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硅钡合金是一种新的炼钢脱氧剂和铸造用孕育剂,并且还具有很好地脱硫、脱磷能力,能改变钢铁中非金属夹杂物的性能,可球化和细化钢铁中的夹杂物,降低非金属夹杂物的有害作用.对硅钡合金孕育剂和含钡球化剂中钙钡含量的准确测定,无论对生产工艺和产品质量都十分重要. 相似文献
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用硅钡合金与75硅铁比较,研究了两种孕育剂对灰铸铁白口趋向,断面敏感性以及强度性能等的影响。结果表明:硅钡合金较75硅铁具有失效、白口趋向小、易获得A型石墨、断面敏感性小等优点,适合处理高牌号薄壁灰铸铁件。 相似文献
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对用75SiFe和稀土钡钙孕育剂瞬时孕育球铁的效果进行了对比试验。结果表明,稀土钡钙比75SiFe减白口能力强、孕育时受铁水成分影响较小、能提高球化率。 相似文献
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钡硅铝合金是近年来开发使用的一种新型冶炼脱氧剂、脱磷剂,其价格低廉,使用效果好,被广泛用于冶炼工业中,本文介绍一种分析测定钡硅铝合金中硅、钡、铝含量的方法。 相似文献
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用硅钡合金作孕育剂,并与相同条件下用铝孕育处理可锻铸铁进行比较,研究了钡对第一和第二阶段石墨化的影响。组织观察和性能测试结果表明:钡可促进第一和第二阶段石墨化过程,有利于获得铁素体基体;经硅钡孕育处理后铸铁组织中絮状石墨的外形趋于团球化,石墨的尺寸也有所减小,强度和塑性都有不同程度的提高。 相似文献
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在厚大机床类产品的生产中,利用Ba含量在10%的高钡孕育剂进行多次孕育处理,在少加或不加贵重金属合金Cu、Mo等的情况下,性能和金相组织均达到HT300的要求.而且铸件本体硬度在HB190~220,均匀性好,很好地解决了铸件表面硬度与内部硬度差大的问题. 相似文献
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通过选用最佳试验条件,建立用分光光度法测定稀土铬锰硅孕育荆中稀土和容量法测定稀土铬锰硅孕育剂中铬、锰、硅的联合测定方法.结果表明,在一定的酸度下稀土与偶氮氯膦Ⅲ生成蓝紫色络合物,最大吸收波长为660 nm,浓度在20 g/50 mL以内,符合朗伯-比尔定律,线性相关系数r=0.9996,用硫酸亚铁铵标准溶液滴定锰和铬的指示剂为N-苯基邻氨基苯甲酸指示剂.以此方法标准加入测定回收率均大于98%,能满足实验室日常检测的需要. 相似文献
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采用第一性原理平面波赝势方法研究了合金元素X(X=Ca、Sr、Ba)掺杂Mg2Si的占位情况:(1)取代Mg原子位置;(2)取代Si原子位置;(3)间隙固溶到Mg2Si晶胞中。分析合金系Mg7Si4X,Mg8Si3X,Mg8Si4X的形成热和结合能可知,Mg7Si4X的形成热和结合能均为负值,且最小。表明Mg7Si4X更容易形成稳定化合物,具有较强的合金化能力,且Ca,Sr,Ba掺杂Mg2Si时有优先占据Mg原子的倾向。研究Mg7Si4X的弹性模量和电子结构发现:Mg7Si4Ca、Mg7Si4Sr为脆性相;Mg7Si4Ba为延性相,塑性最好;掺杂Ca,Sr,Ba使Mg2Si逐渐由脆性向韧性转变。Ca,Sr,Ba的掺入均使Mg2Si的电子态密度发生偏移,费米能级处的电荷密度增加,导电性增强,共价键作用减弱,合金系结构稳定性减弱。 相似文献
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提出了用铍试剂Ⅲ光度法测定铝-铍中间合金名铍含量的一种简便快速的方法,可供生产中使用。 相似文献
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由于铝合金及镁合金熔体熔炼过程中的大量吸氢而会严重影响到合金的组织和性能,因此,测定铝合金以及镁合金熔体中的氢就是必须解决的问题.详细总结了铝合金、镁合金中氢含量的检测手段,包括取样法、直接测定法和其他方法,并比较了每种方法的优缺点.提出了铝合金、镁合金中氢检测的发展方向:镁合金的测氢将是未来的热点之一.开发一种炉前能够快速、准确、简单的镁合金测氢仪是镁合金测氢的未来发展趋势,而铝液中直接测氢代替取样法也是未来发展的趋势之一. 相似文献
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目的在AZ31B镁合金表面火焰喷涂制备Al-Mg_2Si复合涂层,研究其耐腐蚀和耐磨性能。方法用SEM、电化学测试仪、高速往复摩擦磨损测试仪和超景深三维显微镜检测分析不同成分配比的Al-Mg_2Si复合涂层的耐腐蚀和摩擦磨损性能。结果 Al-Mg_2Si复合涂层的电位较AZ31B镁合金基体正,且Al含量越少,电位正移越明显。Al(20%)-Mg_2Si复合涂层的自腐蚀电位正移得最多,正移了0.5288 V;自腐蚀电流密度最小,为3.298×10-6 A/cm2。Al加入量越少,复合涂层的磨损率和摩擦系数越小,当Al质量分数为20%时,两者均达到最小值,分别为2.48×10-4 mm3/(N·mm)和0.25。结论 Al含量越少,Al-Mg_2Si复合涂层的耐蚀和耐磨性能越好。 相似文献
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Age hardening phenomena of rapidly quenched non-combustible Mg−Al−Si−Ca and Mg−Zn−Ca alloys 总被引:1,自引:0,他引:1
Won-Wook Park Bong-Sun You Byoung-Gi Moon Jung-Gyu Park Sung-Chul Yang 《Metals and Materials International》2001,7(1):9-13
Non-combustible Mg−Al−Si and Mg−Zn base alloys containing Ca were rapidly quenched via melt spinning. The melt-spun ribbons
