液相外延生长HgCdTe外延层

本文用滑舟式液相外延方法对HgCdTe薄膜的生长进行了研究。1.汞压控制。我们采用附加汞源的方法有效地控制了母液的成分。采用了三段温度分布的炉子。中间是反应区,温度为500℃。两边是控制汞压区。氢气流上方的汞槽在一定温度下产生汞蒸气压和反应区内母液的蒸气压相平衡。出口处的高温区形成热阻,以阻     

HgCdTe液相外延生长技术

随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体组分的变化而发生很大的改变,所以生长块状晶体总是要遇到一些特别困难的问题(图1)。尽管存在这些特殊的困难,用常规的方法还是能够生长出直     

高质量HgCdTe薄膜的液相外延生长

用固态HgTe作为Hg补偿源,采用开管、水平滑块推舟的富Te液相外延(LPE)方法在碲锌镉(Cd1-yZnyTe, y＝0.04)衬底上外延生长大面积Hg1-xCdxTe(x＝0.2)薄膜材料,通过适当的生长条件得到组分均匀、结构完整、表面形貌良好的长波碲镉汞薄膜.测试结果表明本方法生长的HgCdTe薄膜能满足目前研制红外焦平面器件的要求.     

HgCdTe液相外延薄膜生长及缺陷表征

液相外延是制备HgCdTe薄膜材料的一项成熟技术,大尺寸的外延薄膜是研制HgCdTe红外焦平面列阵的基础。探讨了尺寸为30mm×40mm的HgCdTe液相外延薄膜生长技术,用红外透射光谱和X光貌相技术对材料进行了评价。并对HgCdTe薄膜表面的黑点缺陷、波纹起伏等特征形貌进行了讨论,指出黑点缺陷是杂质粒子在薄膜表面形成的包裹体,而表面波纹是由生长母液中的对流引起的。     

用Hg压促进HgCdTe的液相外延生长

具有当今先进水平的HgCdTe外延层(最适用于红外成象系统)是用液相外延法生长成,然而,在生长时必须对Hg压保持连续控制。本文提出了一种新的改进液相外延法,它利用Hg压差作为促使和保持生长的唯一推动力。用富碲溶液在严格的等温条件下生长外延层。与生长有关的机理包括在蒸汽(来自Hg存贮器)中产生过量汞,之后它与溶液结合,使溶液有效地过饱和而引起生长。图1为本方法的原理图。当Hg容器保持在温度T_1和溶液保持在温度T时,对认为系统最初是平衡的。在溶液和容器上的Hg分压等同。在容器温度升高到新的较高温T_2,而溶液保持在其原来温度T时,就产生了从容器到溶     

液相外延HgCdTe的研究

本文对液相外延生长HgCdTe及其汞压控制进行了研究。在理论上对开管滑动系统中汞损失的影响作了分析和计算,提出了准平衡汞压的方法。在实验中设计制作了独特的汞回流装置,实现了对汞压的控制。通过生长工艺的条件实验,得到了各工艺参数影响外延片性能的关系,制备出表面光亮,组分为x=0.2110.002,x=0.280.001的Hg1-xCdxTe外延片。在77K下n型(未退火)和P型外延片的迁移率分别为3.36105cm2/Vs和1.81103cm2/Vs,载流子浓度分别为1.091015cm-3和1.041016cm-3。     

化学束—气源外延生长HgCdTe

评论了Ⅱ-Ⅵ族半导体HgCdTe的化学束-气源外延生长系统的设计和研制,介绍了生长HgCdTe外延层和气体源掺碘CdTe外延层的最新结果,这些结果表明了用这种技术生长用于制备先进红外探测器的优质材料的可能性.     

HgCdTe外延层的最佳等温生长

首次在“原生态”中(而不是在富汞气氛下)经过一般的生长后退火处理,获得了具有低载流子浓度和高载流子迁移率的n型Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。这一成就是基于:等温生长时,只要用一定组分的源材料在一定温度下就能长出具有特定组分和最佳电学性质的Hg_(1-x)Cd_xTe外延层。而且这些外延层呈现出镜面般的表面状态,其组分无论径向或轴向(深度达到大约15微米)都是很均匀的。     

HgCdTe液相外延薄膜表面缺陷的控制

研究了HgCdTe液相外延薄膜表面两类宏观缺陷的形成原因.研究表明,大部分表面凹陷点(void)缺陷的形成是由衬底的蜡沾污所引入的,而表面凸起点(hill-like)是由衬底边缘脱落的CdZnTe微颗粒造成的,通过控制外延生长前的衬底处理过程,可以抑制这两类缺陷,从而生长出零(宏观)缺陷密度的优质HgCdTe外延薄膜.     

液相外延HgCdTe薄膜组分的均匀性

利用水平推舟液相外延法,以CdZnTe作为衬底,固态HgTe作为Hg补偿源,从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜.通过选择合适的温度和生长速率,获得了组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜.     

液相外延生长装置

一、发明的特点本发明的液相外延生长装置具有以下特点: (1) 在由外管和内管组成的双层管的内管中放置液相外延生长器具。内管和外管之间只有很小的间隙可以使气体流通,而且使内管的一端与汞蒸汽源相通,在外管的周围有几个     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求     

液相外延HgCdTe薄膜组分均匀性的研究

用水平推舟液相外延的方法，以CdZnTe作衬底，固态HgTe作为Hg补偿源，从富Te-HgCdTe溶液中外延生长大面积HgCdTe薄膜。通过选择合适的温度控制和生长速率，获得组分均匀性和重复性较好的大面积长波HgCdTe薄膜。     

Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析

通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5～8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.     

Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析

通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规(111)CdZnTe衬底HgCdTe外延材料相当;位错腐蚀坑平均密度为(5～8)×105 cm-2,比相同衬底上分子束外延材料的平均位错密度要低一个数量级;晶体的双晶半峰宽达到70″左右.研究结果表明,在发展需要低位错密度的大面积长波HgCdTe外延材料制备技术方面,Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延技术可发挥重要的作用.     

新颖的外延HgCdTe

有一种新颖的外延HgCdTe,其p型的迁移率大于250cm~2/V.s,而n型的为100000cm~2/V.s。载流子浓度P型的为2×10~(17)/cm~3,而n型的为5×10~(14)。据说,高迁移率、低载流子浓度的材料在红外传感器上将有新的用场。     

分子束外延生长HgCdTe合金膜的前景

本文综述国外近几年来利用MBE(分子束外延法)生长MCT薄膜及其衬底膜的进展、优点、前景,供我们研究MCT材料的借鉴。