LiNbO3:Fe:Rh晶体近红外非挥发全息记录

采用双中心记录方案在双掺杂LiNbO3:Fe:Rh晶体中实现了近红外非挥发全息记录,研究了LiNbO3:Fe:Rh晶体在633 nm,752 nm,799 nm波长下的全息记录性能.结果表明,在使用近红外记录光时,其记录灵敏度随敏化光强的变化趋势与双中心短波长记录时的不同.通过和LiNbO3:Fe:Mn等传统双掺杂铌酸锂晶体的近红外波段记录效果对比,发现同时掺杂Fe和Rh可增强晶体对近红外光的吸收,获得更高的浅中心Fe光生伏特系数,从而能够在LiNbO3:Fe:Rh晶体中实现近红外波段的光折变全息记录.     

Zr:Fe:LiNbO3晶体的关联存储性能

为了测试Zr:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变阈值、位相共轭和全息关联存储性能,采用Czochralski方法生长Zr:Fe:LiNbO3晶体。通过实验得出Zr:Fe:LiNbO3晶体红外光谱对应的OH-吸收峰移到3488cm-1;随着Zr4+摩尔分数的增加,Zr(摩尔分数xZr=0.06):Fe:LiNbO3晶体抗光折变阈值比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级以上,且晶体的位相共轭响应速度增加,而位相共轭反射率有所下降,Zr(xZr=0.02):Fe:LiNbO3晶体响应速度比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级;另外,以Zr(xZr=0.04):Fe(质量分数wFe=0.0003):LiNbO3作为存储介质,Zr(xZr=0.06):Fe(wFe=0.0003):LiNbO3晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,在输出平面上接收到较完整的存储图像。结果表明,Zr:Fe:LiNbO3晶体具有强的抗光折变能力与优良的关联存储性能。     

Mn∶Fe∶LiNbO3晶体光折变效应的研究

在LiNbO3中掺入Fe2O3和MnCO3生长Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,对晶体进行极化处理及氧化还原处理.测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度.结果表明,经还原处理的Mn∶Fe∶LiNbO3晶体是优良的全息存储介质材料.     

LiNbO3：Fe：Mn晶体非挥发全息存储性能的理论研究

以双中心模型为基础,研究了连续光条件下LiNbO3:Fe:Mn晶体在稳态情况下的非挥发双色二步全息存储性能.在各种实验条件下通过比较双中心模型中深(Mn2 /Mn3 )、浅(Fe2 /Fe3 )能级之间所有可能的电子交换过程,发现由深浅能级之间直接电子交换过程所导致的隧穿效应对LiNbO3:Fe:Mn晶体总的空间电荷场的大小起着决定性的作用.同时,这一电子交换过程对晶体非挥发全息存储性能也起着至关重要的作用.     

Mn：Fe：LiNbO3晶体光折变效应的研究

在LiNbO3中掺入Fe2O3和MnCO3生长Mn:Fe:LiNbO3晶体，对晶体进行极化处理及氧化还原处理。测试晶体的吸收光谱，指数增益系数，衍射效率和有效载流子浓度。结果表明，经还原处理的Mn:Fe:LiNbO3晶体是优良的全息存储介质材料。     

LiNbO3∶Fe∶Rh晶体近红外非挥发全息记录

采用双中心记录方案在双掺杂LiNbO3∶Fe∶Rh晶体中实现了近红外非挥发全息记录,研究了LiNbO3∶Fe∶Rh晶体在633 nm,752 nm,799 nm波长下的全息记录性能。结果表明,在使用近红外记录光时,其记录灵敏度随敏化光强的变化趋势与双中心短波长记录时的不同。通过和LiNbO3∶Fe∶Mn等传统双掺杂铌酸锂晶体的近红外波段记录效果对比,发现同时掺杂Fe和Rh可增强晶体对近红外光的吸收,获得更高的浅中心Fe光生伏特系数,从而能够在LiNbO3∶Fe∶Rh晶体中实现近红外波段的光折变全息记录。     

LiNbO3:Fe:Ni晶体非挥发全息存储研究

采用三种不同的双光记录方案进行了LiNbO3：Fe：Ni晶体全息存储实验．详细研究了饱和衍射效率、固定衍射效率、动态范围和记录灵敏度，以及退火条件对记录的影响。结果表明，氧化LiNbO3：Fe：Ni晶体的饱和衍射效率、固定衍射效率和记录灵敏度比其他报道的双掺杂LiNbO3晶体高。结合掺杂能级图，理论分析了LiNbO3双掺杂晶体深陷阱中心能级的相对位置及其微观光学参量对全息记录性能的影响。LiNbO3：Fe：Ni晶体有望成为一种新的高效率非挥发全息存储材料。     

