脉冲激光制备硅基超薄PtSi薄膜

用脉冲激光沉制备了纳米级Pt/Si异质层,对激光退火形成超薄PtSi薄膜进行了研究,对于Pt、Si互扩散反应形成Pt2Si和PtSi的过程利用XPS进行了测试分析,通过XPS和AFM等分析测试手段对不同参数激光退火形成的PtSi薄膜的结构特性进行观测。我们获得了均匀的、超薄边疆的PtSi层且具有平滑的PtSi/Si界面。     

脉冲激光薄膜制备技术

脉冲激光薄膜沉积是近年来受到普遍关注的制膜新技术。简要介绍了脉冲激光薄膜沉积技术的物理原理、独具的特点和研究发展动态,并介绍了采用脉冲激光薄膜沉积技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果     

大功率脉冲激光纳米薄膜制备技术

讨论脉冲激光薄膜沉积技术的基本物理过程，独具的优点及可能的应用，并介绍了一些激光制备薄膜实验的结果。     

纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P－Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性。通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜。     

大功率脉冲激光纳米薄膜制备技术

讨论脉冲激光薄膜沉积技术的基本物理过程、独具的优点及可能的应用，并介绍了一些激光制备薄膜实验的结果。     

采用固体碳源制备石墨烯薄膜研究进展

作为一种高性能二维碳材料,石墨烯以其无与伦比的力学和功能特性受到了学界和工业界广泛的关注。目前,石墨烯及石墨烯增强复合材料正逐步走向应用。然而,随着石墨烯产业的发展,现有制备工艺越来越难以满足工业界批量化生产高质量石墨烯的需求。综合来看,当下石墨烯制备技术存在的主要问题包括:(1)制备面积大、缺陷少、层数均一的石墨烯薄膜尚存在一定的困难;(2)石墨烯较低的产率难以满足日益增长的需求。为解决石墨烯产率及质量问题,研究者在石墨烯制备工艺开发方面开展了大量工作。在此过程中,分子束外延技术、化学气相沉积技术、Hummers方法等诸多石墨烯薄膜制备技术被开发出来,这些技术的应用和发展使批量生产高质量石墨烯薄膜成为了可能。为适应不同技术的使用环境与需求,多种含碳物质作为前驱体被用于石墨烯薄膜的制备过程中。依据室温下状态分类,这些含碳前驱体被分为气体、液体和固体碳源。因较低的储存成本和较高的安全性,固体碳源在石墨烯生产过程中具有独特的优势。目前,包括碳材料、碳化硅(SiC)、有机高分子、生物材料乃至固体含碳废弃物均被用于石墨烯薄膜的制备过程中。本文综述了固体碳源制备石墨烯的研究进展,系统地介绍了利用...     

氧化锌薄膜制备技术的评价

详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法，包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子层外延生长法。阐述了这些方法的机理、沉积条件、所需的反应物以及制得的薄膜的性质。讨论并比较了各种方法的优缺点和应用于器件及工业生产的可能性。     

纳米硅薄膜制备技术进展

本文综述了纳米硅薄膜制备新技术的进展。着重介绍了高氢稀释硅烷蚀刻法，微波氢基团增强化学气相沉积，逐层法和高频数值等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制．本文指出氢基团为各项新技术发展的关键并将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。     

纳米硅薄膜研究进展

纳米硅薄膜具有独特的结构和许多优异的光电性能，可望应用于新型光电器件，大规模集成电路等领域。本文从制备技术，沉积机理，结构和性能各方面对纳米硅薄膜的研究进展情况作了回顾和综述，并对其发展前景作了展望。     

脉冲激光沉积技术在磁性薄膜制备中的应用

脉冲激光沉积制膜（PLD）是近年来迅速发展起来的制膜新技术，首先简要介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点和优势以及在磁性功能薄膜研究中的应用，最后说明了该技术的最新发展趋势。     

纳米二氧化钛薄膜的制备及光致发光研究

采用溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛(TiO2)薄膜,扫描电镜观察薄膜比较均匀,成膜性好,通过X射线电子能谱(EDS)分析了薄膜成分.X射线衍射(XRD)分析表明纳米TiO2薄膜呈现锐钛矿和金红石晶型.光致发光(PL)谱结果表明,荧光峰对应着不同的发光中心,且相对体相TiO2的理论值有明显的蓝移,有很好的荧光特性.     

