Nd~(3+):YAG晶休微区发光的研究

Nd~(3+):YAG晶体是近一、二十年来十分受人重视和应用较广泛的红外激光材料。但由于Nd~(3—— YAG单晶生长工艺复杂,很多因素会导致晶体产生缺陷,影响了晶体的光学质量。本工作是通过SEM-CL方法对Nd~(3+):YAG晶体的生长条纹进行分析研究。用提拉法生长的Nd~(3+):YAG晶体由于生长过程中某些因素的影响,会使晶体产生生长条纹,生长条纹可反     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。     

温梯法生长的Nd:YAG晶体的完整性及其激光特性

对温梯法生长的Nd:YAG单晶中缺陷形成与发展规律作了系统的研究。根据缺陷形成机理,对生长工艺参数作相应修改后,明显地扩大了晶体的优质区。高掺杂、高完整性的激光棒很容易获得单横模及单纵模激光输出,但在纵方向上生长条纹引起的干涉条纹畸变则影响片状激光器的光束质量及激光阈值还有待进一步改进。     

提高GaAs晶体质量的一种重要手段

在ＣＺ法晶体生长工艺中引入磁场是一门新技术，它使得生长高质量大直径单晶成为可能。本文介绍了纵向磁场和横向磁场对ＧａＡｓ晶体质量的影响，重点介绍了对熔体中的温度波动、晶体中的生长条纹、ＥＬ２和电阻率分布等的影响。这门技术目前在国际上得到了广泛的应用。     

光学相控器件调制误差对干涉投影条纹的影响

以马赫泽德干涉光路结构为基础,采用电光材料的光学相控技术产生用于光学形貌测量的干涉投影条纹。为了研究电光晶体作为光学相控器件的相位调制误差对干涉条纹质量的影响,建立了电光晶体对干涉条纹质量的模型,分析晶体折射率、平面度与波前调制的关系及其对干涉条纹质量的影响。仿真结果表明,电光晶体调制误差会影响干涉条纹质量。理想平面度下晶体折射率的畸变会使干涉条纹变形,折射率离散化阶数直接影响投影条纹的高次谐波成分,甚至导致投影条纹严重失真;折射率理想的情况下,晶体平面度的差异也会造成干涉条纹不同程度的形变。     

引上法生长晶体的温场与界面形状

一、引言利用引上法生长的晶体,对平行于生长方向的两个平行平面加以抛光,如果晶体对可见光是透明的,用偏光显微镜,甚至用肉眼就可以看到一系列的横向生长条纹;如果晶体对可见光是不透明的,就要先腐蚀再用金相显微镜观察。这些横向生长条纹是晶体     

称重法自动控径生长激光晶体

多年来，我国激光基质晶体生长多采用控温法，但晶体直径均匀性仍靠人的经验和熟练操作技术来实现。因此，存在因人而异的工艺因素，影响了成品率和晶体质量稳定性。不均匀的直径变化势必引起核心区和生长条纹的变异，严重时将带来云层、汽泡等宏观缺陷。     

高能密度红宝石

东芝加哥的林德晶体产品公司已能可靠地重复生产光学质量接近完整的激光红宝石,其结果是从脉冲激光系统得到的汇聚光输出能量密度比用以前的工艺方法生长的工作物质的系统增加了两个数量级,另一优点是干涉条纹相当少。     

LiNbO3:Mg2+晶体的生长条纹和散射颗粒

本文研究了LiNbO3:Mg2+晶体各种掺杂浓度时的生长条纹和散射颗粒,测定了它们对晶体质量的一些影响,用激光探针法鉴定了固体散射颗粒的成份,并讨论和总结了这两种缺陷的成因和克服办法。     

新型闪烁晶体PbWO4的研制

报道了ＰｂＷＯ４晶体的生长，研究了原料的纯度以及晶体生长工艺对晶体质量的影响。测试了晶体的光学性能和闪烁性能，生长出优质的ＰｂＷＯ４晶体。     

Bi_(12)Geo_(20)单晶的生长条件对光学均匀性的影响

本文分析使提拉法生长的Bi_(12)GeO_(20)单晶的光学均匀性恶化的主要缺陷和生长条纹,以及由晶面效应引起的“色芯”和光学应力.生长条纹与熔体中的自由和强制对流以及晶体的旋转和温度的调节有关.当生长速度过高时就出现大量条纹和夹杂物,它们显然与组份过冷有关.为完全消除生长条纹,采用温度梯度小的轴向对称温场中不旋转的晶体生长法.这类晶体中的腐蚀坑密度小于10/厘米~2.     