Zr：Fe：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

生长并测试了Zr∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变损伤阈值及全息存储性能。研究发现,6%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体抗光折变损伤阈值比Fe∶LiNbO3晶体高1个数量级,红外光谱中OH-吸收峰也从Fe∶LiNbO3晶体的3 483 cm-1移到3 488 cm-1。其全息存储性能除衍射效率比Fe∶LiNbO3晶体轻微下降外,写入时间、擦除时间和光折变灵敏度皆优于Fe∶LiNbO3晶体,尤其是其中2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体的动态范围比Fe∶LiNbO3晶体高2.5倍,用2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体作为全息存储介质,实现了晶体中一个公共体积中1 000幅数字图像体全息图的存储与恢复。     

近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体的非挥发全息存储

为了研究近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体的非挥发全息存储固定,测试了晶体的光谱特性,发现近化学计量比Ce:Fe:LiNbO3晶体较同成分Ce:Fe:LiNbO3晶体的红外透射谱变窄,峰值位于3466cm-1处;而紫外光谱发生紫移。并采用单、双光子存储方法进行了理论分析和实验验证。结果表明,单光子照射实验中,用汞灯预照晶体比不用汞灯预照的衍射效率要高;而双光子存储的性能参量明显优于单光子存储的性能参量。     

对LiNbO3:Fe:Mn晶体非挥发全息存储的理论研究

以双中心模型为基础,理论研究了LiNbO3∶Fe∶Mn晶体在稳态情况下的非挥发双光双步全息存储性能.采用数值方法,通过比较深(Mn2+/Mn3+)、浅(Fe2+/Fe3+)能级之间所有可能的电子交换过程,发现由隧穿效应引起的深浅能级之间直接电子交换过程对总的空间电荷场的大小起着决定性的作用.同时,这一电子交换过程对晶体非挥发全息存储性能也起着至关重要的作用.此外,还从理论上证实晶体中总的空间电荷场的大小主要由深能级的空间电荷场所决定.     

对不同组份LiNbO3：Fe非挥发全息存储的研究

以双中心模型为基础，研究了同成份和近化学比掺铁铌酸锂晶体在稳态情况下的非挥发双色二步全息存储性能．通过比较在相同记录条件下同成份（锂的摩尔浓度为48．5％）与近化学比（锂的摩尔浓度为49．5％）掺铁铌酸锂的总空间电荷场的大小可以看到，在连续光所能达到的光强范围内，近化学比LiNbO3：Fe的总空间电荷场明显大干同成份LiNbO3：Fe的总空间电荷场．但是在高光强下，同成份与近化学比LiNbO3：Fe都可以达到10^6V／m量级的光致空间电荷场．     

双掺杂LiNbO3:Fe:RU晶体的全息读出特性

为了解决读出过程中全息数据的擦除问题，研究了新型双掺杂LiNbOa：Fe：Ru晶体的全息读出特性。分析了双中心和单中心记录方案光栅的读出特性，并联立双中心物质方程和耦合波方程进行了模拟计算。结果表明，双中心记录所得到的饱和全息的读出时间常数远低于LiNbO2：Fe：Mn晶体的读出时间常数；单色光记录可以实现有效的全息，且其读出时间常数远大于记录时间常数，表现为准态非挥发读出。分析表明，这可能由于Ru的能级比Mn更靠近Fe，更易被红光激发，从而使得双中心记录所得饱和光栅的存贮持久性降低；单色光记录中红光能够同时充当记录光和抽运光，记录过程中红光能够在Fe上记录光栅并将其转移到Ru上，而在读出过程中则由于Ru能级较深，擦除缓慢。     

LiNbO3:Fe晶体光栅擦除特性

在光折变过程中，光波对掺杂中心的激发系数S是一个重要的物理量。为了求出光激发系数S对波长A的依赖，研究了在不同的擦除波长条件下，记录在光折变晶体LiNbO3：Fe中的光栅衰减特性。实验结果表明lnP（P为光擦除灵敏度）与擦除波长λ呈线性关系，即波长越短，光栅擦除越快，光擦除灵敏度越高。在单中心电子带传输模型的基础上，理论计算也证实了实验结果。利用带传输模型，给出了理论上光激发系数S对波长的指数依赖关系。同时微观量φμγ（φ为量子效率）也可由光栅擦除实验求出。     

用Fe:LiNbO_3的实时散斑错位干涉仪

报道一种实时散斑错位干涉仪的实验室装置。采用Fe:LiNbO_3晶体作散斑照相的记录介质。晶体掺Fe量为0.1％摩尔,对λ=488nm波长的透过率<5％。进行散斑照相的同时在Fe:LiNbO_3晶体上形成象全息图。用此装置可以实时地测量物体的形变以及进行实时无损检验。     

Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

光折变晶体Ce：LiNbO3的光学性质及其应用

本文介绍了Ce:LiNbO_3晶体的光学性质,并与Fe:LiNbO_3晶体作了对比,同时用该晶体做了相衬法有关实验。