准确时序递归最小二乘问题的分块快速算法

本文提出了分块实现准确时序递归最小二乘(LS)问题的快速算法。它与Cioffi(1986)分块递归算法的区别在于该算法是准确递归的(最佳的)而不是近似递归的(次最佳的)。在一定意义下,其收敛速度与普通递归LS算法相同,但平均计算量仅为目前计算量最小的递归LS算法(如Kalouptsdis,1983;Cioffi,1984)的2/7～1/5。由于算法的迭代形式发生了根本性的变化,其数值稳定性也将比快速Kalman算法(Mueller,1981),FAEST算法(Kalouptsdis,1983)和FTF算法(Cioffi,1984)有较大改善。此外,作者结合自适应均衡和AR参数识别,说明了本算法的具体应用。     

基于像素的背景建模方法综述

将背景减法中应用的基于像素的背景建模方法分为递归和非递归两类,分别对它们的算法进行综述,总结它们适用的场合和更新状况;并对各种算法性能从精确度、时、空复杂度3个方面进行比较;最后对背景建模方法的发展和应用方向作总结和展望。     

核递归最小平均P范数算法

在强脉冲噪声干扰背景中,核递归最小二乘(Kernel Recursive Least Square,KRLS)算法和核递归最大相关熵(Kernel Recursive Maximum Correntropy,KRMC)算法对非线性信号预测性能严重退化,对此提出一种核递归最小平均P范数（Kernel Recursive Least Mean P-norm,KRLMP）算法。首先运用核方法将输入数据映射到再生核希尔伯特空间。其次基于最小平均P范数准则和正则化方法,推导得到自适应滤波器的最佳权向量,其降低了非高斯脉冲和样本量少的影响。然后利用矩阵求逆理论,推导得到矩阵的递归公式。最后利用核技巧得到在输入空间高效计算的滤波器输出和算法的迭代公式。alpha稳定分布噪声背景下Mackey-Glass时间序列预测的仿真结果表明:KRLMP算法与KRLS算法和KRMC算法相比,抗脉冲噪声能力强,鲁棒性好。      

递归算法的分析与应用

随着软件应用中程序编写的复杂性和问题规模的扩大性,递归算法已被应用的越来越广泛,只有掌握递归的思想和了解递归的特点,才能将问题分析的更透彻,提取复杂问题中的核心点,最终用递归算法将问题简单化。本论文的目的是分析递归算法,同时介绍递归算法在构造树或图中搜索以及折半查找算法中的应用。     

递归余数和算法分析

本文介绍了递归余数和算法,并对递归余数和算法进行了分析。     

任意长离散余弦变换的快速递归算法

该文基于Clenshaw递归公式以及离散余弦自身的对称性提出任意长离散余弦变换(DCT)的一种并行递归快速算法,给出了该算法的滤波器实现结构;与现有的其它递归算法以及基于算术傅里叶变换的余弦变换算法进行了计算复杂度的比较分析,结果表明该文算法运算量大大减少。该递归计算的滤波器结构使算法非常适合大规模集成电路(VLSI)实现。     

递归算法在程序设计中的应用与分析

递归是程序设计中的一种重要机制,几乎所有的问题都可以借助递归的框架予以表达,更重要的是借助递归可以把一些貌似复杂的问题用紧凑形式表示出来,可读性好。本文阐述了递归适用范围与递归设计方法,通过案例,重点分析了递归算法的非递归化。     

一种改进的递归余数和算法

介绍了递归余数和算法，提出了一种改进的递归余数和算法，新算法在递归余数和算法的基础之上的使速度进一步提高，与传统的ＢＲ算法相比，新算法的速度提高了６０％以上。     

递归算法的分析与应用

随着软件应用中程序编写的复杂性和问题规模的扩大性,递归算法已被应用的越来越广泛,只有掌握递归的思想和了解递归的特点,才能将问题分析的更透彻,提取复杂问题中的核心点,最终用递归算法将问题简单化。本论文的目的是分析递归算法,同时介绍递归算法在构造树或图中搜索以及折半查找算法中的应用。     

基于Fp-Tree频繁模式的挖掘算法

Fp-Tree算法在挖掘最大频繁模式和搜索关联规则中得到了广泛应用。本文阐述了Fp-Tree算法的一般过程,并对其效率瓶颈作了分析:传统的Fp-Tree算法在构建频繁树的过程中需要递归地插入频繁项,在频繁模式的挖掘过程中需要递归地产生条件FpTree,这些递归过程会增大算法开销,降低算法效率。本文使用非递归机制对Fp-Tree的构建过程做了一些改进,同时,在挖掘频繁项过程中使用了组合频繁前缀的方法,避免了条件Fp-Tree的产生。本文就改进算法与传统算法作了对比实验,可以看出,这些改进一定程度上提高了效率。     

