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采用Global Foundries 0.18 μm工艺,设计了一种适用于12位SAR ADC的低功耗数模转换器。分析了提高分辨率对传统DAC结构功耗、面积的影响。通过采用电容串联与set-down开关策略,使DAC总电容值仅为传统结构的1/4,开关功耗降低为传统结构的9.4%。版图设计以中心对称为原则,低位电容靠近开关电路,降低了工艺、寄生参数对电容阵列的影响。仿真结果表明,DNL=-0.05~+0.45 LSB,INL=-0.3~+0.5 LSB,符合12位DAC的设计要求。 相似文献
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为了降低电容型模数转换器(ADC)中的电容失配带来的非线性影响,提出了一种基于复用低位电容自校准的逐次逼近型(SAR)ADC电路结构,利用低位电容转化高位电容失配引起的误差电压,实现高位电容失配校准。在55 nm CMOS工艺下实现了该ADC结构。该结构ADC工作过程为失调误差提取与正常转换两阶段,失调误差提取阶段中利用低位电容将高位电容失配产生的误差电压转换为误差码并存储,将误差码与正常转化数字码求和得到最终的数字输出,实现电容失配自校准。为了提高ADC采样速率,该结构通过分段结构将电容阵列分为三段降低了单位电容数量。仿真结果表明,在1.2V电源电压,80 MSPS采样速率下,引入电容失配后电路功耗为3.72 m W,有效位数为13.45 bit,信噪失真比(SNDR)为82.75 dB,相比未校准分别提高4.41 bit,26.58 dB。 相似文献
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设计了一种12位1 MS/s单端结构的自校准逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用串联三段式7位校准DAC阵列结构来校准高6位误差电压,减小了面积,扩大了校准范围。将校准DAC的初始态接为中间态,简化了校准逻辑控制过程。采用“双寄存器”预判的方式,提高了回补校准码的效率。在电源电压为3.3 V、转换速率为1 MS/s的条件下,进行了仿真验证。结果表明,该SAR ADC校准后,SNDR从校准前的49.2 dB提升到71 dB,DNL、INL分别从校准前的-1 LSB /+21.250 LSB、-17.398 LSB /+10.152 LSB减小到-0.25 LSB /+0.5 LSB、-1.048 LSB /+0.792 LSB。 相似文献
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为了解决高分辨率逐次逼近模数转换器(SAR ADC)中,电容式数模转换器(DAC)的电容失配导致精度下降的问题,提出了一种电容失配自测量方法,以及一种可适用于各种差分电容DAC设计的低复杂度的前台数字校准方法。该方法利用自身电容阵列及比较器完成位电容失配测量,基于电容失配的转换曲线分析,对每一位输出的权重进行修正,得到实际DAC电容大小对应的正确权重,完成数字校准。数模混合电路仿真结果表明,引入电容失配的16位SAR ADC,经该方法校准后,有效位数由10.74 bit提高到15.38 bit。 相似文献
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逐次逼近模数转换器(SAR ADC)具有中等转换精度和速度,在精度、速度、功耗以及成本方面具有综合优势,且易于实现多路控制,广泛应用于工业控制、医疗仪器以及微控制器(MCU)等领域中。采用GSMC0.18μm1P6M CMOS混合信号工艺,设计了一款用于汽车电子MCU的16通道10bit1MHz逐次逼近模数转换器。测试结果表明,在电源电压1.8V,输入信号51kHz和1MHz时钟频率下,无杂散动态范围(SFDR)71.364dB,有效位数(ENOB)达到9.49bit,整体功耗2.24mW,满足汽车电子MCU的应用需求。 相似文献
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介绍了一种基于剪枝神经网络的后台校准算法,能够对高精度单通道SAR ADC的电容失配、偏移、增益等多个非理想因素同时进行校准,有效提高SAR ADC的精度。本算法不仅可以达到全连接神经网络校准效果,而且同时对贡献小的权重进行剔除,降低了校准电路的资源消耗,加快了神经网络校准算法速度。仿真结果表明,信号频率接近奈奎斯特频率的情况下,对16 bit 5 MS/s的 SAR ADC进行校准,校准后ADC的有效位数从7.4 bit提高到15.6 bit,无杂散动态范围从46.8 dB提高到126.2 dB。 相似文献
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设计了一种基于混合编码DAC的低功耗SAR ADC .其分段电容DAC采用混合编码,减小了短时脉冲波形干扰的影响;为降低DAC寄生效应和电容阵列失配误差的影响,在DAC和比较器的版图设计中考虑了一些匹配技术.采用GF(Global Foundry)0.35μm CMOS工艺流片验证,该ADC在500 KSPS的速度下其INL在-0.6~0.4 LSB区间范围内,DNL在-0.2~0.7 LSB区间范围内,SNDR为54.13 dB ,有效位为8.7位.整个电路的功耗为537.9μW . 相似文献
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《Microelectronics Journal》2015,46(8):750-757
Charge-redistribution successive approximation register (SAR) analog-to-digital converters (ADCs) are widely used for their simple architecture, inherent low-power consumption and small footprint. Several techniques aiming to reduce the power consumption, to increase the speed, and to reduce the capacitance spread have been developed, such as splitting the digital-to-analog converter (DAC) capacitor array, and charging and discharging the DAC capacitors in multiple steps. In this paper, a fully differential, low-power, passive reference voltage sharing SAR ADC architecture is presented, along with its theoretical analysis and test results. In this architecture, suitable for low sampling rate and low-resolution applications, the reference voltage is scaled down by successively connecting equally sized capacitors in parallel, allowing the use of small capacitor for its implementation. The implemented 6-bit ADC is one of the smallest ADCs reported in a 180-nm technology, and features a FoM between 30.8 and 39.3 fJ per conversion step without considering the clock generator power consumption. 相似文献
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设计了一种精度可编程的低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。采用电阻电容混合结构的数模转换(DAC)阵列,通过对低位电阻阵列的编程控制,实现了12,0,8位的转换精度,对应不同的精度,电路支持1,5,10 MS/s的转换速率。采用一种改进的单调开关控制逻辑以降低功耗和面积,同时避免了原有单调开关逻辑存在信号馈通的缺点。根据不同的精度要求,对比较器所用预放大器的个数进行编程控制,进一步提高了ADC的功耗效率。电路基于0.18 μm的CMOS工艺设计,在1.8 V电源电压下,精度从高到低对应的功耗分别为0.56,0.48,0.42 mW;SNDR分别为73.2,61.3,48.2 dB;SFDR分别为96.3,84.6,62.8 dB。芯片内核面积仅为(0.6×0.9)mm2,适用于通用片上系统(SoC)。 相似文献
