双Y结四端低损耗环行器系列

本文介绍用于高性能常温参放的双丫结四端带线低损耗环行器系列化产品。该系列产品的工作带宽分别对应于国际通信卫星、区域性通信卫星、侦察卫星、直播电视卫星和超远程雷达接收机的标准频段。产品的典型性能为:插损≤0.1dB;隔离≥35dB;驻波比≤1.10。并具有可折卸式接头和隔直流负载,便于参放加偏压和一体化连接。其中 HHCD1型四端环行器经上海标准计量局鉴定,单结插损≤0.098dB;双结插损≤0.205dB,采用该器件的常温参放噪声温度仅为50K。     

薄膜集成集总元件环行器

介绍一种采用“空气隔离”工艺,可用于微波集成电路(MIC)的双调谐集总元件环行器。对同相激励本征电感和寄生电抗进行分析,使器件设计值与实验结果较一致。又对样品背面的宽带接地网络,特别是对“隙缝”电容作用考虑,简化了电路,而仍能宽带工作。环行器芯片如钮扣,能方便地同其它MIC元件连接。器件使用的旋磁样品被一种特殊的放射状磁化场磁化,旋磁样品和永磁体共约3克。在f_o=1.5GHz,反向损耗α__≥20dB,相对带宽Δf/f_o≥30％环行器工作温度为-40～ 55℃,耐冲击加速度100g。给出了一支工作在-55～ 70℃,20dB反向损耗和带宽43％的环行器特性。环行器内接匹配负载制成的集成隔离器通过功率(?)≥4W。     

E面环行器的设计和性能

前言虽然E面环行器对毫米波印制电路(鳍线)的集成化作出了很大的贡献,但是比起H面环行器来,它们还没有得到普遍承认。无疑,这是因为鳍线只适应E面结而波导却同样适应于H面结的缘故。H面环行器之所以受到偏爱,还因为它们的带宽比较宽。然而,在毫米波频段E面环行器却具有尺寸小、插损低并有可能承受高的功率电平等优点。采用鳍线已经制出了100 GHz的完整的雷达前端(不包括     

一种Ka波段高功率微带隔离器设计

设计了一种工作在Ka波段、带宽为4 GHz、功率容量为2 W的微带隔离器.此隔离器要求的工作频带宽,外形尺寸小,功率容量大.通过对微带隔离器工作模式分析,对环行器部分和负载部分进行设计,采用双Y结环行器电路设计和蛇形开路负载设计,以达到增大带宽和提高功率容量的目的.建立初步仿真模型,并通过HFSS软件进行全波仿真优化,最终设计的隔离器性能为:电压驻波比≤1.45,正向损耗≤1.2 dB,反向损耗≥15 dB,承受功率2 W,外形尺寸为5 mm×5 mm×4 mm,满足通信系统应用要求.     

K_L波段锁式铁氧体开关

根据波导环行器理论研制了K_L波段波导锁式铁氧体开关。器件结构采用了简单、紧凑的三角形样品,其性能为:开关时间小于1μs、开关速度述2.1×10次/秒、插损小于0.3dB、隔离大于20dB、输入电压驻波系数小于1.25、工作频率达800MHz。     

X波段铁氧体微带环行器阵列封装设计与仿真

对一种新型的X波段瓦片式相控阵雷达中铁氧体微带环行器阵列(4×4)封装结构展开研究,设计了一种小体积、高密度的微带环行器阵列封装形式。基于HFSS三维仿真软件对该环行器阵列进行仿真,在满足其环行功能的同时,实现了环行器与天线和T/R组件的垂直互联。仿真结果表明,在8.7～12 GHz范围内,环行器阵列正向插入损耗(S12)小于0.52 dB,反向隔离度(S21)和回波损耗(S11)均大于20 dB。     

V波段高频高功率波导隔离器设计

介绍了一种V波段高功率波导隔离器的设计方法,通过对高阶模和结式环行器工作原理的分析,利用HFSS仿真软件优化设计,并采用ANSYS热力学软件来校核功率容量,最终研制出的隔离器主要性能为:工作频率:59.5～63.5 GHz,电压驻波比≤1.22,插入损耗≤0.45 dB,隔离度≥22.4 dB,功率容量≥35 W,满足...     

