最新亚微米iCMOS^TM工业制造工艺能创造出新一代高电压模拟IC

在过去的几年中，半导体供应商一直将其设计工作集中在降低电压和单电源器件以满足通信和便携式设备不断发展的需求。但是，对采用±10V信号范围通常工作在大电压，噪声环境的过程控制，工企自动化和电机控制环路的工业电子设备制造商的特殊设计考虑有些忽略，至今仍然如此。     

ADI公司发布创新的制造工艺ICMOS

美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。与采用传统CMOS制造工艺不同，按照iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30V电源电压，同时能提供突破的性能水平，降低系统设计成本，而且降低85％的功耗和减小30％的封装尺寸。     

台积电全球首家推出0.1微米芯片制造工艺

台积电于美圣荷塞举办的DesignCon 2002会议上宣称，它已成功产出首颗采用0.1微米制造工艺的芯片，预计将于今年第三季或第四季度初进入试产阶段。业内分析师指出，台积电在0.1微米制造工艺技术方面的积极开发，将使其成为全球首家推出这一工艺技术的厂商，并超越了Intel、IBM、Microelectronics等业内巨头。 据了解，台积电以0.1微米制造工艺成功开发出的芯片，晶体管channel length仅有0.065微米。 据台湾地区媒体报道：早在去年10月，台积电就曾提及，它将应用0.1微米制造工艺生产系统单芯片（SoC）及其他设计上较为复杂的产品。 台…     

ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,     

亚微米CMOS IC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点.但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题.文章针对这些问题,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进,有效地解决了问题.     

"十五"计划过半时中国IC芯片制造工艺线建设现状

时间天天在飞驰,好像昨天刚制订了集成电路行业“十五”发展计划,眼睛一眨,“十五”计划时间已过去了一半。我国在"十、五"期间要抓紧建设的重要项目中有关IC芯片生产线建设有三个目标:● 建设3～4条6英寸芯片生产线,扩大市场适销对路产品的生产能力;● 建设6～7条(最初提4～5条)8英寸芯片生产线,形成0.35～0.18微米技术产品的生产加工能力;● 建设1～2条12英寸芯片生产线,形成0.18～0.13微米技术产品的生产加工能力。“十五”计划开始前,2000年底我国共有25条4英寸～8英寸芯片生产线:1条8英寸线(上海华虹NEC)、3条6英寸线(北京首钢日电、…     

新型芯片制造工艺消除了软故障

STMicroelectronics公司(位于瑞士日内瓦)开发的一种创新芯片制造工艺有望从实质上消除目前电子系统中的软故障。这种名为rSRAM的工艺在实现这一目标时不会造成系统成本的显著增加以及性能的恶化。     

ADI推出高压模拟IC制造工艺iCMOS

在电噪声环境中处于高压工作状态的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的方向发展,以提高集成度,降低成本,但这同时也带来了一个问题,那就是随着制造工艺尺寸的细微化,IC所能承受的工作电压也在不断减小,而在许多应用领域,特别是工业市场     

基于CMOS工艺的IC卡芯片ESD保护电路

介绍了ESD保护结构的基本原理,并提出一个基于CMOS工艺用于IC卡芯片的保护电路.讨论了一些重要的设计参数对ESD保护电路性能的影响并进行了物理上的解释.     

"全硅"工艺制造出了HV高速模拟IC

Zarlink Semiconductor公司宣布研制成功一种用于在所有的硅衬底上制造高压、高速模拟芯片的先进晶圆制造服务和生产工艺。这项被称为HJV（高性能、J型工艺、高压）的制造工艺有望改进诸如DVD播放机、数字录像机和DSL调制解调器等消费类产品的性能。HJV硅工艺是一种采用全互补型npn和pnp晶体管结构的双多晶硅、三金属技术。为了克服以往需在高速与高压操作之间进行折衷这一弊端，该工艺采用了先进的制造技术，包括最新的外延附生、高能注入、深沟道隔离和快速热处理。种晶体管的渡越频率均为12GHz，而且，它们的最大振荡频率为25GHz…     

