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皮秒脉冲在超连续谱光源中具有重要应用,基于线形腔搭建了半导体可饱和吸收镜(SESAM)被动锁模皮秒脉冲掺镱光纤激光器,详细分析对比了激光器中所用光纤光栅的反射率、反射带宽以及SESAM的宏观特性参数对锁模激光器输出脉冲特性的影响。实验结果表明:选择10%反射率和0.3nm反射带宽的光纤光栅比较有利于激光器的稳定锁模;光纤激光器对SESAM参数的适用范围比较大,SESAM的非饱和损耗对激光器输出平均功率影响较大,SESAM的非饱和损耗越小,激光器输出脉冲的平均功率越高。 相似文献
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半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模,获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。 相似文献
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利用半导体可饱和吸收镜(SESAM) ,实现了脉冲式Nd:YAG激光器1.06 μm激光的被动锁模,获得了稳定的皮秒激光脉冲序列输出。经自相关实验装置测量,其锁模激光脉冲宽度大约为48.2 ps,脉冲序列的能量为24 mJ,实验采用直腔结构的谐振腔,该腔结构简单,易于调整。理论上分析了1.06 μm SESAM结构及被动锁模基本原理,计算并模拟了半导体可饱和吸收镜中 DBR不同周期时对应反射谱图以及不同周期时中心频率处DBR的反射率曲线,同时模拟出了DBR中电场强度的分布图。 相似文献
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在高校的“数字电路”课程教学中,通常要对分立NPN晶体管和TTL门电路的低电平输出近饱和、饱和以及退饱和状态进行讲解,其中出现了貌似矛盾的现象。本文给出了两种情况下的比较分析,力图廓清对它们模棱两可的理解,并尝试给出了“被动饱和”与“主动饱和”两个新概念,建议了更为合理的饱和深度的定量表达式,以期对相关的教学以及教材编写起到积极的作用。 相似文献
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在高校的《数字电路》课程教学中,通常要对分立NPN晶体管和TTL门电路的低电平输出近饱和、饱和以及退饱和状态进行讲解,其中出现了貌似矛盾的现象。本文给出了两种情况下的比较分析,力图廓清对它们模棱两可的理解,并尝试给出了“被动饱和”与“主动饱和”两个新概念,建议了更为合理的饱和深度的定量表达式,以期对相关的教学以及教材编写起到积极的作用。 相似文献
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半导体光放大器以其良好的非线性在全光网络中具有广泛应用,但较长的载流子恢复时间一直是制约其用于超快全光信号处理的速率瓶颈,基于包含自发辐射噪声的半导体光放大器模型,探讨了提高半导体光放大器增益恢复时间的有效途径,通过对制约透明波长移动,增益饱和与有效载流子寿命的相关因素进行数值分析,得出以下结论:与单辅助光相比,采用双辅助光可以在不牺牲信号增益的前提下进一步缩短载流子寿命,因而是提高半导体光放大器增益恢复时间的有效途径,这一点对工程设计和应用具有一定的指导意义. 相似文献
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研究了光载无线通信(RoF)链路中掺Er3+光纤放大器(EDFA)对链路噪声系数(NF)和增益的影响,同时采用自制的具有高响应度、高饱和功率特性单载子传输光电探测器(UTC-PD)作为链路光电转换器件,在不以NF为代价的同时使得链路增益性能获得大幅提升。实验表明,对于由LD、马赫-曾德调制器(MZM)、EDFA、光滤波器(OBPF)和UTC-PD组成的RoF光链路,在LD输出功率为17dBm、UTC-PD的输出平均光电流为60mA时得到最低链路NF为30.3dB,相比不含EDFA的基本链路在LD输出光功率同为17dBm时的NF略小0.4dB;同时链路增益高达15.5dB,相比基本链路大幅提升了41.3dB。 相似文献
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本文在均匀和非均匀谱线加宽情况下,计算了高增益介质在不同小信号增益系数和吸收系数下的激光输出特性,并讨论了饱和效应和最佳输出耦合。 相似文献
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Usually, the drain-source current (IDS) increases with positive drain-source voltage (VDS) for pentacene-based organic static induction transistor (OSIT) ITO(Source)/Pentacene/Al(Gate)/Pentacene/Au(Drain) and it shows an inherent rectifying property under negative gate voltages (VG), i.e. the slope of IDS vs. VDS curve increases with VDS but without any current saturation effect. In this paper, we investigated the electrical characteristics of pentacene-based OSIT ITO/Pentacene(80 nm)/Al(15 nm)/Pentacene(80 nm)/Au under negative VDS and VG, and found that IDS changed from rectifying property to saturation effect when the magnitude of negative VDS was increased from 0 V to −6 V under negative VG, and the turn-on voltage (VON) moved to larger negative voltages when the magnitude of negative VG increased and the movement step of VON gets smaller after keeping the device for a long time, and the possible mechanisms for such a kind of current modulation were discussed. 相似文献
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脉冲形状对半导体激光放大器用于啁啾补偿的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
光脉冲经过增益饱和的行波半导体激光放大器后,由于放大器的自相位调制,使放大脉冲附加上频率啁啾。合适的附加啁啾不但能抵销入射脉冲的初始啁啾,而且还有可能借助简单的群速度延迟线对脉冲进行压缩。本文计算了不同形状的入射脉冲经光放大器放大后的输出脉冲形状及其附加的频率啁啾,分析了它们对光放大器用于啁啾补偿的影响。 相似文献