Effect of interface on mid-infrared photothermal response of MoS2 thin film grown by pulsed laser deposition

This study reports on the mid-infrared (mid-IR) photothermal response of multilayer MoS2 thin films grown on crystalline (p-type silicon and c-axisoriented single crystal sapphire) and amorphous (Si/SiO2 and Si/SiN) substrates by pulsed laser deposition (PLD).The photothermal response of the MoS2 films is measured as the changes in the resistance of the MoS2 films when irradiated with a mid-IR (7 to 8.2 μm) source.We show that enhancing the temperature coefficient of resistance (TCR) of the MoS2 thin films is possible by controlling the film-substrate interface through a proper choice of substrate and growth conditions.The thin films grown by PLD are characterized using X-ray diffraction,Raman,atomic force microscopy,X-ray photoelectron microscopy,and transmission electron microscopy.The high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) images show that the MoS2 films grow on sapphire substrates in a layer-by-layer manner with misfit dislocations.The layer growth morphology is disrupted when the films are grown on substrates with a diamond cubic structure (e.g.,silicon) because of twin growth formation.The growth morphology on amorphous substrates,such as Si/SiO2 or Si/SiN,is very different.The PLD-grown MoS2 films on silicon show higher TCR (-2.9％ K-1 at 296 K),higher mid-IR sensitivity (△R/R =5.2％),and higher responsivity (8.7 V·W-1) compared to both the PLD-grown films on other substrates and the mechanically exfoliated MoS2 flakes transferred to different substrates.     

离子束辅助脉冲激光沉积硼碳氮薄膜

以烧结B4C为靶材料、在氮离子束辅助下用脉冲激光沉积方法制备了三元化合物硼碳氮（BCN）薄膜.用X光电子谱和傅立叶变换红外谱方法表征了制备的薄膜.结果表明,膜层中包含B-C、N-C、B-N键等复合结构,以B-C-N原子杂化的形式结合成键,而并非各种成分的简单混合.还探讨了成膜过程和相关机理,离子束中的活性氮有效地和脉冲激光对B4C靶烧蚀产生的硼和碳结合成键,氮离子束的辅助还能在一定程度上抑制氧杂质进入膜层,给衬底适当加温有利于提高氮的含量并影响薄膜的化学结构.     

低能电子束制备硅基纳米薄膜微结构研究

本文提出了一种新颖的结合自组装技术和电子束直写曝光以及选择性化学沉积制备图案化薄膜方法。利用X-射线光电子能谱（XPS），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM）紫外可见光谱仪（Analytic Jena AG）进行了表征。结果表明该方法取得了选择性较好的图案化金薄膜微结构图形。文中对胶体金纳米颗粒尺寸的选择以及金薄膜图案的粘附性能也进行了探讨。该方法有望应用于微／纳电子工业中。     

掺杂比和氧分压对脉冲激光沉积ZnO:Al膜性能影响的研究

利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜，通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了靶材中的化学配比（掺杂比）对膜的透射比和电阻率的影响。结果表明：掺杂比、氧分压强曩响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出。掺杂比从０．７５％增至１．５Ｒ过程中膜的载汉子浓度、透射比（在波长大于５００ｎｍ的范围）和光隙能相应增大，在氧分压强为０Ｐａ、掺杂比为１．５％左右时沉积的膜，其     

AlN薄膜的KrF准分子脉冲激光沉积

研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质。结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构。随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升。AlN晶粒呈柱状生长机制。     

纳米晶硅薄膜材料的技术发展

本文综述了硅基薄膜材料的发展历程;提出了一些促进硅基薄膜电池技术进步的思路;并对硅 基薄膜电池的发展进行了有益的探讨,对最新的硅基薄膜太阳能电池作了展望.     

Properties of epitaxial, (001)- and (110)-oriented (PbMg1/3Nb2/3O3)2/3-(PbTiO3)1/3 films on silicon described by polarization rotation

Epitaxial (PbMg_1/3Nb_2/3O₃)_2/3-(PbTiO₃)_1/3 (PMN-PT) films with different out-of-plane orientations were prepared using a CeO₂/yttria stabilized ZrO₂ bilayer buffer and symmetric SrRuO₃ electrodes on silicon substrates by pulsed laser deposition. The orientation of the SrRuO₃ bottom electrode, either (110) or (001), was controlled by the deposition conditions and the subsequent PMN-PT layer followed the orientation of the bottom electrode. The ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of the (SrRuO₃/PMN-PT/SrRuO₃) ferroelectric capacitors exhibit orientation dependence. The properties of the films are explained in terms of a model based on polarization rotation. At low applied fields domain switching dominates the polarization change. The model indicates that polarization rotation is easier in the (110) film, which is ascribed to a smaller effect of the clamping on the shearing of the pseudo-cubic unit cell compared to the (001) case.