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液晶微波通信器件所用的液晶材料都是高双折射率(Δn)液晶化合物组合而成,这些化合物的熔点大多较高,使得液晶组合物的低温共熔点较高,不利于微波通信器件的发展。本文合成了8种侧乙基三苯二炔类液晶化合物,将其按照一定的比例配置成低温共熔点在-46℃的液晶组合物MA,并以此为液晶母体,将其与另外几种液晶混合,采用矩形谐振腔微扰法测试液晶组合物在微波频段(11~35 GHz)的介电性能,得到了在18 GHz时的介电常数值(Δεr)为0.954,最大介电损耗(tanδεr max)为0.008 6,可满足微波用低熔点液晶材料的性能要求。 相似文献
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近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的重点是集中于形成各种微缺陷的机理,微缺陷的结构、微缺陷分布的非均匀性、微缺陷的杂质析出效应、微缺陷的运动和电活性以及微缺陷的电学效应. 相似文献
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液晶材料在微波频段具有良好的调制特性,在微波可调谐器件领域具有巨大的应用潜力。本文针对液晶材料微波介电常数的测量需求,提出了一种基于人工局域表面等离激元谐振的传感器。通过设计环形谐振器结构,在sub-6 GHz频段形成局域表面等离激元窄带谐振峰。通过给液晶施加外加电场,能够实现对液晶介电常数的调控。通过谐振频点位置的拟合,能够得到对应的液晶的介电常数大小,从而实现液晶材料在微波频段的介电常数的测量。本文研究了不同液晶层厚度、不同液晶介电常数对人工局域表面等离激元谐振频点的影响。随着液晶层厚度增加或者液晶介电常数的减小,谐振频点f1和f2都逐渐增大。当液晶层厚度大于或等于0.5 mm时,谐振频点f1和f2随介电常数的变化具有良好的线性度,且具有高灵敏度(>400 MHz/Δε),远大于基于目前报道的其他形式介电常数传感器。同时,本传感器结构可以在液晶层上下施加电场,从而实现在不同外加电场作用下液晶材料微波介电常数的测量,在液晶微波特性研究领域具有应用潜力。 相似文献
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本文叙述了在TN型液晶器件制造过程中,液晶材料的选择特点,STN型液晶器件与TN型液晶器件液晶材料选择的区别及STN型液晶器件的液晶材料选择要点,最后本文还对STN型液晶器件制造过程中液晶材料的选择与配制作了简要概述。 相似文献
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基于液晶技术的太赫兹器件的研究开发已经成为该领域研究的重要方向之一。介绍了太赫兹器件的应用背景和太赫兹液晶器件的基本知识,并重点介绍了液晶在太赫兹频域的光电性质和材料特性,指出了若干有潜在可行性的液晶材料。在此基础之上对太赫兹液晶移相器、太赫兹可调液晶滤波器、太赫兹可调偏振器等液晶器件的设计原理和目前的研究结果进行了分析。最后,对太赫兹液晶器件的产品应用开发进行了总结分析,提出了此类元器件的研究开发方向。 相似文献
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韩继鸿 《固体电子学研究与进展》1982,(1)
本文从微波半导体器件的角度论述了砷化镓材料的重要性.砷化镓材料的发展过程是与微波器件的发展紧密联系在一起的.砷化镓材料每前进一步都导致微波器件性能的突破.文中在回顾了微波半导体器件发展历史的同时,指出砷化镓材料所起的重要作用.列举了砷化镓材料的特点,比较了几种制备方法,并给出了目前砷化镓微波器件研究和生产的现状、参数水平,最后对材料与器件的前景进行了初步估计. 相似文献