织构对铟凸点剪切强度的影响

制作了2种形式的铟凸点：即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。同时对比了铟柱和铟球2种凸点的剪切强度，测试结果表明铟球剪切强度为5.6MPa，铟柱的剪切强度为1.9MPa，前者约为后者的2.9倍。对铟凸点微观结构的X光衍射分析发现：铟柱剪切强度低是织构弱化所致；铟球剪切强度高是由于回流破坏了铟柱的理想（101）丝织构模式，从而提高了铟球的剪切强度。     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

Structural and electrical properties of co-evaporated In, Ga-rich CIGS thin films

The CIGS thin films are prepared by co-evaporation of elemental In, Ga and Se on the substrates of Mo-coated glasses at400℃ followed by co-evaporation of elemental Cu and Se at 550℃. We study the structural and electrical properties usingXRD, XRF and Hall effect measurements. In general, Cu(In,Cra)5Se8 phase exists when Cu/(In Ga) ratio is from 0.17 to0.27, Cu(In,Ga)3Se5 phase exists for Cu/(In Ga) ratio between 0.27 and 0.41, Cu2(In,Ga)4Se7 and Cu(In,Ga)2Se3.5 phasesexist for Cu/(In Ga) ratio between 0.41 and 0.61, and OVC(or ODC) and CuIn0.7Ga0.3 Se2 phases exist when Cu/(In Ga)ratio is from 0.61 to 0.88. With the increase of Cu/(In Ga) ratio, the carrier concentrations of the films gradually increase,but the electrical resistivity gradually decreases.     

CdO对In2O3电导和气敏性能的影响

为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。     

Indium out-diffusion from silicon during rapid thermal annealing

The out-diffusion of indium (In) from In-implanted silicon (Si) samples that includes bare Si, samples with an oxide-cap layer, nitride-cap layer, and nitride/oxide/Si sandwiched samples, is investigated. The dose loss of In with respect to different implant energies, doses, and soak times during rapid thermal annealing (RTA) is quantified. Experimental results of bare Si samples show that over 90% of In out-diffusion happens within 1 sec of soak time in the RTA process. In the capped samples, In rapidly diffuses through the oxide layer and stops at the nitride/oxide interface. In gets piled up at the interface of Si/oxide and oxide/nitride, and nitride very efficiently prevents In out-diffusion from the oxide layer out to the nitride layer. In addition, In gets more segregated in the Si surface in the presence of boron.     

MOOC制作技术标准研究

本文对MOOC的发展现状做出了介绍.针对MOOC中存在的问题,本文提出了课程评定、课程监督和课程反馈这三种解决方案.除此之外,本文还对影响课程的小细节做出了介绍.     

电力电子装置的EMC设计

为了保证电力电子装置具有良好的电磁兼容性,在产品的设计初期就应当进行EMC设计,这时所花费的代价最低.本文分析了电力电子装置产生电磁干扰的三个要素,提出了针对性的EMC抑制措施,从系统接地、隔离、合理的结构布局和布线、屏蔽、滤波方面进行了EMC设计的分析,对电子设备的电磁兼容性设计提供了一定的参考方法.     

Soldering reactions between In49Sn and Ag thick films

The interfacial reactions between In49Sn solders and Ag thick films at temperatures ranging from 200°C to 350°C have been studied. The intermetallic compound formed at the Ag/In49Sn interface is Ag₂In enveloped in a thin layer of AgIn₂. Through the measurement of the thickness decrease of Ag thick films, it has been determined that the reaction kinetics of Ag₂In has a linear relation to reaction time. Morphology observations indicated that the linear reaction of Ag₂In was caused by the floating of Ag₂In into the In49Sn solder as a result of the In49Sn solder penetrating into the porous Ag thick film. A sound joint can be obtained when a sufficient thickness of the Ag thick film (over 19.5 μm) reacts with the In49Sn solder. In this case, the tensile tested specimens fracture in the In49Sn matrix.     

掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

采用磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行。通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源。结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小;此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系。     

Boron retarded diffusion in the presence of indium or germanium

Experimental results of germanium (Ge) and indium (In) preamorphization by ion-implantation show that the diffusion of boron (B) is retarded by the presence of Ge or In and that this retardation is more important than the preamorphization (dechanneling) effect. Result shows that In retards B diffusion more than Ge and the retardation effect due to In becomes greater with increasing retained dose of In. Larger In doses cause larger strain, which results in more B being tied up in immobile clusters near the surface. In order to achieve adequate retained dose of In, the implanted dose of In must be increased to 5/spl times/10/sup 15/ cm/sup -2/. After anneal, the junction depth (at 10/sup 18/ cm/sup -3/) is reduced from 628 /spl Aring/ in the control wafer (no In co-implant) to 480 /spl Aring/.