一种去嵌入射频测量技术

去嵌入是一种射频微波精确测量技术。本文介绍了一种新型的去嵌入测量技术。该方法只需要一个对称的直通微带结构就能完成去嵌入。最后利用该方法对0603封装的电感进行了测量,并提取了精确测量后的电感模型。结果表明本去嵌入方法可以应用于射频PCB上器件模型的精确测量和模型提取。     

一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析

介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的"L-2L"去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置(m=0,0.5,1)下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明:m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS_(11)=18.431,ΔS_(21)=4.405,ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。     

系统建模与去嵌在RF IC批量测试中的应用

生产测试中通常使用网络分析仪进行射频集成电路(RF IC)S参数测量。一些表贴封装元器件不能直接与网络分析仪连接,通常使用含夹具的测试系统进行连接测试。在无法提供有效校准件的情况下,提出了利用测试系统建模结合去嵌入的方法,解决了RF IC批量测试中的S参数测试问题,并进行了对比验证。     

硅基片上射频集成无源器件的去嵌入表征方法研究

硅基片上射频集成无源器件进行S参数测试时不可避免受到焊盘寄生效应的影响。针对这一问题,提取了三组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于级联理论的三种去嵌入方法被用于传输线模型分布参数的精确表征,并结合电磁仿真综合对比。结果表明:相对于其他两种常用去嵌入方法,"混合"法得到的S参数曲线与无焊盘仿真最为接近(平均偏差S_(11)≤3.392%,S_(21)≤5.184%),且削弱了去嵌入过程中测量误差的影响,有效减少了分布参数曲线波动。     

微波功率器件大信号S参数的提取

介绍了微波有源器件大信号模型的计算机模拟技术和利用商品化软件ＨＰ ＭＤＳ提取大信号Ｓ参数的方法。     

平行线耦合微带滤波器精确设计及去嵌入测试

平行线耦合滤波器是广泛应用于微波射频前端系统中的重要器件,为了解决加工误差引起的平行线耦合微带滤波器的频率偏移效应,提出了圆角化的设计方案,即对平行线耦合滤波器的开路端采用圆角设计方案替代传统的长度补偿方案,为了避免相邻平行线宽度不同导致的不连续性,将各阶长度和宽度非常接近的平行线设置为相同长度和宽度,给出了预调整设计参数的流程,通过传输线校准,实测获得了34ＧＨｚ滤波器去嵌入效应后的频率响应,带内插损3ｄＢ,带内波动小于 1ｄＢ,带宽3.8ＧＨｚ,测量结果与仿真吻合。     

Infiniband电缆组件测量夹具S参数的一致性测试

S参数测量,如插入损耗、回波损耗和频域串扰正日益成为高速数字标准电缆组件一致性测试程序的一部分。例如,当前Infiniband规范要求,电缆差分插入损耗在1.25Ghz时,小于10dB。PCIExpress和串行ATAII及X A U I等其它标准也都有类似的测量要求。传统S参数测量一直使用频域矢量网络     

一种间接获取大功率MESFET管芯S参数的新方法

文章测量了单胞，双胞，六胞大功率ＭＥＳＦＥＴ的Ｓ参数，通过精确的误差控制，进行数据处理，得到了单胞拟合成双胞，单胞拟合成六胞的Ｓ参数，通过比较得出了一种间接获取大功率管芯Ｓ参数的方法，实验证明，此方法简单可行。     

一种卫星通信用低噪声放大器的研制

本文介绍了卫星通信低噪声放大器的基本原理，并结合实例对低噪声放大器的设计方法、步骤进行了探讨。     

De-embedding method for on-wafer RF CMOS inductor measurements

In this work, an accurate de-embedding method for on-wafer RF measurements of CMOS large area devices like the inductors is presented. The method uses distributed and lumped-element models to represent the parasitic elements. The interconnect parasitics are calculated using the transmission line theory. The proposed method is compared to existing de-embedding methods. The validity of the method is checked with the DC resistance value of the interconnects as calculated from the layout and as extracted from measurements, as well as with inductance results of the fabricated inductor, extracted from measurements and from electromagnetic simulations. On-wafer S-parameter measurements have been taken from a test chip up to 20 GHz.     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理、测试方法和自动测试程序。     

FET器件寄生元件的剥离技术

介绍了一种晶片条件下ＦＥＴ器件（包括ＭＯＳＦＥＴ，ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ）寄生元件的剥离技术，并利用此技术获取了器件的本征［Ｙ］参数。     

基于小信号S参数的功率放大器设计

文章利用小信号S参数和静态电流-电压曲线对功率放大器进行设计,首先把功率管的小信号S参数制成S2P文件,然后将其导入ADS软件中,在ADS中搭建功率管的输入输出端口匹配电路,按照最大增益目标对整个电路进行优化,最后完成电路的设计。     

一种"INTERNET准备好"芯片-S7600A

利用Ｓｅｉｋｏ公司基于Ｒｅａｄｙ Ｉｎｔｅｒｎｅｔ Ｔｕｎｅｒ技术的准备好ＩＣ芯片Ｓ７６００Ａ,人们只要在电子产品中嵌入一个类似收音机上的调台旋钮就能使其具有与Ｉｎｔｅｒｎｅｔ连接的功能,本文介绍了基于ｉＲｅａｄｙ Ｉｎｔｅｒｎｅｔ Ｔｕｎｅｒ技术的第一个Ｉｎｇｅｒｎｅｔ准备好的ＩＣ芯片ｉＣｈｉｐ Ｓ７６００的引脚功能、内部结构和应用电路。     

基于EMD和小波去噪处理的信号瞬时参数提取

本文提出用小波去噪后再运用经验模式分解(EMD)和希尔伯特变换方法提取信号瞬时特征。该方法克服了直接运用EMD分解方法由大量噪声带来的不必要的干扰,减少了EMD存在的边界效应和分解层数,提高参数提取的准确性和时效性,使算法在信号瞬时特征提取中更具有应用和研究前景。     

基于HC9S12DP256的木材旋切机控制器

HC9S12DP256是FreeScale公司主推的16位单片机之一,它使用高性能HCS12核心,有丰富的外围接口和较大的存储容量,很适合自动测控场合的应用。它可用于移植C/OS-II嵌入式操作系统,为软件编写提供了便利。本文介绍HC9S12DP256在木材旋切机控制器中的应用。     

基于Multisim10的二端口参数的测量

从本文使用Muhisim10仿真软件测试二端口网络的Y参数和A参数来看,在教学上用Multisim10软件研究二端口网络是很方便的。使用它可以在任意变换网络的元件及其位置,变换激励电源,变换输入端与输出端情况下,研究网络参数及参数间的相互转换关系。还可以借助仿真双踪示波器研究放大电路等二端口网络参数的相位特征。使二端口...     

一种基于LXI总线的TR组件S参数自动测试系统的设计

针对有源相控阵雷达天线中TR组件S参数测试工作量大、控制信号繁琐且测试结果需要大量分析处理的特点,设计了一种基于LXI总线的TR组件S参数自动测试系统。重点阐述了单次校准多次测量技术、开关矩阵设计、LXI总线仪表通讯等关键技术。该测试系统具有快速高效、可靠性高、使用方便灵活的特点,能够满足TR组件的测试要求。     

半导体激光器等效电路模型及其参数提取

从半导体激光器的速率方程出发,讨论了DFB半导体激光器的等效模型以及模型中各个参数的提取方法.分析表明该等效电路模型可以与后端封装设计级联,从而得到端到端的仿真结果,有助于提升工程上光电模块的设计效率.