一种单芯片无线收发系统设计

为了使无线收发系统能方便地应用于无线传感器网络、蓝牙技术与无限局域网（WLAN）等领域,采用了片上系统设计方法,将无线收发系统设计在一块单芯片上,使其最小化。给出了单芯片无线电的基本结构及电路实现的若干组成部分（混频器,低噪音放大器,功率放大器等）的解决方案。电路具有体积小,低功耗,成本低,可靠性高的特点。     

基于SOC的单芯片无线收发系统设计

在无线收发系统电路结构的基础上,分析了基于片上系统(SOC)的单芯片无线电通信最重要的收发部分的设计原理。给出了单芯片无线电的基本结构及电路实现的若干组成部分(混频器、低噪音放大器和功率放大器等)的解决方案。利用单芯片无线电体积小、低功耗、成本低和可靠性高的优点,在无线传感器网络、蓝牙技术与无限局域网(WLAN)方面具有广泛的应用。     

Renesas推出WLAN用SiGe双波段MMIC

瑞萨美洲公司(Renesas Technology America)宣布了一种型号为HA31010的新型高性能双波段SiGe MMIC功率放大器。该放大器耗电小,电路板面积允许实现小型较低功率的双波段/三模(IEEE-802.11a/b/g)与多输入多输出(MI-MO)无线局域网(WLAN)终端。由于在一个单芯片上装了两个功率放大     

AWM6424：WiMAX4G功率放大器

Anadigics发表了新型全球WiMAX4G功率放大器AWM6424,该放大器在2．3GHz-2．7GHz频率范围内,提供了卓越的线性和效率。这款新产品采用了与Anadigics现有AWM6422和AWM6423WiMAX功率放大器相同的封装形式和引脚位,其宽带频段性能简化了对旨在用于多个国际市场宽带移动无线产品的设计。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN )802.11b/g 2.4 GHz 频段的Class AB 射频功率放大器.该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路.仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小于-20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm, 最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148 μm×1 140 μm.     

自适应偏置SOI CMOS功率放大器的设计

基于IBM 0.18 μm SOI CMOS工艺,设计了一款用于WLAN的高效率CMOS功率放大器。为了提高电路的可靠性,该放大器的驱动级和输出级均采用自适应偏置电路,使得共栅管和共源管的漏源电压分布更为均衡。该芯片采用两级共源共栅结构,片内集成了输入匹配电路和级间匹配电路。测试结果表明,该放大器的增益为23.9 dB,1 dB压缩点为23.9 dBm,效率为39.4%。当测试信号为IEEE 802.11g 54 Mb/s,在EVM为3%处,输出功率达到16.3 dBm。     

基于负载牵引技术的射频功率放大器设计

本文描述了微波电路中基于负载牵引技术的WLAN功率放大器的设计方法。笔者采用CMOS工艺设计了两级差分放大电路,并对该差分放大电路进行负载牵引。在此基础上,我们设计了输入输出匹配网络,最后使用ADS软件进行整体仿真。结果表明,在1．8V电源电压下,放大器增益为29dB,1dB压缩点的输出功率为18．3dBm,功率附加效率为16．8％,满足系统指标要求。     

高效率开关F3/E类功率放大器

介绍了一种高效F3/E类功率放大器的设计方法,该放大器将F类功率放大器的谐波控制电路引入逆E类功率放大器的负载网络,以改善放大器性能。此电路结构提升了放大器的功率输出能力,降低了电路对功率放大器管器件漏极耐压特性的要求,增强了器件工作时的安全性。详细阐述了该放大器的设计过程,并给出了负载网络各器件的最佳设计取值方程。选用GaNHEMT器件研制了S频段F3/E类功率放大器测试电路。实测结果表明该放大器在驱动功率为27 dBm时,可获得40.3 dBm的输出功率,具有13.3 dB增益,工作效率高达78.1%,功率附加效率为75.2%。实测结果与仿真结果吻合,验证了设计方法的正确性。     

一种新颖的微波功率放大器

本文介绍了一种L波段大功率放大器,具备在一路放大器失效后,自动转换到另一路功放进行工作,不影响整个放大器连续工作,并且微波功率放大器的功率输出具有一定调整范围。该放大器设计思路新颖,对拓宽脉冲功率放大器的设计具有特别的意义。     

64QAM数字无线电发射机的GaAs FET功率放大器设计与特性

本文给出了64QAM无线电系统的6GHz放大器的设计规格和性能数据;着重指出了设计时间和温度都具有优良的线性度;用三点频交调测量可确定出器件和整个放大器的特性;用桥式电路可以描述带前置补偿和不带前置补偿的放大器特性;叙述了由于五阶作用使性能受到限制。该功率放大器具有很低的失效率。     

802.11n高线性功率放大器的设计与实现

为了扩大802.11n无线产品的覆盖范围,设计了一款符合802.11n标准的2.4 GHz高线性 功率放大器。在该功率放大器的设计中采用了双路均衡功率合成技术和差异化加速开关技术 ,在提供高功率输出的同时满足了802.11n的误差向量幅度（EVM）的要求,尤其是实际应用 中的动态EVM。测试结果表明,该功率放大器回退7 dB后的线性输出功率为27 dBm,此 时的EVM为-30 dB,合成功率输出为29.5 dBm。该功率放大器可广泛用于无线局域 网中,与各种类型的无线AP直接匹配使用,提高其覆盖范围。     

用于微波放大器的InGaP HBT微波动态大信号波形特性

In wireless mobile communications and wireless local area networks （WLAN）, advanced InGaP HBT with power amplifiers are key components. In this paper, the microwave large signal dynamic waveform characteristics of an advanced InGaP HBT are investigated experimentally for 5.8 GHz power amplifier applications. The microwave large signal waveform distortions at various input power levels, especially at large signal level, are investigated and the reasons are analyzed. The output power saturation is also explained. These analyses will be useful for power amplifier designs.     

