柔性OLED显示及封装技术的研究

有机发光二极管(OLED)是最具发展潜力的显示技术之一,而器件的使用寿命短的缺点影响了OLED的发展.有机电致发光器件在柔性衬底上的制备是下一代显示技术发展的重要方向.介绍了柔性OLED及封装技术和金属薄片、聚合物基片及超薄玻璃—聚合物系统的特点,OLED器件的有效封装可以延长器件的寿命.     

有机电致发光器件封装技术的研究进展

有机电致发光显示器件(OLED)被认为是最有潜力的平板显示器件之一.由于OLED具有低驱动电压、高亮度、宽视角及超薄等优点,逐渐成为各国研究的热点.OLED对水分和氧气都非常敏感,进入到器件内部的水分和氧气会严重影响器件的寿命,因而影响OLED的产业化发展.OLED器件的有效封装能延长器件的寿命.综述了玻璃衬底、柔性衬底OLED封装技术的研究现状,以及不同封装的优缺点.     

柔性OLED器件薄膜封装研究

把有机发光二极管(OLED)制备在柔性基底上,以此来实现柔性显示是未来显示技术发展的一个重要方向。但柔性基底相对于玻璃基底来说对水、氧气的阻挡能力较弱。为了延长柔性OLED器件寿命,就需要在柔性基底上进行有效的封装。文章首先介绍了柔性OLED的器件结构和常规的封装方法,然后重点介绍了目前比较热门的Barix封装技术以及ALD技术,这两种技术都能够对器件进行有效的封装,将薄膜阻挡层的水汽渗透率降到一个较低的范围内,能够满足OLED在柔性显示和发光方面的需要,但是在效率和成本方面仍然需要进一步的改善。     

OLED封装薄膜水汽透过率测试方法研究

柔性显示是未来显示技术的重要发展方向之一,有机电致发光二极管(OLED)能否实现柔性应用依赖于薄膜封装技术的发展,而封装薄膜的水汽阻隔性能,标志着薄膜封装性能的好坏。介绍了OLED器件失效的原因,封装的必要及其对于封装的要求,重点介绍并分析了3种常用的OLED测试水汽透过率(WVTR)的方法,库伦电量法、重水法以及钙法。     

OLED封装技术进展

有机电致发光器件(OLED)因具有较多的优点,在显示领域有着光明的前景,其最大的优越性在于能够实现柔性显示,制作成柔性有机电致发光二极管(FOLED).OLED对水蒸气和氧气非常敏感,渗透进入器件内部的水蒸气和氧气是影响OLED寿命的主要因素,因此,封装技术对器件非常重要.对现有的主要的FOLED衬底材料和封装方法进行...     

柔性OLED封装方法的研究靠

有机电致发光二极管与其他显示器件相比,最大的优势就是可以制备在聚合物基板上,实现柔性显示,但聚合物对水、氧的阻挡能力远不如玻璃.因此,为了延长柔性OLED器件寿命,就要在柔性器件的基板和盖板上制作薄膜阻挡层,进行有效的封装.介绍了OLED的封装方式的进展,并提出了一些柔性OLED的封装方案.     

有机电致发光器件(OLED)的封装技术研究

有机电致发光显示器(OLED)对水汽和氧气非常敏感,渗入OLED器件内的水汽和氧气会和有机功能层及电极材料发生反应而影响器件寿命。为此,文中根据OLED器件对封装材料的要求,分析了OLED器件封装技术,重点介绍了薄膜封装技术的研究现状。     

有机发光器件(OLED)封装技术的研究现状分析

有机发光器件(OLED)诞生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点。从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻想的柔性显示也成为了现实。新的有效封装方法的出现使有机发光器件从实验室走进了人们的日常生活,并有望成为下一代显示器的主流。文章重点介绍了当今主要的封装技术和方法,提出了结合传统后盖式封装和薄膜封装的混合封装方法。     

有机发光器件(OLED)封装技术的研究现状分析

有机发光器件(OLED) 生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点.从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻想的柔性显示也成为了现实.新的有效封装方法的出现使有机发光器件从实验室走进了人们的日常生活,并有望成为下一代显示器的主流.文章重点介绍了当今主要的...     