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This paper presents a 25-GS/s 6-bit time-interleaved (TI) SAR ADC in a 40-nm CMOS low-leakage (LL) process. The prototype utilizes 4 × 12 hierarchical sampling architecture to reduce the complexity of track-and-hold circuits and the timing skew calibration. The single-channel SAR ADC adopts asynchronous processing with two alternate comparators. A partially active reference voltage buffer is designed to reduce the power consumption. The method based on sinusoidal signal approximation is employed to calibrate timing skew errors. To characterize the ultra-high-speed ADC, an on-chip design-for-test memory is designed. At 25 GS/s, the ADC achieves the SNDR of 32.18 dB for low input frequency and 27.28 dB for Nyquist frequency. The chip consumes 800 mW and occupies 1.3 × 2.6 mm2, including the TI ADC core and memory. 相似文献
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为了提高模数转换器的采样频率并降低其功耗,提出一种10 bit双通道流水线逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)。提出的ADC包括两个高速通道,每个通道都采用流水线SAR结构以便低功率和减小面积。考虑到芯片面积、运行速度以及电路复杂性,提出的处于第二阶段的SAR ADC由1 bit FLASH ADC和6 bit SAR ADC组成。提出的ADC由45 nm CMOS工艺制作而成,面积为0.16 mm2。ADC的微分非线性和积分非线性分别小于0.36 最低有效位(LSB)和0.67 LSB。当电源为1.1 V时,ADC的最大运行频率为260 MS/s。运行频率为230 MS/s和260 MS/s的ADC的功率消耗分别为13.9 mW和17.8 mW。 相似文献
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贺炜 《微电子学与计算机》2010,27(2)
采用一种新颖的甚低功耗SAR ADC结构技术,基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一个8bit、15Ms/s SAR ADC的芯片电路.该ADC利用电荷分享技术实现数据的采样/保持和逐次逼近转换过程,同时采用了异步时序控制技术代替传统的同步时序控制方式,对SAR控制逻辑进行优化设计,使其在功耗和速度方面都达到优良的性能.仿真结果显示该ADC能在15Ms/s的采样率下正常工作,平均功耗仅为518μW,整体性能优值FOM值达到了0.18pJ/Cony,远低于传统结构. 相似文献
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This paper presents a differential successive approximation register analog-to-digital converter (SAR ADC) with a novel time-domain comparator design for wireless sensor networks. The prototype chip has been implemented in the UMC 0.18-μ m 1P6M CMOS process. The proposed ADC achieves a peak ENOB of 7.98 at an input frequency of 39.7 kHz and sampling rate of 180 kHz. With the Nyquist input frequency, 68.49-dB SFDR, 7.97-ENOB is achieved. A simple quadrate layout is adopted to ease the routing complexity of the common-centroid symmetry layout. The ADC maintains a maximum differential nonlinearity of less than 0.08 LSB and integral nonlinearity less than 0.34 LSB by this type of layout. 相似文献
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This paper presents a differential successive approximation register analog-to-digital converter(SAR ADC) with a novel time-domain comparator design for wireless sensor networks.The prototype chip has been implemented in the UMC 0.18-μm 1P6M CMOS process.The proposed ADC achieves a peak ENOB of 7.98 at an input frequency of 39.7 kHz and sampling rate of 180 kHz.With the Nyquist input frequency,68.49-dB SFDR,7.97-ENOB is achieved.A simple quadrate layout is adopted to ease the routing complexity of the co... 相似文献
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设计了一种三阶噪声整形逐次逼近模数转换器。该转换器采用由二阶误差反馈结构和一阶级联积分器前馈结构组成的混合噪声整形结构,通过该混合结构来控制反馈余量并提升噪声传输函数的阶数,通过基于共模的开关切换方式优化了比较器动态失调电压,实现了三阶噪声传输函数。该电路基于0.35μm CMOS工艺进行设计仿真。使用3.3 V电源电压进行供电,在2 MS/s采样频率以及8倍过采样率下,功耗为1.87 mW,实现了87.93 dB的SNDR,有效位数(ENOB)为14.3 bit,在传统8位SAR ADC的基础上提升了有效位数6.3 bit。 相似文献
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时域交织ADC由多个独立的ADC构成,这种并行处理数据的方式可以达到很高的采样率。子通道采用SAR ADC可实现低功耗并保持很好的线性度。但是,这种结构受到三种失配的影响:失调失配,增益失配和采样时刻偏差。本文从频域分析出发,重点研究了在通道数目较多的情况下失配对TI SAR ADC性能的影响,此外,推导得出M通道交织ADC的DNL和INL的均方根值是单通道ADC均方根值的1/√M。最后通过Matlab仿真验证了推导出的公式。这些公式可以为设计TI ADC时确定失配范围提供参考,并为提出校准算法提供思路。 相似文献