帶状线锁式铁氧体开关

铁氧体环行器,可以利用具有矩形磁滞回线的铁氧体材料和“旋矩”铁氧体材料,构成一个磁回路,以此回路的剩磁作环行器的工作场,并借助使剩磁由“+Br"改变为“-Br”,即改变激励电流脉冲的极性,而获得锁式开关的工作方式。本文提出了外回路式铁氧体锁式开关的磁路设计方案,并对器件的开关速度进行了计算。作为一个实验,采用文中给出的磁路设计方案,并结合“双Y”结环行器的设计方法,获得了有如下指标的锁式开关: 频率范围:3.7GHz～4.2GHz 正向损耗:≤0.5dB 反向隔离:≥20dB 驻波系数:≤1.25 开关时间:20μs 开关能量:1600μJ 开关次数:每秒500次使用温度范围:-60～+55℃     

温度稳定的宽带集中参数环行器

推算了一种包括微带集中参数环行器杂散电抗的等效电路,业已表明带宽30%的宽带环行器是可以实现的。为了获得宽温宽带特性,又计算了铁氧体和永磁体所必需的温度系数。研究了低温度系数的新铁氧体材料和制作薄膜交迭结构新工艺。实验证明,径向磁化场在带宽和损耗方面都改善了环行器特性。试制的环行器特性如下:温度范围是-10℃～ 60℃,中心频率1.7GHz,在450MHz的带宽范围内VSWR<1.2,损耗1.0dB,隔离>20dB。     

中心插棒式H面波导环行器

本文介绍了一种中心插棒式H面波导环行器.实验表明,环行器的带宽约达18％,插入损耗约为0.8dB。     

重量仅为100克的波导环行器

该器件的工作频率为5～18GHz;在 x波段仅重100克。其典型指标是: 最小隔离:25dB;最大插损0.25dB; 电压驻波比:不大于1.14:1;工作温度:-20～ 70℃。厂家:Nore Microwave Ltd.(英) 资料来源:Microwaves.1981,20(12),p.108.     

宽温高扫速YIG调谐滤波器研究

本文报导的两级YIG调谐高扫速带通滤波器系列化产品,可相继倍频程地复盖1—8GHz的频率范围。它们带内插损小(一般为3dB,1—2GHz范围内不大于4dB),带外隔离大于50dB,三分贝带宽在15—40MHz间,带内波纹与假模式响应不大于1.5dB,捷变频速率可达到1GHz/120μs,可适应-40℃—+55℃环境温度变化。本文分析了在该系列产品中使用的YIG球的加热恒温与屏蔽一体化系统,讨论了几项调试技巧。     

温度稳定的1.7GHz宽带集中参数环行器

本文提出了温度稳定的宽带集中参数环行器的一种新的结构技术,制得了供实际使用的小型环行器。通过采用在结基片背面做上三个串联谐振电路构成的集成宽带网路,成功地制成了1.7GHz双调谐和三调谐宽带环行器。通过试验,研究了同相本征电感,寄生电容,非互易填充因子等基本结参数。本文还提出了集中参数环行器的温度补偿设计理论。采用正温度系数偏磁场的温度补偿已用于1.7GHz宽带环行器,得到了温度范围为-10—— 60℃,隔离为20dB,带宽大于600MHz(双调谐型)和950MHz(三调谐型)的环行器。     

Ka波段微带环行器设计与HFSS仿真

设计了一种Ka波段微带结环行器,阐述了微带环行器的工作原理、设计方法与仿真过程。在理论分析的基础上,计算出圆盘结和"大Y结"尺寸。利用三维结构电磁场仿真软件Ansoft HFSS进行建模、仿真分析,并对其进行优化处理。实验结果表明,该微带环行器在31~40GHz范围内,插入损耗小于0.3dB,电压驻波比小于1.2,隔离度大于20dB,相对带宽大于25%,仿真数据及实验结果满足设计要求。     