适合应用于制造高压,高温器件的1.0μmSOI工艺

X-FAB半导体加工厂（位于德国的Erfurt）宣布开发成功了一种新的混合信号的SOI（绝缘层上硅,silicon-on-insulator）工艺技术。这种工艺适合于制　造高压,高温器件。这些器件广泛应用于　汽车与工业方面所需要的电子产品。这　种工艺采用的是介质隔离,双阱结构,特　征尺寸为1.0μm,3层金属,单层多晶布线。 经过鉴定认为该工艺制造的器件,　可以在高达225℃条件下工作。该工艺流　程包括13次光刻工序,并且可以根据需     

模拟IC发展新趋势

模拟电路能与自然世界中的物理电信号直接联系,能为“数字世界”的存在提供支撑环境,这些决定了模拟电路存在的必然性。尽管当今世界已逐渐步入数字时代,模拟电路仍不会消亡。然而数字大潮中的模拟电路的发展出现了一些新要求并对应出现了一些发展新趋势。一、关注系统集成高密度数字集成制作技术的突破结合EDA的成就,使得单片数字系统集成已成为现实,研究能直接与自然界物理电信号联系的完整意义上的系统集成芯片成为研究者着重关注的目标c完整意义上的系统集成技术的核心是模拟电路系统与数字电路系统的兼容集成,实际上是利用电路…     

为工业应用选择最好的显示器

看上去,工业市场中的基础显示技术同消费市场中很相似,但两者对设计的要求却不一样.工业用显示器,经常暴露于自然环境中,必须满足一系列严格的环境限制,包括宽广的温度和湿度范围.     

Integration of GaN analog building blocks on p-GaN wafers for GaN Ics

We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode wafers in this work.The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor as the load.The function of the RTL comparators is finally verified by a undervoltage lockout(UVLO)circuit.The compatibility of this cir-cuit with the current p-GaN technology paves the way for integrating logic ICs together with the power devices.     

德州仪器预定今年推出170种逻辑／线性新产品

随着半导体产业的景气复苏,德州仪器(TI)的标准线性和逻辑产品部门也在今年加速其在逻辑/线性市场上的布局.该部门全球产品行销经理David Hoover表示,该公司预备在今年推出170款的逻辑/线性新产品,而为了因应市场的需求,该公司也将扩充产能,预计到第二季度时,可另外增加25%的新产能,预计今年标准线性逻辑元件的总产量可以达到100亿颗,比去年的67亿颗成长50%.     

适合无线电装置应用的芯片制造工艺

IBM公司（位于纽约州的EastFishkill）为了优化无线电与通信系统　所用芯片的性能,功率消耗,以及价　格成本,推出两种工艺。头一种名为CMOS 6RF,是一种RF CMOS工艺　技术,它的原型是该公司的0.25μmCMOS基本工艺,并且从该公司的SiGe BiCMOS工艺中吸取了模拟/混　合信号工艺的特点;它已经被RF芯片　所采用。 它的工艺特点有以下几项:和手　持式装置所需用的电压相适应的二次　氧化层;导电性低的衬底;和具有较好隔　离性能的三重阱n型场效应晶体管。此　外,为了满足RF与混合信号线路的需　要,CMOS 6RF还从该公司的双极工艺　中吸取了一套无源元件制造技术,这些     

一种适合模拟与视频信号处理的高速IC工艺

Zetex 公司(位于纽约州的Hauppauge)推出了一种新的制造高速双极型模拟集成电路的新工艺技术,并且正用它来生产音响与视频信号处理集成电路产品。这种命名为ZA工艺的生产工艺,是0.6微米、两层金属层的工艺技术。它采用氧化物隔离技术,可以降低线     

CMOS监控摄像头控制芯片选择的关键考量

世界范围内对公共安全和公众保护日益增长的需求刺激了监控摄像系统在安全领域的广泛应用.为满足这种需求,基于高度集成的数字图像处理/控制芯片的新一代摄像头正在使采用CMOS成像传感器的监控摄像系统逐渐成为这个市场的主流产品.