用半导体饱和吸收镜进行Yb:YAG晶体被动锁模特性研究

为了研究半导体泵浦的Yb:YAG晶体被动锁模特性,分别采用光纤耦合输出激光器,半导体列阵和激光二级管作为泵浦源,利用直腔和五镜谐振腔,用半导体饱和吸收体(SESAM)作为被动锁模器件,对Yb:YAG晶体的被动锁模运转情况进行研究.实验中分别得到了谱线宽度为1.1nm,2nm和2.8nm的稳定锁模脉冲序列.最后得出结论,对于相同的SESAM,被动锁模脉宽主要受晶体内部的泵浦光功率密度和激光介质发射带宽两个因素的影响.对被动锁模激光器的研究具有指导意义.     

LD端泵Nd:YAG SESAM锁模激光器的研究

本文分析了SESAM锁模与染料可饱和吸收体锁模的区别，提出了SESAM锁模机理的初步模型。根据对腔参数的分析结果，进行了一系列实验，实现了半导体端泵Nd:YAG激光器的SESAM锁模运转，这是首次利用直腔进行SESAM锁模，为进一步研究SESAM锁模奠定了基础。     

20MHz自启动克尔透镜锁模飞秒钛宝石激光器

报道了利用半导体可饱和吸收镜 (SESAM )实现自启动的低重复率锁模飞秒钛宝石激光器 ,重复率为 2 0MHz ,锁模脉宽 42fs。     

线形腔半导体可饱和吸收镜被动锁模掺镱光纤激光器

皮秒脉冲在超连续谱光源中具有重要应用,基于线形腔搭建了半导体可饱和吸收镜(SESAM)被动锁模皮秒脉冲掺镱光纤激光器,详细分析对比了激光器中所用光纤光栅的反射率、反射带宽以及SESAM的宏观特性参数对锁模激光器输出脉冲特性的影响。实验结果表明:选择10%反射率和0.3nm反射带宽的光纤光栅比较有利于激光器的稳定锁模;光纤激光器对SESAM参数的适用范围比较大,SESAM的非饱和损耗对激光器输出平均功率影响较大,SESAM的非饱和损耗越小,激光器输出脉冲的平均功率越高。     

半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展

介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理.综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展.     

半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展

介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模，获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。     

半导体可饱和吸收镜被动锁模Nd∶YAG激光器的研究

利用自行研制的半导体可饱和吸收镜 (SESAM ) ,在 5W光纤耦合半导体激光器端面抽运的Nd∶YAG激光中 ,实现了半导体可饱和吸收镜被动锁模 ,获得了稳定的皮秒锁模激光输出。经自相关仪测量 ,其锁模激光脉冲宽度小于 10 ps。实验采用直腔结构的谐振腔 ,该腔结构简单 ,易于调整 ,实现可饱和半导体吸收镜稳定锁模时 ,光 光转换效率达到 19%。     

半导体可饱和吸收镜被动锁模Nd:YAG激光器的研究

利用自行研制的半导体可饱和吸收镜(SESAM)，在5W光纤耦合半导体激光器端面抽运的Nd：YAG激光中，实现了半导体可饱和吸收镜被动锁模，获得了稳定的皮秒锁模激光输出。经自相关仪测量，其锁模激光脉冲宽度小于10ps。实验采用直腔结构的谐振腔，该腔结构简单，易于调整，实现可饱和半导体吸收镜稳定锁模时，光～光转换效率达到19％。     

SESAM实现脉冲式Nd:YAG激光器的被动锁模特性研究

利用半导体可饱和吸收镜(SESAM) ,实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06 μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2 ps,脉冲序列的能量为24 mJ,实验采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单,易于调整。理论上分析了1.06 μm SESAM结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中 DBR不同周期时对应反射谱图以及不同周期时中心频率处DBR的反射率曲线,同时模拟出了DBR中电场强度的分布图。     

SESAM锁模自倍频激光器中特殊机制的理论研究和计算

对自倍频(SFD)效应在半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模激光器中抑制调Q倾向的机制进行了详细的理论研究和数值模拟.推导了含有自倍频效应的SESAM锁模激光器中非线性损耗的表达式,建立了捕述激光器内脉冲能量变化的方程组.用微扰法分析了锁模激光器的稳定性条件,证明了适当强度的自倍频效应能够抑制激光器的调Q倾向,降低稳定锁模的阈值.用计算机仿真模拟了锁模激光器在有无自倍频效应时的特征,验证了理论推导的结论.     

