还原氧化石墨烯基纳米银线透明导电薄膜研究进展

透明导电薄膜已广泛应用于印刷电子领域,传统的透明导电薄膜氧化铟锡（ITO）因其高脆性低柔韧性而不能满足高速发展的柔性电子行业;纳米银线（AgNWs）和石墨烯均具有良好光学性能、导电性能以及机械性能,使其能成为制备透明导电薄膜的理想材料。综述了近年来还原氧化石墨烯（rGO）基AgNWs透明导电薄膜的研究进展。介绍了柔性导电薄膜的关键参数及rGO/AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺;归纳了影响rGO/AgNWs透明导电薄膜光电性能的主要因素和相关研究;阐述了rGO/AgNWs透明导电薄膜在印刷电子领域的应用现状,并展望了rGO/AgNWs透明导电薄膜的未来发展趋势。     

石墨烯透明导电薄膜可控制备及实用性研究

新型二维材料石墨烯,因其优异特性被认为是众多领域的理想新型功能材料,其产业化应用是当前及未来的重要研究课题之一。综述了针对性提高石墨烯导电薄膜透光率和导电性能的可控制备的最新研究进展,包括可控制备大尺寸、大面积石墨烯,以及通过掺杂或与其他材料形成复合材料等方法有效提高石墨烯薄膜的光电性能,并对石墨烯透明导电薄膜电极在触摸屏、显示屏等的实用化应用进行了探讨和展望。     

石墨烯透明导电薄膜的研究现状及应用前景

简要概述了石墨烯透明导电薄膜的结构与性质、几种常见的石墨烯透明导电薄膜的制备方法以及潜在应用,对石墨烯透明导电薄膜的研究现状进行了评述。最后,就目前石墨烯透明导电薄膜研究中所面临的问题进行了讨论,并展望了其应用前景与发展趋势。     

有序石墨烯导电炭薄膜的制备

采用Hummers法合成氧化石墨,在水中超声分散获得氧化石墨烯水溶胶,通过微滤法使氧化石墨烯片定向流动组装,制得氧化石墨烯薄膜.再通过化学还原和热处理使所制氧化石墨烯薄膜脱氧重石墨化,保持其形貌时可控制其导电性,制得电导率为184.8S/cm的石墨烯导电炭膜.     

还原氧化石墨烯/碳纳米管透明导电薄膜的制备及性能研究

使用天然植物多酚——单宁酸(TA)作为氧化石墨烯(GO)的还原剂,通过"一步法"实现了对GO的绿色还原和功能化.随后,将TA还原氧化石墨烯(RGO)和碳纳米管(SWCNT)结合起来,共同构筑具有三维结构的石墨烯/单壁碳纳米管(RGO/SWCNT)透明导电薄膜(TCFs).该薄膜有着良好的导电性(透光率为75.1％时,面...     

石墨烯透明导电薄膜技术的专利分析

以Innography专利数据库收录的全球石墨烯透明薄膜技术领域的专利文献为研究对象,通过对专利申请的年度变化、国家、专利权人、专利发明人和国际专利分类号等内容的分析,揭示石墨烯透明导电薄膜技术的发展现状与趋势,为我国石墨烯透明导电薄膜领域的技术创新和战略发展提供参考。     

逐层法制备碳纳米管/石墨烯透明导电玻璃

以可膨化石墨、天然鳞片石墨、膨胀石墨为原料,采用Hummers法制备氧化石墨,采用X射线衍射、扫描电子显微镜对氧化石墨进行表征,分析比较这三种原材料制备氧化石墨的氧化程度。采用逐层自组装法(LBL)在玻璃基底上制得碳纳米管/氧化石墨复合薄膜,并通过水合肼蒸汽还原法将薄膜还原成碳纳米管/石墨烯透明导电薄膜。最后对薄膜的透光性能和导电性能进行比较,发现三种原料制备的导电玻璃中,以膨胀石墨为原料制备的玻璃导电性能最好,12层时达到了59.1kΩ/sq,但透光性却逊于其他两种原料制备的玻璃片。     

透明导电氧化锌薄膜的制备

简单回顾了透明导电氧化锌薄膜的发展历程，着重介绍了各种氧化锌薄膜的制备方法和各自的优缺点，以及改进方案和在实际生产中的应用，分析了透明导电氧化锌薄膜存在的问题和解决问题的思路，最后对于氧化锌这种极具替力的材料进行了展望。     

