭＯＳ组合电路的开关级测试生成系统＝ＳＷｉＴＥＳＴ：ａｓｗｉｔｃｈｌｅｖｅｌｔｅｓｔｇｅｎｅｒａ－ｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｆｏｒＣＭＯＳｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎａｌｃｉｒｃｕｉｔｓ［刊，英］／Ｌｅｅ．Ｋ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏ...     

开关级数字比较器设计研究

本文研究了传统的数字比较器电路研究，提出了一类开关级ＣＭＯＳ传输门结构的数字比较器电路，分析了这种电路的的设计实现方法，研究表明：和传统的数字比较器电路相比，这种电路具有结构简单，布局规则，运算速度快等优点，有一定的应用研究价值。     

三值电压型CMOS施密特电路研究

首先对二值ＣＭＯＳ施密特电路的设计思想进行了分析,指出设计施密特电路的关键为阈值控制电路。根据三值ＣＭＯＳ电路有两个信号检测阈的特点,提出了通过文字电路将两个检测阈分离后进行分别控制并由文字电路的输出去控制ＣＭＯＳ传输门的设计方法,由此设计了三值ＣＭＯＳ施密特反相器。ＰＳＰＩＣＥ模拟证明了所设计的电路具有理想的施密特电路功能     

开关电流电路中的时钟馈入效应

本文采用ＭＯＳ开关的集总时变ＲＣ模型，对开关电流（ＳＩ）电路中的时钟馈入效应进行了详细的理论分析，导出了开关电流镜中钟馈电压和钟馈电流的表达式，从而揭示出了钟馈电压／电流与工艺参数、ＭＯＳ器件尺寸、时钟信号幅值及其下降沿斜率等之间的内在关系。用它可对ＳＩ电路中时钟馈入的影响进行快速预测。文中的理论分析与ＳＰＩＣＥ仿真结果相一致。所提供的结果对于设计高精度低功耗ＳＩ电路有应用价值。     

电流型多值CMOS电路的化简

本文提出了电流型多值ＣＭＯＳ电路的化简方法，该方法在关键在于寻找适合于电流型多值ＣＭＯＳ电路实现的覆盖，设计实例表明，本文提出的设计优于Ｇ．Ｗ．Ｄｕｅｃｋ等人（１９８７）的设计。     

快速时域模拟器FTSIM

开关级快速时域模拟器ＦＴＳＩＭ，可对ＭＯＳ ＬＳＩ／ＶＬＳＩ数字电路进行逻辑功能和时间特性的模拟与验证。基于波形松弛算法，ＦＴＳＩＭ首先将电路分解成直流连通单元（ＤＣＣ），然后利用晶体管非线性模型按一定次序计算每个ＤＣＣ的输出波形。在求解该模型特征方程的过程中，采用了电压步进方法，同时提出了处理ＤＣＣ之间反馈问题的事件驱动自适应窗口算法。ＦＴＳＩＭ可以充分利用电路的多速率特性和各类休眠特性来提高分     

模电教学中BJT与MOS的近似性分析

BJT 与MOS器件及电路是模电重要内容；教学中二者的电路模型与分析方法不一致，学生困惑于两套不同的器件及电路知识。本文在遵循器件及电路工作原理的基础上，首次将二者在小信号模型、电路参数、I-V方程、特性曲线、工作区间、指标计算上进行完整的近似性分析及一致性推导；在二者电路计算中，用三种单管单级放大器实例，阐述近似分析方法的便利性。本文是模电教学的有力补充。     

A new and improved physics-based model for MOS transistors

An improved MOS device model is derived based upon a first-order model for the dependency of MOS surface mobility on surface field and lateral drain field. A comparison with experimental data shows that a consistent set of physical parameters can be used to describe both long-channel nMOS devices and short-channel devices. The model can form the basis for improved compact MOS models for circuit analysis.     

Calculator-aided design of MOS integrated circuits

A set of programs has been developed for the characterization of the d.c. and transient behavior of MOS integrated circuits. The d.c. analysis program calculates and plots the voltage transfer and power dissipation characteristic of a MOS inverter approached from a new point of view. The algorithm enables the characterization of basic MOS IC cells on desktop calculators. The program for the transient characterization calculates and plots the output waveform of three simple MOS cells most often occurring in MOS IC's.The MOS transistor is simulated in terms of a four-terminal large signal model described by device processing parameters. Complex MOS IC's can be also characterized by appropriate combining of these programs.     

PLMAP — A piecewise linear MOS circuit analysis program

In this paper we describe a MOS circuit simulation program PLMAP (Piecewise Linear MOS Circuit Analysis Program) which performs efficient time domain simulation of LSI MOS circuits. PLMAP uses a piecewise linear model for MOS transistors. It uses a relaxation method to analyze the piecewise linear circuit at one time point after another. The relaxation method consists of a 2-level decomposition which partitions the whole circuit into 2-level subcircuits and a scheduling method which determines the sequence of analysis of subcircuits. At each time point, the subcircuits are analyzed sequentially and iteratively by using Gauss-Seidel iteration together with a prediction formula to determine the initial guess of solution. Experiences have shown that PLMAP is more efficient in MOS circuit analysis than spice.     

Transient Analysis of Four-Phase MOS Switching Circuits

Four-phase MOS switching circuits lend themselves readily to utilization on large-scale integrated arrays and possess many attractive and practical features. A model for transient analysis is presented. The evaluation and analysis of a generalized four-phase MOS gate which can implement a complex logic function are discussed.     

在标准参数测试系统上开发CV分析功能——用于MOS器件参数失效分析

为了及时、直接分析PCM参数异常及电路失效原因,我们在标准参数测试系统(如HP4062,Ag4070系列)上开发了MOSC-V测试分析功能。鉴于目前MOS工艺水平不断提高,硅表面空间电荷区少子产生寿命在数百μs以上,传统C-V分析技术往往不能对参数失效电路进行有效分析。为此我们开发了一个新的C-V分析模式。给出了用此分析模式对CMOS产品的MOSC-V测试分析结果。并简要说明如何利用C-V技术分析PCM参数异常及电路失效的方法。     

Source to drain resistance beyond pinch-off in metal-oxide-semiconductor transistors (MOST)

A detailed analysis is performed yielding source to drain resistance of MOS transistors in the saturation region. The analysis is based on a depletion model of the pinched-off region of the channel. Good agreement is found between theory and experimental results obtained onN-channel silicon MOS transistors (channel length ∼5 µ).     

双离子注入短沟道MOS FET的阈值电压解析模型

本文对短沟道MOSFET沟道区的硼、砷离子注入分布采用二次函数及指数函数的分段函数分布近似,并利用格林函数法求解二维泊松方程,从而导出非均匀分布短沟道MOS FET的表面势和阈值电压的解析模型.它计及注入能量、剂量、退火温度、退火时间等工艺参数的影响,也包含了漏极电压V_D和栅氧化层厚度等因素的影响.本解析模型的结果与用MINI-MOS数值模拟的结果符合得很好,具有简单、实用的特点.适用于改进有关电路分析程序例如SPICE中的模型.