Microwave dynamic large signal waveform characterization of advanced InGaP HBT for power amplifiers

In wireless mobile communications and wireless local area networks (WLAN), advanced lnGaP HBT with power amplifiers are key components. In this paper, the microwave large signal dynamic waveform characteristics of an advanced InGaP HBT are investigated experimentally for 5.8 GHz power amplifier applications. The microwave large signal waveform distortions at various input power levels, especially at large signal level, are investigated and the reasons are analyzed. The output power saturation is also explained. These analyses will be useful for power amplifier designs.     

CMOS工艺射频功率放大器的实现与验证

射频功率放大器是无线设备的关键器件,GaAs工艺被广泛使用在射频功放的设计制造上。而CMOS工艺在生产成熟度和成本上有很大优势,主要关注用CMOS工艺来做射频功放的问题,介绍世界上第一颗量产的CMOS功放及其所使用的特殊技术。利用一款成熟的手机产品,替换这颗功放及外围器件,最后与原产品进行对比测试。     

功放数字预失真技术现状及未来发展

功放是无线通信发射机的重要组成部分,随着无线通信的不断发展,对宽带线性功放的要求也越来越高。然而,功放的非线性特性和记忆效应会导致信号严重失真。为了减小带内失真和邻道干扰,数字预失真成为功放线性化技术中最有发展潜力的技术。介绍了功放模型,数字预失真的学习结构、数字预失真器参数的辨识算法等研究现状,探讨了数字预失真的发展趋势,为今后数字预失真技术的研究提供参考。     

基于列车监测网络设备的射频功放模块设计

列车关键设备及行车状态的无线实时监测是列车安全运行的有效技术保障,而如何延长无线监测节点通信距离、增强通信可靠性成为研究重点。本文提出适用于列车监测特殊环境的射频功放模块设计方法,采用集成化芯片RF5110G避免内部干扰,通过滤波电路和阻抗匹配优化电路板设计,所设计的功放模块很好地解决了列车特殊环境导致的信号衰减问题,增强了监测网络节点数据传输可靠性,为列车监测、维护提供了可行的方法。     

一种基于锥形微带线的宽带F 类功率放大器

提出了一种基于5G 频段的宽带高效率F 类功率放大器。分析表明锥形微带线可以有效解决矩形微带线对于带宽的限制问题, 同时将锥形微带线加入谐波控制网络, 可以实现在一定频率范围内将二次谐波阻抗匹配至短路点附近, 三次谐波阻抗匹配至开路点附近, 从而有效解决了F 类功率放大器带宽和效率的问题。使用锥形微带线制作的功放, 实测结果表明: 在2.7 ~3.8GHz 的频带范围内, 漏极效率达到63% ~78%, 平均输出功率达到10W以上, 大信号增益达到10dB 以上。在5G 无线通信中, 该功放可以有效地发挥其宽带高效率的特点。     

High‐Efficiency CMOS Power Amplifier Using Uneven Bias for Wireless LAN Application

This paper proposes a high‐efficiency power amplifier (PA) with uneven bias. The proposed amplifier consists of a driver amplifier, power stages of the main amplifier with class AB bias, and an auxiliary amplifier with class C bias. Unlike other CMOS PAs, the amplifier adopts a current‐mode transformer‐based combiner to reduce the output stage loss and size. As a result, the amplifier can improve the efficiency and reduce the quiescent current. The fully integrated CMOS PA is implemented using the commercial Taiwan Semiconductor Manufacturing Company 0.18‐μm RF‐CMOS process with a supply voltage of 3.3 V. The measured gain, P_1dB, and efficiency at P_1dB are 29 dB, 28.1 dBm, and 37.9%, respectively. When the PA is tested with 54 Mbps of an 802.11g WLAN orthogonal frequency division multiplexing signal, a 25‐dB error vector magnitude compliant output power of 22 dBm and a 21.5% efficiency can be obtained.     

Effects of Power Amplifier Distortion and Carrier Frequency Offset on the Performance of WLAN System

Due to the efficiency of mitigation multipath delay spread, orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) is extensively used in the wireless local area network (WLAN) domain, such as the IEEE 802.11a standard defined by the IEEE 802.11 standardization group and the HIPERLAN/2 defined by the European Telecommunication Standards Institute Project on Broadband Radio Access Networks. OFDM based WLAN system is very sensitive to the power amplifier distortion and the carrier frequency offset. The performance of the OFDM based WLAN system in the presence of the power amplifier distortion and the carrier frequency offset under practical fading channel is researched and analyzed in this paper. A closed form of bit error rate (BER) is derived for the OFDM based WLAN system in the presence of the power amplifier distortion and the carrier frequency offset under practical fading channel. The effects of the power amplifier distortion and the carrier frequency offset on the OFDM based WLAN system performance are comparatively studied by the theoretical method and by the simulation method under practical multipath fading channels. Studies show that the theoretical and simulated results match well.