全息法研究Mg∶In∶LN晶体波导基片的光损伤

在 L N中掺进 x(Mg O) =3%和 x(In2 O3) =1%、2 % ,用 Czochralski法生长 Mg∶ 1% In∶ L N和 Mg∶2 % IN∶ L N晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值 ,通过质子交换技术 (PE)制备 L N和 Mg∶ In∶ L N晶体光波导基片 ,用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明 ,PE∶ Mg∶ 1% In∶ L N的光损伤阈值比 PE∶ L N提高 2个数量级以上 ,PE∶ Mg∶ 2 % In∶ L N的光损伤阈值比 PE∶ L N提高 3个数量级以上。     

Yb∶YAG晶体荧光性能的调控研究

为了对Yb∶YAG晶体荧光性能进行调控以使其更好地应用于高能脉冲型激光器,结合密度泛函理论和晶体场理论,对掺杂调控后的Yb∶YAG晶体的电子结构、光谱学性质进行了理论计算,分析了不同粒子掺杂和占据格位情况下Yb∶YAG晶体的荧光性能,并在此基础上计算配方完成晶体生长实验、制备样品进行荧光性能测试验证。结果表明,通过以上过程掌握了Yb∶YAG晶体荧光寿命等参数的调控方法,共掺Cr后的Yb∶YAG荧光寿命可以从1.18 ms降低至0.94 ms。该研究为Yb∶YAG晶体实现高能脉冲激光应用奠定了理论和实验基础。     

制备工艺条件对薄膜微结构的影响

用不同的方法在石英玻璃,YAG晶体,K9玻璃和LiNbO3晶体等几种衬底上制备了ZrO2,HfO2和TiO2薄膜。HfO2薄膜利用电子束蒸发(EB)、离子束辅助(IAD)和双束离子束溅射(DIBS)三种方法沉积。对其中的一些样品进行了不同温度下的退火处理,对所有的样品进行X射线衍射(XRD)测试,以获得不同条件下得到的薄膜的晶相及晶粒尺寸等的微结构参数。实验结果表明,薄膜的晶相结构以及晶粒尺寸强烈地依赖于沉积过程的各种技术参数,如衬底的种类、沉积温度、沉积方法和退火温度。利用薄膜表面扩散以及薄膜成核长大热力学原理解释了不同技术条件下的晶相结构和晶粒尺寸不同的原因。     

Mn∶Fe∶LiNbO3晶体光折变效应的研究

在LiNbO3中掺入Fe2O3和MnCO3生长Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,对晶体进行极化处理及氧化还原处理.测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度.结果表明,经还原处理的Mn∶Fe∶LiNbO3晶体是优良的全息存储介质材料.     

硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响

采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜，再氮化反应组装GaN晶体膜，并对其生长条件进行了研究。用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明，采用此方法可得到六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。镓浓度在影响膜层质量方面起着不可忽视的作用，随着扩镓浓度的增加，薄膜的晶化程度和发光特性明显提高。     

新型金属铟酞菁酯的光学非线性和光限幅特性

文中介绍了一种新型金属铟酞菁酯化合物的合成方法。为了研究该化合物的非线性光学性质,在532 nm波长下,分别使用皮秒和纳秒脉冲对样品进行了Z扫描测试。实验结果表明该样品在皮秒和纳秒时域都有很强的反饱和吸收以及非线性正折射。对Z扫描实验数据进行数值模拟分别得到样品在皮秒和纳秒脉冲作用下等效的三阶非线性吸收系数和三阶折射率:ps=4.110-11m/W,ps=4.510-19m2/W 以及ps=5.110-9m/W,ps=1.510-16m2/W。分析讨论了激发态能及对该化合物非线性光学性质的影响,并使用纳秒脉冲激光对样品进行了光限幅测试,在T/T0=0.5时,阈值为2.0J/cm2,实验结果表明该样品拥有良好的光限幅性能。     

Fe2+∶ZnSe激光晶体光学吸收及激光输出性能

采用热扩散掺杂技术制备了Fe2+∶ZnSe晶体,测试晶体样品中铁离子浓度达1.27×1018cm-3。分析了Fe2+∶ZnSe晶体光谱的光学吸收特性,在室温条件下,采用2.90μm激光器泵浦Fe2+∶ZnSe晶体,获得了中心波长4.45μm,平均功率67 mW的中红外激光输出。     

铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法

为了解决铈掺杂稀土卤化物单晶中内部热应力大、难于加工的技术难题,该文提供了一种针对铈掺杂稀土卤化物单晶的原位退火处理方法。利用该方法对尺寸为?25.4 mm×25.4 mm和?76.2 mm×76.2 mm的Ce∶LaBr_3晶体进行退火处理,晶体经过切割、滚圆、研磨、抛光、封装等工艺过程后,均未出现开裂的现象。通过测试以上两种Ce∶LaBr_3器件能量谱图,其能量分辨率分别为2.92%和3.02%,该工艺未对晶体的闪烁性能造成影响。实验结果表明,该文提出的铈掺杂稀土卤化物单晶原位退火处理方法,可有效地消除晶体内部的热应力,并改善其机械性能,这对提高晶体加工成品率具有重要意义。     

低能量泵浦Nd:YAG激光晶体性能

国外关于Nd∶YAG晶体激光性能的检测很少报导,从文献上所能看到的多半是激光器件数据;测试晶体棒性能的方法和条件也不清楚。因此国内研制Nd∶YAG晶体的水平也无法测试比较。今春,上海光机所将一根Nd∶YAG激光棒送到美国休斯飞机公司进行了单脉冲激光性能测量;同时同该公司的产品作对比测量。这是我国第一次得到美国的测试数据。美国休斯公司的测试结果(1)测试条件谐振腔长470毫米(18.5英寸);输出端反射率R=45％;     

电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法.通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果.