were aged, and then the effects of additional elements on age hardening behavior and microstructural change were investigated.
Age hardening occurred after aging at 200°C in the Mg−Al−Si−Ca alloys mainly due to the formation of Al2Ca or Mg2Ca phases, whereas it occurred in the Mg−Zn−Ca alloys mostly due to the distribution of Mg6Ca2Zn3 and Mg2Ca. With the increase of Ca content, the hardness values of the aged ribbons were increased. In this study, Mg−6Zn−5Ca alloy
showed the maximum peak hardness after aging at 200°C for 1 hour. On the contrary, Mg−xZn−1.5Ca alloys couldn't show the pronounced
peak hardness because of low Ca content. 相似文献
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Cheng Chang PengChen Kuei Chung Bo Hsiung WuMin Hang Weng Chil Chieh HuangJen Fin Lin 《Surface & coatings technology》2011,205(19):4672-4682
In the present study, a-Si/μc-Al/a-Si/SiO2/glass specimens were prepared with various combinations of thicknesses of the μc-Al layer and the two a-Si layers. The effects of μc-Al film thickness, a-Si film thickness, the thickness ratio of Al film to Si films, and the annealing temperature on the metal-induced Si crystallization and void defects formed in the sandwich composite specimens were investigated. A transmission electron microscope (TEM) and an X-ray photoelectron spectroscope (XPS) were used to investigate the diffusion mechanism and efficiency of Si crystallization. When the annealing temperature was sufficiently high, the μc-Al grains diffused into the two adjacent Si layers with a fairly even distribution over the entire sandwich structure. Si crystallization was thus significantly enhanced by the sandwich structure. The Hall carrier mobility of the specimen with a structure of a-Si(500 nm)/μc-Al(50 nm)/a-Si(500 nm) was 80.1 cm2/Vs and the Al carrier concentration was 1.5 × 1018/cm3 at an annealing temperature of 600 °C; no voids were found in the sandwich structure. An increase in the top layer (a-Si) thickness is advantageous for Si crystallization; however, an increase in the third layer (a-Si) thickness degrades Si crystallization. For a given Al film thickness, an excessive increase in the thicknesses of the two a-Si layers degrades Si crystallization even at high annealing temperatures. A thick Al film in combination with two thick a-Si layers leads to a high Hall carrier mobility when the annealing temperature is sufficiently high. An increase in the Si/Al thickness ratio increases the Hall carrier mobility and decreases the Al carrier concentration. 相似文献
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用钼蓝光度法测定铝箔制品中砷的含量 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了用钼蓝光度法准确测定铝箔制品中微量砷(质量分数不大于0.01%)的含量的方法,并对该方法的准确度、误差和影响因素进行了说明,此方法尤其适用于对药品、食品包装用铝箔中有害健康的元素砷的监控。 相似文献