掺镁铌酸锂晶体的生长、极化和光学质量

研究并生长出高浓度适合倍频应用的LiNbO3:Mg晶体.消除了晶体的生长条纹,退火极化过程中克服了脱溶现象,提高了晶体的光学质量.晶体的双折射率梯度达到10-5/厘米量级,在准连续倍频中得到了1瓦以上的谐波功率输出.测定了MgO在LiNbO3中的有效分凝系数与浓度的关系,有一定理论价值.     

空间生长的GaAs单晶的结构特性观察

为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在     

淬火固态再结晶工艺研究

本文在分析淬火固态再结晶(CR)工艺生长碲镉汞(MCT)晶体原理基础上,研究了 CR 工艺生长 MCT 晶体有关步骤,改进了合成、淬火及再结晶工艺。合成时采用混合温度分布方式简化了升温及合成炉摆动工艺;淬火时在反应管内加石墨塞子改善了晶体组分均匀性;再结晶时采用温度梯度退火提高了再结晶效率。对改进工艺生长的 MCT(x=0.2)晶体组分均匀性、结构完整性、光学和电学性质进行了分析,结果表明晶体质量有明显提高。     

垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件优化

分析了利用垂直布里奇曼法生长碲锌镉晶体的工艺条件,如坩埚的材质和形状、炉体温场、固液界面形状、生长速率以及采用籽晶等生长条件对晶体单晶率和质量的影响,并提出了优化垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体的条件。     

用自动直径控制生长的钆镓石榴石单晶的生长条纹

观测了用自动直径控制生长的Gd_3Ga_5O_(12)单晶中周期性的生长条纹。这些生长条纹的间距同射频功率波动的周期相吻合。发现这种波动是由于螺旋电位器产生的程序信号阶梯变化所致。当功率波动辐度减小到小于1％时,这些周期性生长条纹被消除了。本文推荐用自动直径控制法,将有助于生长优质晶体。     

n型4H-SiC单晶生长工艺研究

采用PVT法掺氮得到n型4H-SiC体单晶。研究了生长温度、冷却孔直径、掺氮量对晶体结晶质量的影响。实验结果表明:生长温度过低或过高会引入多型;冷却孔过大会使晶体产生较大的热应力,导致晶体开裂;掺入较多的氮使SiC晶格畸变。通过调整温场、优化掺氮工艺,获得了生长n型4H-SiC单晶的工艺条件,生长出结晶质量较好的n型4H-SiC单晶。     

大尺寸Bi_（12）S_iO_（20）单晶生长的研究

本文介绍了ＢＳＯ单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法，从φ８０×６０ｍｍ铂金坩埚中生长出φ４０×６０ｍｍ重达８００克左右的优质ＢＳＯ大单晶。研究并确定了生长大尺寸ＢＳＯ晶体的工艺条件，并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析，讨论了它们与生长工艺条件的关系，以及提高晶体质量的主要途经。     

La3Ga5.5Ta0. 5O14晶体的生长及性能研究

采用提拉法生长出了直径为φ54 mm的La3Ga5.5Ta0.5O14晶体,晶体透明,无气泡,无包裹体,无条纹.同时对晶体的压电常数、介电常数、透光光谱及其声表面波器件性能进行了测试,并绘制了晶体的极图.实验结果表明La3Ga5.5Ta0.5O14晶体具有优异的压电性能.     

大尺寸Bi12SiO20单晶生长的研究

本文介绍了ＢＳＯ单晶的若干主要性能。报导了用电阻加热提拉法，从φ８０×６０ｍｍ铂金坩埚中生长出φ４０×６０ｍｍ重达８００克左右的优质ＢＳＯ大单晶。研究并确定了生长大尺寸ＢＳＯ晶体的工艺条件，并对晶体中若干主要缺陷进行了观察分析，讨论了它们与生长工艺条件的关系，以及提高晶体质量的主要途径。