ITO透明导电薄膜的制备方法及研究进展

概述了透明导电薄膜的分类及ITO薄膜的基本性质,综述了用于制备ITO薄膜的磁控溅射法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法、化学气相沉积法,论述了不同制备方法的优缺点。最后,介绍了ITO薄膜的应用现状,并对ITO薄膜的发展趋势进行了展望。     

氧化锌透明导电薄膜的制备及其特性

氧化锌薄膜的透明导电特性与化学计量偏离和溅射条件有关。以２％氧化铝掺杂的氧化锌陶瓷作靶,采用ＦＲ磁控溅射技术制备的透明导电薄膜,其电阻率４．５＊１０＾－３Ωｃｍ,载流子浓度２．８＊１０＾２０ｃｍ＾－３,霍尔迁移率１５．８ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ平均透射率大于８０％。     

透明导电氧化物薄膜研究进展

综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望.     

ITO透明导电薄膜的研究进展

介绍了ITO薄膜的基本特性和透明导电原理,综述了ITO薄膜主要的制备技术及其研究进展,并指出了不同制备方法的优缺点.还对ITO薄膜晶格常数畸变、载流子浓度上限和最佳掺杂量、红外反射率、光吸收边的移动等基础理论研究进展进行了归纳.今后,还需要在低温或室温ITO薄膜的制备、ITO薄膜的导电机理、纳米尺度ITO材料的特性等方面加强研究.     

碳纳米管透明导电薄膜制备技术的研究进展

介绍了碳纳米管(CNTs)的基本性质.综述了CNT-TCFs的制备工艺,评述了各种工艺的优势与局限,指出了影响CNT-TCFs性能的因素并提出了可能提高其性能的方法,评析了CNT-TCFs的应用前景以及其实现应用面临的挑战.     

碳纳米管透明导电薄膜制备技术的研究进展

介绍了碳纳米管(CNTs)的基本性质,综述了CNTTCFs的制备工艺,评述了各种工艺的优势与局限,指出了影响CNT-TCFs性能的因素并提出了可能提高其性能的方法,评析了CNT-TCFs的应用前景以及其实现应用面临的挑战.     

掺杂ZnO透明导电薄膜研究进展

ZnO基透明导电薄膜是近年来研究的一个热点。总结了近年来掺杂ZnO薄膜,主要有Al掺杂、Ga掺杂、In掺杂和Zr掺杂的一些研究进展,并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展进行了展望。     

磁控溅射法制备掺杂ZnO透明导电薄膜及其研究进展

磁控溅射技术以其显著的优点已成为工业镀膜主要技术之一。充分发挥磁控溅射镀膜技术的现有优势,寻找新的增长点,成为近年来人们研究的热点。介绍了磁控溅射镀膜技术的原理、特点;总结了近来磁控溅射法制备掺杂ZnO薄膜,主要是Al掺杂、Si掺杂、Al-H共掺杂ZnO薄膜的研究进展。并在此基础上对掺杂ZnO透明导电薄膜的发展趋势进行了展望。     

可用于沉积透明导电氧化物薄膜的柔性衬底研究进展

柔性衬底表面沉积TCO薄膜具有许多独特的优点且应用广泛.但柔性衬底存在不耐高温的缺点,如何选择合适的柔性衬底,在表面沉积TCO薄膜过程中至关重要.简单介绍了各种柔性衬底的相关性能,阐述了当前国内外在该领域中各柔性衬底的研究成果,展望了未来柔性衬底的选择及应用趋势.     

柔性透明导电薄膜的制备及其发展前景

随着电子器件向小型化和轻便化方向发展,柔性衬底的透明导电薄膜将成为硬质衬底透明导电薄膜的更新换代产品,因此其研究备受关注.综述了柔性透明导电膜的主要制备技术及其优缺点,阐述了当前该领域的最新研究成果及应用,并讨论了工业应用对柔性透明导电膜的性能要求及其未来发展趋势.     

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2的研究进展

新型透明导电氧化物薄膜Nb-TiO2因其优异的光电性能成为当今研究的热门材料.本文详细阐述了Nb-TiO2薄膜的光电性能、影响Nb-TiO2光电特性的因素与机理以及目前的研究进展、前沿动态等,着重讨论了载流子浓度及其散射过程对光学透过率和导电性能的影响.