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超净硅片表达化学清洗工艺的优化研究 总被引:5,自引:3,他引:2
本采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺,由X光电子能谱(XPS)检测清洗后的硅表面沾污杂质,结果表明,硅表面上主要沾污杂质氧和碳的最低含量 1.6×10^13/和3.1×10^13/cm,均达到超净的水平。本还研究了I号和Ⅱ液对硅片表面沾污的影响 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率. 相似文献
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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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真空紫外光直接光CVD法低温生长SiO_2薄膜及其性质 总被引:5,自引:0,他引:5
使用真空紫外(VUV)光直接光CVD工艺,在低温(50-150℃)下成功地淀积出了优质的SiO2薄膜.测试结果表明:淀积膜的红外吸收峰与高温热生长膜的相符合;氧和硅原子的组分非常接近化学计量比;光折射率在1.42-1.55之间;介电常数大于3.6;击穿电场强度在1e7V/cm的量级;用氯氟酸腐蚀液(参考配方:HF:H2O=1:12)测得膜的平均腐蚀速率约为1.27um/s.试用表明,当使用本实验工艺于硅器件的表面钝化、涂覆及层间隔离,替代PECVD和热CVD工艺时,器件的击穿特性和反向漏电流均明显地改 相似文献
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SIMOX材料的TEM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在注入能量为170keV,注入剂量从0.6×1018/cm2到1.8×1018/cm2范围,改变注入方式,利用TEM技术观察了形成SIMOX的结构.注入剂量为0.6×1018/cm2时,可以获得连续的SiO2埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生;注入剂量为1.5×1018/cm2时,采用双重注入可以获得质量很好的SIMOX结构,顶部硅层仅有较少的穿通位错;注入剂量为1.8×1018/cm2时,三重注入可以获得质量好的SIMOX结构,顶部硅层穿通位错稍多. 相似文献
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本文采用SIMS、TEM、RB等测试手段,分析了注入剂量改变对SIMOX(SeparationbyIMplantedOXygen)材料顶层硅和埋氧化层微结构的影响,研究结果表明,注入剂量低至0.6x1018O+/cm2时,经过1300℃,6小时的高温退火过程,能形成界面清晰的三层结构,得到高结晶度的表面硅层,埋氧化层中存在尺寸较大的硅岛;标准注入剂量(1.8x1018O+/cm2)形成的SIMOX材料表层硅出现明显的缺陷,分析结果表明,注入过程中表面存在的缺陷经高温退火后仍有部分残留,成为最终材料表面缺陷的原因之一;形成低表面缺陷和高绝缘性能埋氧化层的优化注入剂量在注入能形成连续氧化物的临界注入剂量左右。 相似文献
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本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献
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制作光伏型碲镉汞(MCT)探测器PN结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现,低能离子束成结更适合制作长波光伏型MCT探测器。本文报导了低能离子束成结的10.6μm光伏型碲镉汞探测器的性能,衬底为载流子浓度在0.8~6×10 ̄(16)cm ̄(-3)范围的P型MCT材料,离子束能量范围为100~600eV,通过离子束处理,可在P型MCT表面形成一薄层较低载流子浓度的N型区,而制成NP结,利用该技术成结制作的大面积、四象限10.6μmMCT探测器,在-20mV的偏压,80K的温度下,器件的峰值响应率和峰值分别为324.5V/W和1.13×10 ̄(10)cmHz ̄(1/2)/W,每元光敏面积为6.88×10 ̄(-3)cm ̄2。 相似文献
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X射线衍射动力学理论研究As~+注入Si 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用DCD法测量了注入能量为160keV,剂量为1e14~3e16cm-2,退火温度为500~700℃的As+注入Si<111>的Rockingcurve.在建立台阶模型和分布函数的基础上,用XRD动力学理论和最小二乘法拟合实验曲线,得到晶格应变随注入深度的变化,以及在不同退火温度下的恢复情况.实验发现,剂量为1e16cm-2、600℃退火,Rockingcurve出现双峰,说明有固相外延层形成.剂量大于1e15cm-2,呈现了非晶特性. 相似文献
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本文报道了利用低压金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)技术,在(001)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs体材料及In_(1-x)Ga_xAs/InP量子阶结构材料的结果.对于TMG/TEIn源,In_(1-x)Ga_xAs材料的非故意掺杂载流子依匿为7.2×1016cm-3,最窄光致发光峰值半宽为18.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶结构材料测到±2级卫星峰;而对于TMG/TMIn源,非故意掺杂载流于浓度为3.1×10 ̄15cm ̄(-3),最窄光致发光峰值半宽为8.9meV,转靶X光衍射仪对量子阶 相似文献
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用XPS对CdTe(111)面进行化学特性分析 总被引:2,自引:1,他引:1
用XPS化学位移和定量分析方法,研究了露于室温空气中的CdTe(111)面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为TeO2(Te3d5/2575.8eV,O1s530.1eV)和Cd(OH)2(Cd3d5/24051eV.O1s531.4eV)。并与基体里的CdTe共存;经2%Br-乙醇溶液化学抛光,表面上形成的化合物为CdTeO4(Cd3d5/2405.3eV,Te3d5/25765eV,O1s531.2eV)和TeOx(x<1)(Te3d5/2574~575eV,O1s5281eV),并且XPS谱中没有基体里的CdTe的特征,其中TeOX为Te氧化物的过渡态。结果表明,在相同氧化环境中,表面上形成的化合物强烈依赖表面状况。 相似文献
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本文采用各向异性腐蚀和干-湿-干氧化锐化工艺,在n型,(100)晶向、电阻率为3~5Ωcm、3英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达15000个/mm ̄2,硅尖曲率半径小于30nm;在35V收集极电压下,单尖发出电流达0.14μA,其Ⅰ—Ⅴ曲线与F—N公式类似。 相似文献
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2MeV、(1~2)×1014cm-2硅离子注入SI-InP(Fe)造成负的(-3.4×10-4~-2.9×10-4)晶格应变,光快速退火的激活能为0.26eV。880℃/10s退火可得到100%的施主激活。间断两步退火(375℃/30s+880℃/10s)使注入层单晶恢复完全,较大程度(20%~35%)地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在0.5~3.0μm的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻(7.5Ω)高浓度[(2~3)×1018cm-3]的n型导电层。 相似文献