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电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括:NPT-IGBT、PT-IGBT、SDB-IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV-IGBT、HS-IGBT、RB-IGBT。 相似文献
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SIT的原理 SIT(Static Induction Trans-istor)器件是微电子技术和电力技术融合起来的新一代电力电子器件,其优点是不仅可以控制很大的输出功率,而且工作频率大大增加。综合了BJT和VDMOS的优点,而比BJT的工作频率高,比VDMOS的饱和压降小。将其应用于电 相似文献
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介绍了在无线应用中的两种SiGe器件工艺:低压IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数,并且讨论了这些参数对于诸如功放和射频前端电路的影响。 相似文献
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本文报道了用于制造超高速集成电路的0.1μm栅长InP基HEMT器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的T型栅技术。作为该技术应用于集成电路的例子,本文描述了一个噪声系数为2.6dB的50GHz低噪声放大器和一个增益为9dB,带宽为60GHz的分布基带放大器。本文还讨论了挖槽终止层的使用以进一步提高挖槽的重复性。 相似文献
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电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件技术"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。 相似文献
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新型真空器件在武器装备中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
吴海东 《电子产品可靠性与环境试验》2004,(4):53-56
介绍真空电子器件和固态器件组合的新型电子器件——微波功率模块(MPM),以及将微电子工艺应用于传统真空电子器件而出现的真空微电子器件,这两种器件将对下一代武器系统有重要的影响。 相似文献
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张鹏 《信息技术与标准化》2005,(1):19-19
日前,第三届全国电真空器件标准化技术委员会(简称电真空标委会)在北京举行成立大会。国家标准委高新部戴红和信息产业部科技司常利民到会并讲话。大会审议并通过了《全国电真空器件标准化技术委员会章程(草案)》和《全国电真空器件标准化技术委员会秘书处工作细则(草案)》。 相似文献
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功率半导体器件,又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。它可以依照设备的要求变换电源的电压与频率,并能高效率的控制设备的功能,同时将功率送到各个元器件上,最终实现对电能消耗的最佳控制。在节能环保日益被重视的当今,愈加凸显出这种能大幅节约电能、降低原材料消耗的功率器件的重要性。 相似文献
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文章介绍了煤矿机械的工作情况和控制过程,并列举了部分实例效果;同时,对于煤矿井下隔爆型变频器的应用发展问题提出了有针对性的解决途径。 相似文献
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新型电力电子器件IGCT及其应用 总被引:5,自引:0,他引:5
IGCT是一种在大功率开关器件GTO基础上改进而成的新型大功率电力电子器件。和GTO相比,IGCT的关断时间降低了30%,功耗降低40%。IGCT不需要吸收电路,可以像晶闸管一样导通,像IGBT一样关断,并且具有最低的功率损耗。IGCT在使用时只需将它连接到一个20V的电源和一根光纤上就可以控制它的开通和关断。由于IGCT设计理想,使得IGCT的开通损耗可以忽略不计,再加上它的低导通损耗,使得它可以在以往大功率半导体器件所无法满足的高频率下运行。 相似文献
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David Lammers 《集成电路应用》2009,(Z1)
在一篇延期提交到2008国际电子器件会议(IEDM)的论文中,来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台,并介绍了基于锑化铟(InSb)的pFET,其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片,此外其他几家逻辑器件供应商也介绍了他们最先进的工艺技术。 相似文献