基于Si-BCB工艺Ka波段双模带通滤波器

介绍了一种应用于毫米波晶圆级集成基于Si BCB工艺的Ka波段双模带通滤波器。微带线结构的全波长谐振器具有低辐射特性,全波长环形阶跃阻抗谐振器（step impedance resonator, SIR）有两种正交谐振模式,可以减小滤波器尺寸。通过对基于环形谐振器的双模滤波器进行奇偶模分析,确定谐振器的设计参数。采用宽边耦合结构设计输入输出端口,具有高耦合度。仿真结果表明中心频率35 GHz,通带内插损1.2 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为15%。最后,采用Si BCB工艺制作滤波器并完成测试。测试结果为中心频率33.3 GHz,通带内插损1.17 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为18%。测试结果与仿真结果基本吻合。     

非互易微波器件小插损的测量方法

本文介绍一个由国产仪器组成的采用双路零差技术的测试系统,用以测量4CHz低损耗环行器的小插损(0.1dB)。误差分析表明,作为工程应用,是可以满足要求的。     

Ba-M型六角铁氧体的性能及自偏置环行器仿真设计

采用传统固相反应法结合磁场成型技术制备高取向的Ba-M型六角铁氧体。结合材料性能利用Ansoft HFSS仿真软件建立自偏置环行器三维电磁场模型,设计Ka波段自偏置环行器。实验结果表明,磁场成型铁氧体材料的取向度为0.7,剩磁比为0.88,各向异性场为18.3 kOe;高的各向异性场有望使材料在毫米波高频器件中得到应用。在56.4 GHz材料铁磁共振线宽为377 Oe,理论分析结果显示,铁磁共振线宽主要来源于气孔致宽。仿真结果表明,在32.9~35.8 GHz频率范围内,自偏置环行器的插入损耗小于0.89 dB,并表现出良好的环行性能。     

超宽带小型化微带环行器的设计与仿真

设计了一种超宽带小型化双Y结微带环行器,阐述了微带环行器的工作原理、设计理论和方法。在理论分析的基础上,结合计算机辅助软件AppCAD,分别计算出了大小Y结的尺寸,利用HFSS软件进一步对环行器进行建模、仿真,并且根据小Y结尺寸对于环行器带宽的影响,对其进行了优化处理。结果表明,该环行器在7.5～12.5GHz范围内,插入损耗小于0.1dB,隔离度大于20dB,电压驻波比小于1.22,相对带宽大于50%,仿真数据均满足设计要求和性能指标,也满足了环行器小型化的设计要求。     

基于PCB工艺的X波段嵌入式铁氧体微带环行器设计

提出了一种基于印制电路板(PCB)工艺的嵌入式微带环行器设计思路。以相应的结环行器设计理论为基础,通过电磁仿真软件进行仿真优化,设计了一种基于PCB工艺的嵌入式X波段双结微带环行器。对实验样机进行了测试,结果显示该微带环行器在8～12GHz范围内具有良好的环行性能:端口电压驻波比小于1.4,单结隔离度大于17 dB,单结传输损耗小于0.5 dB,双结传输损耗小于1.2 dB,双结隔离度大于28 dB,证明了该嵌入式微带环行器设计思路的可行性。在系统集成化水平越来越高的今天,该设计具有一定的应用潜力。     

3mm波铁氧体高速开关仿真设计

针对目前3mm波雷达要求,提出了相应频段的铁氧体开关方案。通过原理与方案分析、仿真优化设计和加工工艺的探索设计制作了一种具有插损低、开关转换时间快、功耗低和可靠性高等优点的3mm铁氧体高速开关。所研制的铁氧体开关在3mm频段内工作性能良好,性能为:输入电压驻波比VSWR≤1.16,正向损耗(插损)α+≤0.58d B,反向损耗(隔离度)α―≥22d B,开关响应时间t≤2μs,为后续毫米波的仿真研究、加工技术手段提供了一定的方向与参考。