两种晶体管饱和输出状态的比较分析

在高校的“数字电路”课程教学中,通常要对分立NPN晶体管和TTL门电路的低电平输出近饱和、饱和以及退饱和状态进行讲解,其中出现了貌似矛盾的现象。本文给出了两种情况下的比较分析,力图廓清对它们模棱两可的理解,并尝试给出了“被动饱和”与“主动饱和”两个新概念,建议了更为合理的饱和深度的定量表达式,以期对相关的教学以及教材编写起到积极的作用。     

脉冲激光对CCD的软损伤技术研究

根据CCD的结构特点,研究分析了YAG脉冲激光对CCD的损伤及其损伤机制,开展了脉冲激光对CCD的软损伤实验,实验验证了光饱和及光饱和串音现象,并提出了光电对抗中可以利用CCD的光饱和串音现象实现干扰对方的光电传感系统的结论。     

分立晶体管与TTL门电路的饱和输出状态的比较分析*

在高校的《数字电路》课程教学中，通常要对分立NPN晶体管和TTL门电路的低电平输出近饱和、饱和以及退饱和状态进行讲解，其中出现了貌似矛盾的现象。本文给出了两种情况下的比较分析，力图廓清对它们模棱两可的理解，并尝试给出了“被动饱和”与“主动饱和”两个新概念，建议了更为合理的饱和深度的定量表达式，以期对相关的教学以及教材编写起到积极的作用。     

通过调节负载提高RoF系统中大电流光探测器的饱和特性

为提高射频光纤通信系统（ROF）中大电流光探测器（PD）的饱和特性,基于等效电路模型,对大电流工作下负载电阻大小对PD饱和特性的影响进行了理论分析,并利用微波负载牵引自动测量系统对PD负载电阻加以调节。通过实验测试了不同负载电阻下PD电压摆幅的变化及其对于探测器饱和特性、响应带宽的影响。理论和测试结果均表明,降低负载电...     

双辅助光作用下半导体光放大器性能分析

半导体光放大器以其良好的非线性在全光网络中具有广泛应用,但较长的载流子恢复时间一直是制约其用于超快全光信号处理的速率瓶颈,基于包含自发辐射噪声的半导体光放大器模型,探讨了提高半导体光放大器增益恢复时间的有效途径,通过对制约透明波长移动,增益饱和与有效载流子寿命的相关因素进行数值分析,得出以下结论:与单辅助光相比,采用双辅助光可以在不牺牲信号增益的前提下进一步缩短载流子寿命,因而是提高半导体光放大器增益恢复时间的有效途径,这一点对工程设计和应用具有一定的指导意义.     

高饱和电流光电探测器在低噪声系数和高增益RoF光链路中的应用

研究了光载无线通信(RoF)链路中掺Er3+光纤放大器(EDFA)对链路噪声系数(NF)和增益的影响,同时采用自制的具有高响应度、高饱和功率特性单载子传输光电探测器(UTC-PD)作为链路光电转换器件,在不以NF为代价的同时使得链路增益性能获得大幅提升。实验表明,对于由LD、马赫-曾德调制器(MZM)、EDFA、光滤波器(OBPF)和UTC-PD组成的RoF光链路,在LD输出功率为17dBm、UTC-PD的输出平均光电流为60mA时得到最低链路NF为30.3dB,相比不含EDFA的基本链路在LD输出光功率同为17dBm时的NF略小0.4dB;同时链路增益高达15.5dB,相比基本链路大幅提升了41.3dB。     

高增益激光的饱和效应和最佳输出耦合

本文在均匀和非均匀谱线加宽情况下,计算了高增益介质在不同小信号增益系数和吸收系数下的激光输出特性,并讨论了饱和效应和最佳输出耦合。     

Current saturation effect for pentacene-based static induction transistor under negative drain-source and gate voltages

Usually, the drain-source current (I_DS) increases with positive drain-source voltage (V_DS) for pentacene-based organic static induction transistor (OSIT) ITO(Source)/Pentacene/Al(Gate)/Pentacene/Au(Drain) and it shows an inherent rectifying property under negative gate voltages (V_G), i.e. the slope of I_DS vs. V_DS curve increases with V_DS but without any current saturation effect. In this paper, we investigated the electrical characteristics of pentacene-based OSIT ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80 nm)/Au under negative V_DS and V_G, and found that I_DS changed from rectifying property to saturation effect when the magnitude of negative V_DS was increased from 0 V to −6 V under negative V_G, and the turn-on voltage (V_ON) moved to larger negative voltages when the magnitude of negative V_G increased and the movement step of V_ON gets smaller after keeping the device for a long time, and the possible mechanisms for such a kind of current modulation were discussed.     

脉冲在增益饱和半导体光放大器中的畸变

分析了半导体光放大器处于增益饱和状态下的自相位调制（SPM）效应对传输脉冲波形、相位的影响，其中着重考虑了不同脉冲指数（高斯脉冲和超高斯脉冲）以及不同脉宽（相对于载流子寿命）的情况。     

脉冲形状对半导体激光放大器用于啁啾补偿的影响

光脉冲经过增益饱和的行波半导体激光放大器后,由于放大器的自相位调制,使放大脉冲附加上频率啁啾。合适的附加啁啾不但能抵销入射脉冲的初始啁啾,而且还有可能借助简单的群速度延迟线对脉冲进行压缩。本文计算了不同形状的入射脉冲经光放大器放大后的输出脉冲形状及其附加的频率啁啾,分析了它们对光放大器用于啁啾补偿的影响。