安森美半导体增加新的时钟和数据驱动IC

安森美半导体（ON Semiconductor）宣布扩充时钟驱动器系列,推出NB7L585、NB7L585R、NB7V585M和NB7V586M差分2：1多工器输入至1：6器件,以及带均衡功能的NB6HQ14M和NB7HQ14M1：4扇出时钟／数据驱动器。     

安森美半导体推出最小有源时钟产生器IC

安森美半导体（ON Semiconductor）推出新系列的有源时钟产生器集成电路（IC）,管理时钟源的电磁干扰（EMI）及射频干扰（RFI）,为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMI。     

安森美半导体完整时钟解决方案满足时钟市场更高要求

安森美半导体不断开发和拓展完整的时钟解决方案,进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。近日推出基于PLL的PureEdge^TM硅频率时钟产生模块。     

安森美半导体推出用于电信、网络和消费应用的PureEdge（tm）高性能时钟产生器件

近日，安森美半导体推出PureEdge^TM高性能时钟产生产品NB3N3002和NB3N5573.     

安森美半导体推出完整时钟解决方案

安森美半导体（ON Semiconductor）不断开发和拓展完整的时钟解决方案，进一步巩固了其在时钟市场上的技术领先地位。基于在双极型、CMOS和0．18μm硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，安森美半导体25年来一直在最低抖动和skew时钟分配性能方面领先业界。安森美半导体的时间抖动比竞争对手小50％，令系统设计更简易，并消除时间误差，     

安森美半导体持续拓展四川合资厂

2008年1月8日,安森美半导体宣布,2008年计划把所有封装形式为微型表面贴装（SOSM）的产品从其在马来西亚的芙蓉厂转移到中国四川省的合资企业乐山-菲尼克斯半导体有限公司,将令乐山厂年产能力约增15％,并将会在乐山产生190多个工作机会。     

安森美半导体推出业内最小封装低压模拟开关

2006年1月18日-全球领先的电源管理解决方案供应商，安森美半导体针对便携和无线音频应用，推出了三种新型低电阻模拟开关。新型无铅超小6-引脚、10-引脚和16-引脚模拟开关采用1．2mm2到4．7mm2板空间，比竞争产品节约高达70％的空间。     

安森美半导体满足时钟市场更高要求

安森美半导体近日推出完整的时钟解决方案，进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。基于在双极型、CMOS和0．18um硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，安森美半导体的时间抖动比竞争对手小50％，令系统设计更简易，并消除时间误差。     

安森美半导体推出高性能完整时钟解决方案

10月27日，安森美半导体（ON Semiconductor）基于在双极型、CMOS和0．18um硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，推出了满足市场更高要求的完整时钟解决方案，其时间抖动比竞争对手小50％，令系统设计更简易，并消除时间误差。     

安森美半导体完整时钟解决方案满足时钟市场更高要求

2008年10月27日，高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体不断开发和拓展完整的时钟解决方案，进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。基于在双极型、CMOS和0．18μm硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，     

安森美半导体完整时钟解决方案满足时钟市场更高要求

安森美半导体不断开发和拓展完整的时钟解决方案，进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。基于在双极型、CMOS和0．18um硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，安森美半导体25年来一直在最低抖动和skew时钟分配性能方面领先业界。     

安森美半导体完整时钟解决方案满足时钟市场更高要求

安森美半导体（ON Semiconductor）不断开发和拓展完整的时钟解决方案，进一步巩固了其在时钟市场上的技术领导者地位。基于在双极型、CMOS和0.18μm硅锗（SiGe）BiCMOS工艺上先进的锁相环（PLL）电路布局和设计专业技术，安森美半导体25年来一直在最低抖动和skew时钟分配性能方面领先业界。安森美半导体的时间抖动比竞争对手小50％，令系统设计更简易，并消除时间误差。     

安森美低厚度SOD-123FL封装

安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL封装。SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。SOD-123FL封装的W／mm^2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，     

安森美半导体持续在乐山厂增产

安森美半导体宣布,2008年计划把所有封装形式为微型表面贴装（SOSM）的产品从其在马来西亚的芙蓉厂转移到乐山-菲尼克断半导体有限公司,将使乐山厂年产能增长15％。     

安森美半导体推出业内最小封装的ESD保护二极管阵列

全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)近期宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mmx1.0mmx0.5mm,是讲究节省电路板空间之应用的理想选择。此外,专为众多敏感设备而设计的这些器件经过优化,可广泛用于手机、PDA、数码相机及其他保护应用中。     

安森美半导体ESD保护技术——应用于便携电子产品的业界最小封装

安森美半导体（ON Semiconductor）推出两款采用最新的超小型0201双硅片无引脚（Dual Silicon No-Lead．DSN-2）封装的静电放电（ESD）保护器件。这DSN型封装尺寸仅为06mm×0．3mm×0．3mm,令工作的硅片百分之百地利用封装面积,与采用塑模封装的产品相比,提供显著的性能／电路板面积比优势。     

安森美半导体及其西部开发策略

~~安森美半导体及其西部开发策略!本刊通讯员@卢玥光