Te薄膜封装层对有机电致发光器件寿命的影响

采用Te薄膜封装层作为OLED(organic light emitting diode)器件的保护层,以达到延长器件使用寿命的目的.在高真空(3×10-4Pa)条件下,利用真空蒸镀的方法,在绿光OLED多层器件各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层Te薄膜封装层,然后再按一般的方法进行封装.对比了一般封装与增加Te薄膜封装层后器件的性能,封装过程均未加干燥剂.研究发现,未加Te薄膜封装层器件的半衰期为2 880 h,增加Te薄膜封装层后器件的半衰期接近5 800 h.由此可见,Te薄膜封装层的增加将使器件的寿命延长两倍多.并且所增加的Te薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、色坐标等光电性能.     

裸芯片封装技术的发展与挑战

随着IC制造技术的发展,传统的封装形式已经不能够满足集成电路对于高性能、高集成度、高可靠性的要求。裸芯片由于其本身具有的特点而被广泛应用于HIC/MCM等新型的封装形式中。文章的目的在于分析使用裸芯片所带来的技术优势和存在的一些不足之处,使得人们能够更加客观地看待一种新的技术,并且扬长避短地利用好它。一方面裸芯片的引入能够提高系统集成度和速度,这是裸芯片应用技术发展的必然性;另一方面针对裸芯片应用技术存在的问题,文章着重介绍了两种解决方法,即通过发展KGD技术和改进工艺的方法来提高裸芯片的质量和可靠性。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

无机微/纳米粒子表面包覆改性技术

综述了无机微/纳米粒子表面包覆的形成机理,从有机和无机包覆两个方面阐述了无机微/纳米粒子表面改性技术的研究进展,对偶联剂改性、表面接枝聚合法、机械混合法、球磨法、溶胶-凝胶法等常用的包覆方法一一进行了介绍和举例,并提出了超细无机粒子的包覆改性中存在的几个亟待解决的问题.     

BGA 再流焊技术

随着科学技术的飞速发展,电子器件封装的小型化技术也得到很大的提高,元器件的组装密度越来越高。IC封装向着集成化、高性能化、多引线、面阵列端子型封装和裸芯片组装方向发展,这已经远远超出传统电路的SMT组装技术。本文着重从BGA器件的封装形式、再流焊技术以及检测三方面进行详细讨论。     

基于空封技术的白光数码管实现方法研究

为了应用空封技术实现白光数码管,在此介绍了一种利用蓝光芯片与黄色荧光粉混合形成白光的实现方法。并在传统工艺的基础上,去掉环氧树脂灌封、高温固化2个生产环节,采用丝印技术、网板印刷以及电子喷墨印刷,制作特制的荧光粉贴膜,再通过铝丝的防氧化和钢化处理,使数码管的发光反射达到均匀,从而完成空封制作过程。通过比较,得出应用空封技术比应用传统工艺制作数码管的光通量衰减低而数码管寿命长的结果。结果表明,基于空封技术的白光数码管在技术指标方面有一定提高,成本也有较大降低。     

有机电致发光器件薄膜封装研究进展

有机电致发光器件(OLEDs)对水汽和氧气非常敏感,渗入OLEDs内的水汽和氧气会腐蚀有机功能层及电极材料,严重影响器件寿命。文中根据OLEDs对封装材料的要求,分析了目前最有前景的OLEDs封装技术———薄膜封装,重点介绍了薄膜封装的分类和研究现状。     

集成电路封装高密度化与散热问题

各种电子器件的封装形式及性能不断提升,IC封装技术向SIP发展,器件的发热密度越来越高,过热问题已成为目前电子元器件技术的发展瓶颈。文中从封装趋势及应用两方面来说明散热问题的影响及挑战。从封装发展最新趋势SIP的概念出发,介绍相关的概念及散热的影响,其次介绍CPU及存储器封装两类重要电子器件的发展趋势,及其面临的散热问题。