硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究

本文通过硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的使用过程,概述了７５×３ｍｍ硼微晶玻璃片状扩散源的扩散原理、扩散方法,实验过程;总结实验结果,给出了有关数据,讨论了存在的问题。     

硼微晶玻璃片状扩散源工艺实践

一、引言 在半导体器件的生产中,扩散源性能的优劣直接关系到能否在整个硅片上获得一致的扩散,是能否在固定的工艺条件下重复生产出合格的管芯的关键。对扩散源的研究正随着生产的发展而不断深入。同时,人们对于一个良好的扩散源的标准也日趋明确。归纳起来主要应有如下几条: 1.有良好的均匀性,即在一炉中的各片子上都可以获得几乎相同的扩散。     

硼微晶玻璃〔PWB〕片状扩散源在CMOSIC中的试用

一.概述: 1.名称:硼微晶玻璃片状扩散源简称PWB片状源或叫氧化硼片。 PWB是以硼—微晶—玻璃的汉语拼音第一个字母PWB命名的。 美国于1975年首先使用,称Boron~+片,国内于1979年试用并(钅监)定。由上海有色光学玻璃厂制造。 2.PWB片的主要成分及性质:     

硼微晶玻璃源扩散在RCGTO中的应用

将硼微晶玻璃源均匀扩散条件及浓度控制方法用于ＲＣＧＴＯｐ基区扩散，研制成功２００Ａ／１０００ＶＲＣＧＴＯ。     

片状扩散源在硅的磷扩散中的应用

向硅中进行杂质扩散,除了采用液态或气态杂质源外,还可以采用固体片状杂质源。已经证明,采用片状氮化硼能够进行稳定的B扩散(特别是大面积Si片,效果更为显著)。 我们以前曾经报道过采用片状氮化磷进行磷扩散的方法。本文再报道一种较稳定的扩散方法,采用含P_2O_5的片状扩散材料做为扩散源。     

片状固态扩散源在磷扩散工艺中的应用

本文介绍了采用国产的片状固态磷扩散源所进行的磷扩散工艺实验及其结果。有效成分为偏磷酸铝和焦磷酸硅的磷源片具有无毒、贮运方便等优点,固态源扩散的系统简单,操作容易。实验的结果表明,扩散结深、扩散薄层电阻、结的击穿电压等参数均能满足常规硅平面工艺的要求,扩散的均匀性也是令人满足的。     

微晶玻璃及其在电子元件中的应用

综述了典型微晶玻璃的组成及相应的主晶相, 制备方法和主要性能,包括力学、热学和电学性能;简单介绍了微晶玻璃在电子元件中的三类典型应用,即作为电子封接材料,厚膜电路用基片材料和硬盘用基板材料。     

硼微晶玻璃源扩散均匀性的研究

研究表面,用片状硼微晶玻璃扩散源在一定的条件下也能形成B-Sis相层,并且只有在预沉积时形成B-Si相层且去掉这一相层进行主扩,才能获得高均匀性硼掺杂。本文研究了不同的工艺条件对扩散均匀性的影响结果。     

磷陶瓷片状扩散源在CMOSIC中的试用

固态片状扩散源有扩散均匀性,重复性好,操作简便,装炉量大等优点,一直为人们所向往,但六十年代,未找到合适的片状磷源材料,至1972年,日本首先发表了片状氮化磷源专利,但由于有热稳定性差等原因,在满足半导体器件和集成电路要求方面不甚理想,因而受到限制,直至1976年美国NJones等报导了PH-1050片状磷源,其所得结果可与pocl3液态     

新型片状磷平面扩散源的应用研究

分析了新型片状固态磷平面扩散源(PDS)的掺杂机理,并与液态POCl3源扩散进行了比较,指出可用片状固态磷PDS来替代POCl3实现磷扩散工艺的预沉积。基于PDS预沉积的实验结果,分析了影响方块电阻大小及其均匀性的关键因素,给出了工艺方案,并通过实际产品的电学参数测量结果验证了工艺方案的可行性,可供新型片状磷PDS在大直径硅扩散工艺中的推广使用参考。     

微晶玻璃在PDP制造中的应用

等离子体显示器已成为显示器件产业新的大规模投资热点,衬板玻璃作为PDP生产过程中必不可少的材料日益受到厂商的重视,本文分析了PDP制造中对板的要求,介绍了日本电气硝子的微晶玻璃的生产过程和主要性能指标,最后对PDP制造中使用的微晶玻璃衬板需求量进行了分析和展望。     

硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩散法。通常,这种扩散工艺由淀积和推进扩散二个阶段组成。首先,在淀积工艺中,在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区域,紧接着在推进扩散工艺中使结向更深的硅衬底内部浸透,控制表面杂质浓度。可以说,这种杂质浓度的控制和结深的控制左右着器件的性能。进而,这种扩散的好坏受到淀积工艺相当大的影响。因此,本文在说明了淀积工艺中P型杂质硼源概况的同时,着重介绍一下最近Owens-Illinois公司研究的新硼扩散源“硼~(+TM)(以下TM略去)的特点。     

硼扩散源及其在半导体器件中的应用

在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法。通常,这种扩散工艺是由预沉积和再扩散两步工序组成的。首先是预沉积工序,它是在硅表面形成浅的高浓度杂质扩散区,其次是再扩散工序,它是使结更深地向硅衬底内推进,控制表面杂质浓度。认为控制了这个杂质浓度和结深就确定了半导体器件的性能,这种说法也并不过分。而且还可以说,预沉积将大大影响扩散的好坏。因此,本文简要说明一下关于预沉积中 p 型杂质(硼)扩散源的情况。同时,介绍一下最近 Owens-Illinois 公司研究的新的硼扩散源“Boro+~(TM)”(以下省略 TM)的优点。     

硼微晶玻璃在硼扩散工艺中的应用

一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散源也得到不断改进,出现了不少新的扩散源,如固态片状BN源、固态片状磷源、硼微晶玻璃片状扩散源等等。就P型掺杂剂的硼扩散源来说,初期普遍使用硼酸三甲脂、硼酸正丙脂液态源和BN粉末源,后来逐渐为BN片状扩散源所代替。近年来,随着硼微晶玻璃片状扩散源(PWB)的出现,受到了很多用户的欢迎,实践证明,PWB源比片状BN扩散源具有更好的工艺优越性。     

在氧化气氛下硅中的磷扩散

对于在硅平面技术中通常采用的掺杂浓度,磷在硅中的扩散是既在不活泼气氛(氮气)又在氧化气氛(90％氮气加10％氧、干氧、水蒸汽)中,在很宽的温度范围(1000～1200℃)内,分两步完成的。实验数据是根据Kato和Nishi理论模型来解释的,这个模型考虑了在移动着的二氧化硅——硅界面处的再分步现象,说明磷的扩散系数受完成扩散的环境气氛性质的强烈影响。还发现了扩散过程中的两种不同动能值:对于不活泼气氛,E=3.5电子伏;对于氧化气氛,E=2.5电子伏,这些值似乎证明了对不活泼气氛是基于E中心的磷扩散机理,对于氧化气氛则认为是另外一种扩散机构。     

使用硼微晶玻璃片作为扩散源的一些体会

我们使用上海有色光学玻璃厂生产的硼微晶玻璃片作为P型扩散源,生产硅高频大功率晶体管.在使用过程中,我们感到硼微晶玻璃片有以下的优点:(1)扩散的均匀性和重复性好.同一批硅外延片,经扩散后,不同硅片上扩散层的方块电阻R_n很相近.不同批次的硅外延片,按照同一工艺条件进行扩散,也能得到很相近的方块电阻和结深.(2)使用方便.硼微晶玻璃片不需进行活化处理,性能稳定,不易粘片,不易粘石英     

片状氮化硼是一种好的硼扩散杂质源

片状氮化硼作为硼扩散杂质源,我们用来试生产集成电路低功耗TTL与非双门,低功耗D型触发器以及低功耗四位二进制计数器都得到了满意的结果。在其它工艺条件相同情况下,用片状氮化硼作为硼扩散杂质源所生产的双门,双D中测管芯成品率完全可以达到用粉末状氮化硼源的成品率。在试制中规模集成电路低功耗四位二进制计数器,按二位以上性能好的管芯统计,中测成品率可达15％～20％,其中四位全好的管芯占有     

平面源扩散系统的特性

本文研究了平面源扩散系统的特性与气体流速、气体成分以及系统几何尺寸的关系。业已发现:此系统在低的流速、大的装片密度情况下。片与薄层电阻的均匀性能控制在±2%之内,批次重复性可控制在±4%。概述了在平面源系统中的扩散率和蒸气压的作用。描述了控制这些参数的方法。